引線框架結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種對現(xiàn)有引線框架結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，屬于半導(dǎo)體集成電路封裝【技術(shù)領(lǐng)域】?，F(xiàn)有技術(shù)中存在芯片散熱效果不好；高、低壓引腳間安全間距過小，從而可能引起高壓引腳向低壓引腳放電的問題。為了解決上述問題，通過高壓引腳對稱式設(shè)計(jì)增大了散熱片面積，提高散熱能力；增大了高、低壓引腳間安全間距，減小高壓引腳向低壓引腳放電的機(jī)率。引線框架結(jié)構(gòu)，包括連為一體的大基島、小基島和引腳，其特征在于，所述引腳中與大基島直接相連接的引腳為高壓引腳，所述高壓引腳分兩側(cè)平行對稱設(shè)置，所述高壓引腳寬度為0.3mm至4mm，所述高壓引腳與其最接近的引腳的間距為1.27mm至3.81mm。所述與高壓引腳相連接以外的引腳為低壓引腳。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種對現(xiàn)有引線框架結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，屬于半導(dǎo)體集成電路封裝技術(shù)領(lǐng) 域。 引線框架結(jié)構(gòu)

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體分立元器件封裝的目的是為了使半導(dǎo)體芯片的功能以方便的形式提供給 用戶，目前塑料樹脂封裝形式是大規(guī)模批量生產(chǎn)最通用的方式。其中，引線框架是半導(dǎo)體器 件塑料樹脂封裝所需的支撐元件，其作用一是固定芯片，二是將芯片的功能通過外引線傳 遞出去。
[0003] 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，封裝的高度集成化，客戶對分立元器件的要求越來 越高，體積要求小且散熱性好，電性能穩(wěn)定。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 發(fā)明目的
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)中存在芯片散熱效果不好；高、低壓引腳間安全間距過小，從而可能引起 高壓引腳向低壓引腳放電的問題。為了解決上述問題，通過高壓引腳對稱式設(shè)計(jì)增大了散 熱片面積，提高散熱能力；增大了高、低壓引腳間安全間距，減小高壓引腳向低壓引腳放電 的機(jī)率。
[0006] 技術(shù)方案
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0008] 引線框架結(jié)構(gòu)，包括連為一體的大基島、小基島和引腳，其特征在于，所述引腳中 與大基島直接相連接的引腳為高壓引腳，所述高壓引腳分兩側(cè)平行對稱設(shè)置，所述高壓引 腳寬度為〇· 3mm至4mm，所述高壓引腳與其最接近的引腳的間距為1. 27mm至3. 81mm。所述 與高壓引腳相連接以外的引腳為低壓引腳。
[0009] 本發(fā)明的有益效果在于
[0010] 1.采用高壓引腳對稱式設(shè)計(jì)，很好的解決了封裝切筋工序過程中因受力不均勻而 導(dǎo)致的封裝體破損、引腳松動等現(xiàn)象。
[0011] 2、采用高壓引腳對稱式設(shè)計(jì)，很好了解決了雙基島在有限的空間內(nèi)利用率最大 化。在滿足小基島面積及高、低壓引腳間的安全間距的情況下，適當(dāng)?shù)脑龃蟠蠡鶏u的面積可 提升廣品的散熱能力，提商廣品的輸出功率。
[0012] 3、適當(dāng)?shù)臏p小外部低壓引腳間的間距，增大外部高、低壓管腳間的間距，有利于減 小在潮濕的環(huán)境工作中，高壓引腳向低壓引腳放電的機(jī)率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是【背景技術(shù)】中雙芯片引線框架的分解結(jié)構(gòu)主視示意圖；
[0014] 圖2是【背景技術(shù)】中雙芯片引線框架的組裝結(jié)構(gòu)主視示意圖；
[0015] 圖3圖1的左視圖；
[0016] 圖4圖2的左視圖；
