一種3dB電橋的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種3dB電橋，通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強(qiáng)，其通過仿真軟件測(cè)算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實(shí)用性大大的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不易算壞，使用壽命長(zhǎng)。
【專利說明】—種3dB電橋

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及同頻合路器配件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種3dB電橋。

【背景技術(shù)】
[0002]在同頻合路器中，主要的元部件就是3dB電橋，3dB電橋是一種將兩種頻率相同的信號(hào)進(jìn)行耦合成一路信號(hào)輸出的電器件；其要求耦合度高，精確，頻段寬；在通信行業(yè)中被廣泛使用，其中，通信行業(yè)的新增標(biāo)準(zhǔn)LTE中，LTE標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段為2570MHz-2750MHz，目前市場(chǎng)上的同頻合路器中，所采用的3dB電橋普遍耦合頻率寬度為600MHz-2400MHz，不能滿足新增LTE標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段。另外，目前市場(chǎng)上的3dB為達(dá)到寬頻目的，采用不同的耦合線形式，造成模具浪費(fèi)，因此具有生產(chǎn)成本較高的缺點(diǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服以上所述的缺點(diǎn)，提供一種耦合頻率寬能達(dá)到2950MHZ、且兩個(gè)耦合線形狀相同，節(jié)省成本的3dB電橋。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體方案如下:一種3dB電橋，包括有第一耦合線和第二稱合線,所述第一稱合線包括圓環(huán)形的第一稱合部、從第一稱合部一側(cè)斜向上延伸出的第一輸出腳、從第一耦合部另一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳；所述第一輸出腳的自由端設(shè)第一輸出端，第一輸入腳的自由端設(shè)第一輸入端；
[0005]所述第二耦合線包括圓環(huán)形的第二耦合部、從第二耦合部一側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳、從第二I禹合部另一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳；所述第二輸出腳的自由端設(shè)第二輸出端，第一輸入腳的自由端設(shè)第二輸入端；
[0006]所述第一耦合線和第二耦合線平行且重疊設(shè)置，第一耦合部與第二耦合部重之間距離為4mm-8mm ；
[0007]所述第一耦合部與第二耦合部的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔，所述第一耦合部的安裝孔與第二耦合部的對(duì)應(yīng)的安裝孔之間設(shè)有絕緣支柱，所述第一耦合部與第二耦合部之間通過絕緣支柱固定。
[0008]其中，所述第一耦合線和第二耦合線形狀相同并對(duì)稱設(shè)置。
[0009]其中，所述第一耦合部和第二耦合部的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
[0010]其中，每個(gè)絕緣支柱上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個(gè)絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。
[0011]其中，第一耦合部與第二耦合部重之間距離為5_。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果為:通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強(qiáng)，其通過仿真軟件測(cè)算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實(shí)用性大大的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不易算壞，使用壽命長(zhǎng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型的正視圖；
[0014]圖2是第一耦合線的正視圖；
[0015]圖3是第二耦合線的正視圖；
[0016]圖4是利用本實(shí)用新型制作的同頻合路器的正視圖；
[0017]圖5是第一耦合線、第二耦合線及絕緣支柱配合時(shí)的剖面圖；
[0018]圖6是本實(shí)用新型在仿真軟件中達(dá)到最聞稱合頻率的曲線不意圖；
[0019]圖1至圖6中的附圖標(biāo)記說明:
[0020]1-第一I禹合線；11-第一I禹合部；12-第一輸出腳；13-第一輸入腳；14-第一輸出端；15_第一分離桿；
[0021]2-第二耦合線；21_第二耦合部；22_第二輸出腳；23_第二輸入腳；24_第二輸出端；25_第二分離桿；
[0022]3-安裝孔；3a_絕緣支柱；
[0023]4-殼體。

