一種瞬態(tài)電壓抑制器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種瞬態(tài)電壓抑制器，包括上下兩層放電極片和設(shè)置在所述兩層放電極片之間的多個(gè)單晶硅層，所述放電極片包括本體、第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部設(shè)置在所述本體的下端，所述第二凸起部設(shè)置在所述第一凸起部的下端，所述單晶硅層與所述本體相匹配，所述放電極片的長(zhǎng)度為15.2～15.8mm，所述放電極片的寬度為9.2～9.8mm，所述放電極片的厚度為0.3～0.5mm，所述上下兩層放電極片外表面之間的距離為2.2～2.8mm。本實(shí)用新型的有益效果在于，提供一種可承受大電流沖擊、響應(yīng)時(shí)間快、電壓箝位低以及保護(hù)效果好的瞬態(tài)電壓抑制器。
【專利說明】一種瞬態(tài)電壓抑制器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種瞬態(tài)電壓抑制器。

【背景技術(shù)】
[0002] 瞬態(tài)二極管（Transient Voltage Suppressor)也稱瞬態(tài)抑制保護(hù)器，簡(jiǎn)稱TVS,是 一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它 能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪 涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各 種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應(yīng)時(shí)間快、瞬態(tài)功率較大、漏電流低、擊穿電壓偏差、箝位 電壓較易控制、體積小等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電 子鎮(zhèn)流器、家用電器、儀器儀表、各類型接口協(xié)議的通訊線路、共模/差模保護(hù)、電機(jī)電磁波 干擾抑制、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個(gè)領(lǐng)域。
[0003] 目前常規(guī)應(yīng)用實(shí)例均是使用在抑制和釋放各類型的干擾和諧波，過電壓和靜電干 擾等能量，是電磁兼容和浪涌保護(hù)領(lǐng)域不可缺少的重要元器件。瞬態(tài)抑制二極管是基于穩(wěn) 壓管和二極管的特性制造而生。配合多個(gè)碟式氧化鋅壓敏電阻（簡(jiǎn)稱MOV)，作為各類型過 電壓、過電流（也稱浪涌電壓和浪涌電流，亦稱浪涌能量）和突波吸收主要手段。一般由 MOV作為第一級(jí)和首次吸收釋放浪涌能量的主要元件，在對(duì)地釋放浪涌能量同時(shí)，會(huì)有一部 分浪涌能量傳導(dǎo)至后以及電路，以及首次釋放浪涌能量后，會(huì)產(chǎn)生對(duì)地殘余電壓，這就需要 TVS作為第二級(jí)和再一次吸收和釋放浪涌能量，直到將傳入被保護(hù)設(shè)備及線路上的浪涌能 量，不致?lián)p壞設(shè)備及線路。在上述保護(hù)動(dòng)作過程中，TVS起到至關(guān)重要的作用，不僅釋放殘余 能量，同時(shí)，具有電壓箝位的功能，可以很好的起到保護(hù)設(shè)備的目的。但是由于其二極管特 性、結(jié)構(gòu)和制造工藝的影響，TVS本身的可承受浪涌電流和電壓水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)很小于壓敏電阻， 而且，箝位效果優(yōu)良所以作為第二級(jí)保護(hù)器件使用。這樣帶來一個(gè)很棘手的問題，就是在較 大的浪涌能量傳到至保護(hù)電流時(shí)，由于第一級(jí)的壓敏電阻性能差異和動(dòng)作時(shí)間差壓，對(duì)后 面第二級(jí)的TVS有較大動(dòng)作壓力，很可能會(huì)擊穿或超過TVS極限導(dǎo)通電流而損壞產(chǎn)品。同 比各類型，各電壓級(jí)別的TVS對(duì)短時(shí)（10ms)耐受電流沖擊僅為〈100A，而一般20kA雷電浪 涌沖擊壓敏電阻產(chǎn)生的殘壓大約為4kV-2kV，其支路浪涌殘余電流也約為其放電電流峰值 的10-15%，即為2-3kA。所以，一般TVS在這一浪涌電流下是無法承受的。這也是目前眾 多的浪涌保護(hù)產(chǎn)品和電磁兼容設(shè)計(jì)中面臨的瓶頸：保護(hù)電流大，電壓箝位區(qū)間大和電流抑 制作用??；電壓箝位精準(zhǔn)和電流抑制作用大，而保護(hù)電流能力則變小，僅為10kA以下。所 以，設(shè)計(jì)開發(fā)一種新型的，具有大通流能力的TVS，在發(fā)揮原有電壓箝位的同時(shí)，可以大幅提 高其電流釋放能力，對(duì)于整體提高保護(hù)電路的浪涌能量承受能力，具有重要意義。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型的主要目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的缺 陷，本實(shí)用新型提供一種可承受大電流沖擊、響應(yīng)時(shí)間快、電壓箝位低以及保護(hù)效果好的瞬 態(tài)電壓抑制器。
[0005] 本實(shí)用新型提供了一種瞬態(tài)電壓抑制器，包括上下兩層放電極片和設(shè)置在所述兩 層放電極片之間的多個(gè)單晶硅層，所述放電極片包括本體、第一凸起部和第二凸起部，所述 第一凸起部設(shè)置在所述本體的下端，所述第二凸起部設(shè)置在所述第一凸起部的下端，所述 單晶硅層與所述本體相匹配，所述放電極片的長(zhǎng)度為15. 2?15. 8_，所述放電極片的寬度 為9. 2?9. 8_，所述放電極片的厚度為0. 3?0. 5_，所述上下兩層放電極片外表面之間 的距離為2. 2?2. 8mm。