[0017] 圖5是本發(fā)明中雙芯片引線框架的分解結(jié)構(gòu)主視示意圖；
[0018] 圖6是本發(fā)明中雙芯片引線框架的組裝結(jié)構(gòu)封裝主視示意圖；
[0019] 圖7是圖5的左視圖；
[0020] 圖8是圖6的左視圖。
[0021] 圖中各個(gè)附圖標(biāo)記的含義見下表：
[0022] ||附圖標(biāo)記 ^||含義 Π ~ 丨卜大基Si II 2 丨I小基島 耐?壓（晶體二極 3 引腳 4 管、IGBT管或 _ _ MOS 管） 5 電源、片 6 金絲、銅絲

【具體實(shí)施方式】
[0023] 以下結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。
[0024] 在現(xiàn)有普通DIP8外觀尺寸大小不變的情況下，修改了引腳與引腳之間的間距及 引腳自身的寬度。引腳與引腳間的間距為1.27mm至3. 81mm。引腳自身的寬度為0.3mm至 4mm 〇
[0025] 通過對比圖1和圖5,其中圖1是現(xiàn)有技術(shù)中引線框架的分解結(jié)構(gòu)示意圖，圖5是 本發(fā)明的引線框架的分解結(jié)構(gòu)示意圖。可以明顯的發(fā)現(xiàn)，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明增加了引 腳3的寬度，同時(shí)引腳3與同側(cè)其他引腳的間距變大。如此設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)包括增加了大基島 的面積，從而增加了散熱面積。更加有利于芯片的散熱效果。
[0026] 引線框架結(jié)構(gòu)內(nèi)部有雙基島，即大基島和小基島，是放置芯片的載片；各引腳及其 焊線區(qū)域組成。雙基島中的大基島與高壓引腳相連接，小基島與非連接在大基島上的任何 一個(gè)外部引腳相連接；大基島中放置耐高壓（晶體三極管、IGBT管或M0S管)，小基島中放置 電源驅(qū)動芯片；大基島與耐高壓（晶體三極管、IGBT管或M0S管)的最高電位相連接，大基島 與其相連接的引腳組成散熱片，本發(fā)明定義與最高電位相連接的引腳為高壓引腳；小基島 與電源驅(qū)動芯片的最低電位相連接，本發(fā)明定義除與最高電位相連接以外的引腳為低壓引 腳。高壓引腳與低壓引腳同在一個(gè)框架中就會產(chǎn)生高壓向低壓放電的現(xiàn)象，通過長期的封 裝實(shí)驗(yàn)得出封裝體內(nèi)部的高壓引腳與低壓引腳的安全間距應(yīng)保持在0. 3mm以上。
[0027] 本發(fā)明的另一個(gè)創(chuàng)造點(diǎn)在于，減小外部低壓引腳間的間距，增大外部高、低壓管腳 間的間距，有利于減小在潮濕的環(huán)境中，高壓引腳向低壓引腳放電的機(jī)率，減少飛弧現(xiàn)象的 發(fā)生。
[0028] 實(shí)施例一、所述高壓引腳寬度為0· 3mm，低壓引腳寬度為0· 3mm，高壓引腳與低壓 引腳間距為3. 81mm，低壓引腳與低壓引腳間距為1. 27mm。
[0029] 實(shí)施例二、所述高壓引腳寬度為4_，低壓引腳寬度為0. 3_，高壓引腳與低壓引 腳間距為1. 27mm，低壓引腳與低壓引腳間距為1. 27mm。
[0030] 需要理解到的是：以上所述僅僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的技 術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾 也應(yīng)視為本發(fā)明保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.引線框架結(jié)構(gòu)，包括連為一體的大基島、小基島和引腳，其特征在于，所述引腳中與 大基島直接相連接的引腳為高壓引腳，所述高壓引腳分兩側(cè)平行對稱設(shè)置，所述高壓引腳 寬度為〇· 3mm至4mm，所述高壓引腳與其最接近的引腳的間距為1. 27mm至3. 81mm。
【文檔編號】H01L23/495GK203910783SQ201420161896
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月4日
【發(fā)明者】譚天文, 姜濤 申請人:南京通華芯微電子有限公司