【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，并不是把本實(shí)用新型的實(shí)施范圍局限于此。
[0025]如圖1至圖6所示，本實(shí)施例所述的一種3dB電橋，包括有第一耦合線I和第二耦合線2，所述第一耦合線I包括圓環(huán)形的第一耦合部11、從第一耦合部11 一側(cè)斜向上延伸出的第一輸出腳12、從第一耦合部11另一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳13 ;所述第一輸出腳12的自由端設(shè)第一輸出端14,第一輸入腳13的自由端設(shè)第一輸入端；所述第二I禹合線2包括圓環(huán)形的第二耦合部21、從第二耦合部21 —側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳22、從第二率禹合部21另一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳23 ;所述第二輸出腳22的自由端設(shè)第二輸出端24，第一輸入腳13的自由端設(shè)第二輸入端；所述第一耦合線I和第二耦合線2平行且重疊設(shè)置，第一稱合部11與第二稱合部21重之間距離為;所述第一稱合部11與第二耦合部21的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔3，所述第一耦合部11的安裝孔3與第二耦合部21的對(duì)應(yīng)的安裝孔3之間設(shè)有絕緣支柱3a，所述第一耦合部11與第二耦合部21之間通過絕緣支柱3a固定。通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部11和第二耦合部21，可使得環(huán)形耦合效果大大增強(qiáng)，其通過仿真軟件測(cè)算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實(shí)用性大大的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不易算壞，使用壽命長(zhǎng)。
[0026]進(jìn)一步的，利用本實(shí)施例所述的3dB電橋制作的與之對(duì)應(yīng)的同頻合路器，包括有殼體4及上述所述3dB電橋；上述的3dB電橋固定于殼體4內(nèi)形成同頻合路器。
[0027]進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種3dB電橋，所述第一耦合線I和第二耦合線2形狀相同并對(duì)稱設(shè)置；如此設(shè)置，將第一耦合線I和第二耦合線2在同一模具中制作出來(lái)，節(jié)省了模具的成本，降低了原材料的成本，提高了生產(chǎn)效率，降低了事故率。
[0028]進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種3dB電橋，所述第一耦合部11和第二耦合部21的內(nèi)環(huán)直徑均為25_ ;通過計(jì)算機(jī)軟件仿真測(cè)算，當(dāng)?shù)谝获詈喜?1和第二耦合部21的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm時(shí)，其頻率寬帶最優(yōu)，效果最好。
[0029]進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種3dB電橋，每個(gè)絕緣支柱3a上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個(gè)絕緣柱體的兩道卡槽距離相等；如此設(shè)置，可精準(zhǔn)的控制第一耦合部11和第二耦合部21之間的距離，防止距離的變化產(chǎn)生效果的失真。
[0030]進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種3dB電橋，第一耦合部11與第二耦合部21重之間距離為5mm。通過計(jì)算機(jī)軟件仿真測(cè)算，當(dāng)一耦合部與第二耦合部21重之間距離為5mm時(shí)，其頻率寬帶最優(yōu)，效果最好。
[0031]進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種3dB電橋，第一耦合部11的內(nèi)環(huán)向下延伸出有一方形的第一分離桿15,所述第一分離桿15的橫向?qū)挾葹?mm,豎直高度為3_ ;通過設(shè)置的第一分離桿15，可使得電橋的隔離度大大增加，通過計(jì)算機(jī)軟件仿真，可知，如此設(shè)置可達(dá)到25db的隔離度。
[0032]進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種3dB電橋，第二耦合部21的內(nèi)環(huán)向下延伸出有一方形的第二分離桿25,所述第二分離桿25的橫向?qū)挾葹?mm,豎直高度為3mm。同上,通過設(shè)置的第二分離桿25，可使得電橋的隔離度大大增加，通過計(jì)算機(jī)軟件仿真，可知，如此設(shè)置可達(dá)到25db的隔離度。
[0033]以上所述僅是本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例，故凡依本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本實(shí)用新型專利申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種3dB電橋,包括有第一稱合線(I)和第二稱合線(2), 其特征在于:所述第一耦合線(I)包括圓環(huán)形的第一耦合部(11)、從第一耦合部(11)一側(cè)斜向上延伸出的第一輸出腳(12)、從第一耦合部(11)另一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳(13);所述第一輸出腳(12)的自由端設(shè)第一輸出端(14),第一輸入腳(13)的自由端設(shè)第一輸入端； 所述第二耦合線(2)包括圓環(huán)形的第二耦合部(21)、從第二耦合部(21)—側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳(22)、從第二耦合部(21)另一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳(23);所述第二輸出腳(22)的自由端設(shè)第二輸出端(24),第一輸入腳(13)的自由端設(shè)第二輸入端； 所述第一耦合線(I)和第二耦合線(2 )平行且重疊設(shè)置，第一耦合部(11)與第二耦合部(21)重之間距離為4mm-8_ ； 所述第一耦合部(11)與第二耦合部(21)的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔(3 )，所述第一耦合部(11)的安裝孔(3)與第二耦合部(21)的對(duì)應(yīng)的安裝孔(3)之間設(shè)有絕緣支柱(3a)，所述第一耦合部(11)與第二耦合部(21)之間通過絕緣支柱(3a)固定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3dB電橋，其特征在于:所述第一耦合線(I)和第二耦合線(2)形狀相同并對(duì)稱設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種3dB電橋，其特征在于:所述第一耦合部(11)和第二耦合部(21)的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3dB電橋，其特征在于:每個(gè)絕緣支柱(3a)上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個(gè)絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3dB電橋，其特征在于:第一耦合部(11)與第二耦合部(21)重之間距離為5_。
【文檔編號(hào)】H01P5/16GK203932276SQ201420166236
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月8日
【發(fā)明者】吳俊偉 申請(qǐng)人:吳俊偉