[0006] 可選的，所述本體的長(zhǎng)度為9. 4?9. 6mm，寬度為9. 2?9. 8mm。
[0007] 可選的，所述第一凸起部的下邊緣距離所述本體的上端邊緣的距離為11. 7? 12. 1mm，所述第一凸起部的寬度為4. 4?5. 4mm。
[0008] 可選的，所述第二凸起部的下邊緣距離所述本體的上端邊緣的距離為15. 2? 15. 8mm，所述第二凸起部的寬度為1. 55?1. 65mm。
[0009] 可選的，所述多個(gè)單晶硅層為6個(gè)單晶硅層。
[0010] 本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例瞬態(tài)電壓抑制器的主視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例瞬態(tài)電壓抑制器的左視結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013] 下面將參照附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0014] 如圖1和圖2所示：本實(shí)用新型實(shí)施例的一種瞬態(tài)電壓抑制器，包括上下兩層放電 極片1和設(shè)置在所述兩層放電極片1之間的多個(gè)單晶硅層2,所述放電極片1包括本體11、 第一凸起部12和第二凸起部13,所述第一凸起部12設(shè)置在所述本體11的下端，所述第二 凸起部13設(shè)置在所述第一凸起部12的下端，所述單晶硅層2與所述本體1相匹配，所述放 電極片1的長(zhǎng)度為15. 2?15. 8mm，所述放電極片1的寬度為9. 2?9. 8mm，所述放電極片1 的厚度為〇. 3?0. 5mm，所述上下兩層放電極片1外表面之間的距離為2. 2?2. 8mm，所述 兩層放電極片1與多個(gè)單晶硅層2進(jìn)行封裝，提高了該瞬態(tài)電壓抑制器的電壓隔離效果，并 且在通過大電流時(shí)電壓箝位區(qū)間大。
[0015] 作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述本體的長(zhǎng)度為9. 4?9. 6mm，寬度為9. 2? 9. 8mm〇
[0016] 作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述第一凸起部的下邊緣距離所述本體的上端 邊緣的距離為11. 7?12. 1mm,所述第一凸起部的寬度為4. 4?5. 4mm。
[0017] 作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述第二凸起部的下邊緣距離所述本體的上端 邊緣的距離為15. 2?15. 8mm，所述第二凸起部的寬度為1. 55?1. 65mm。
[0018] 作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述多個(gè)單晶硅層為6個(gè)單晶硅層。
[0019] 最后應(yīng)說明的是：以上所述的各實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非 對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或全部 技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型 各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：包括上下兩層放電極片和設(shè)置在所述兩層放電 極片之間的多個(gè)單晶硅層，所述放電極片包括本體、第一凸起部和第二凸起部，所述第一 凸起部設(shè)置在所述本體的下端，所述第二凸起部設(shè)置在所述第一凸起部的下端，所述單晶 硅層與所述本體相匹配，所述放電極片的長(zhǎng)度為15. 2?15. 8mm，所述放電極片的寬度為 9. 2?9. 8mm，所述放電極片的厚度為0. 3?0. 5mm，所述上下兩層放電極片外表面之間的距 離為2. 2?2. 8mm。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述本體的長(zhǎng)度為9. 4? 9. 6mm,寬度為 9. 2 ?9. 8mm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述第一凸起部的下邊緣距 離所述本體的上端邊緣的距離為11. 7?12. 1mm,所述第一凸起部的寬度為4. 4?5. 4mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述第二凸起部的下邊緣 距離所述本體的上端邊緣的距離為15. 2?15. 8mm，所述第二凸起部的寬度為1.55? 1. 65mm〇
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述多個(gè)單晶硅層為6個(gè)單晶 娃層。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK203883013SQ201420184986
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年4月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月16日
【發(fā)明者】劉騰業(yè), 楊杰 申請(qǐng)人:深圳市深波電子有限公司