頂部發(fā)光oled顯示器薄膜密封結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及OLED顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種頂部發(fā)光OLED顯示器薄膜密封結(jié)構(gòu)，其特征在于OLED顯示器密封結(jié)構(gòu)，覆蓋于頂部發(fā)光OLED顯示器半透明陰極上，其特征在于由多層膜結(jié)構(gòu)組成，從下往上依次為C60薄膜、金屬氧化物薄膜和高分子薄膜。本實(shí)用新型的OLED顯示器薄膜密封結(jié)構(gòu)具有膜層均勻、致密，與有器件制備工藝高度兼容等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足OLED顯示器制備和生產(chǎn)需要。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及0LED顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種頂部發(fā)光0LED顯示器薄膜密 封結(jié)構(gòu)。 頂部發(fā)光OLED顯示器薄膜密封結(jié)構(gòu)

【背景技術(shù)】
[0002] 頂部發(fā)光0LED顯示器包括在半透明陰極上形成的多個(gè)功能疊層，來自陰極的電 子與來自陽極的空穴分別通過各自的傳導(dǎo)層在有機(jī)發(fā)光層進(jìn)行復(fù)合從而發(fā)輻射發(fā)光，工業(yè) 上進(jìn)行密封的目的是有效隔絕水氧等雜質(zhì)對(duì)這些功能疊層造成破壞。
[0003] 0LED顯示器的密封結(jié)構(gòu)決定了顯示器的顯示功能和壽命。制作0LED器件發(fā)光層 的多數(shù)有機(jī)物對(duì)于大氣中的氧氣、水氣以及其他污染物都十分敏感：氧氣以及發(fā)光層氧化 后形成的羰基化合物是有效的淬滅劑，會(huì)顯著降低0LED器件的發(fā)光量子效率，甚至導(dǎo)致顯 示器喪失發(fā)光功能；水汽使有機(jī)層發(fā)生水解并且影響導(dǎo)電性能，從而導(dǎo)致穩(wěn)定性大大降低。
[0004] 采用原子層沉積（ALD)技術(shù)密封0LED顯示器的方法，需要在薄膜制備工藝中需要 引入〇 3等氧化劑，為了防止頂部發(fā)光0LED器件半透明電極被氧化，在0LED顯示器引入ALD 反應(yīng)腔室之前，需要對(duì)器件實(shí)現(xiàn)預(yù)密封以有效阻隔氧化劑對(duì)半透明金屬陰極和有機(jī)層造成 不可逆的破壞。盡管采用ΙΤ0或部分小分子有機(jī)材料（Alq 3、NBP、CuPc等)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)0LED 顯示器預(yù)密封，但由于ΙΤ0的制備方法與有機(jī)發(fā)光薄膜材料的制備方法不兼容，會(huì)影響器 件使用壽命。另外，ΙΤ0薄膜掩膜板表面還容易形成顆粒，會(huì)極大地影響產(chǎn)品率的提高。同 樣，采用小分子有機(jī)材料（Alq 3、NBP、CuPc等）對(duì)0LED顯示器預(yù)密封進(jìn)行預(yù)密封，存在膜層 致密性差，膨脹系數(shù)大等不足，易于導(dǎo)致0LED顯示器出現(xiàn)"爆膜"，影響器件良品率的提高。
[0005] 頂部發(fā)光0LED顯示器，其密封材料除了能夠有效阻隔水氧的功能外，還應(yīng)考慮該 密封材料在可見光范圍內(nèi)需要有高和寬的透過率、高的介電常數(shù)或折射率值，密封結(jié)構(gòu)能 有效提高頂部發(fā)光0LED器件的顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了解決現(xiàn)有0LED器件薄膜密封存在的問題和不足，本實(shí)用新型提出一種新的 適用于頂部發(fā)光0LED顯不器的密封結(jié)構(gòu)。
[0007] 本實(shí)用新型的頂部發(fā)光0LED顯示器密封結(jié)構(gòu)，覆蓋于頂部發(fā)光0LED顯示器半透 明陰極上，其特征在于由多層膜結(jié)構(gòu)組成，從下往上依次為C 6(l薄膜、金屬氧化物薄膜和高 分子薄膜。
[0008] 內(nèi)層薄膜采用c6(l薄膜，具有較小的膨脹系數(shù)，可以與半透明陰極和金屬氧化物薄 膜實(shí)現(xiàn)良好兼容和匹配，能最大限度地抑制器件"爆膜"現(xiàn)象的產(chǎn)生，此外c 6(l薄膜在可見光 波段范圍內(nèi)具有高的透過率。
[0009] 采用C6(l對(duì)頂部發(fā)光0LED微型顯示器陰極進(jìn)行預(yù)密封，完全阻隔了后續(xù)原子層 (ALD)鍍膜工藝引入的氧化劑（0 3)對(duì)Mg : Ag半透明陰極的破壞作用；以ALD方式制備金 屬氧化物薄膜，針對(duì)有機(jī)功能層的密封，隔絕對(duì)其傷害較大的水氧雜質(zhì)；高分子有機(jī)膜具備 低氣體滲透性，具有屏障作用。
[0010] 作為優(yōu)選，在三層薄膜結(jié)構(gòu)外周期性交替排列金屬氧化物薄膜和高分子薄膜。
[0011] 采用了金屬氧化物薄膜和高分子薄膜采用2-3周期交替排列的薄膜密封方法，旨 在避免密封薄膜應(yīng)力過度集中，導(dǎo)致顯示器出現(xiàn)"爆膜"現(xiàn)象。
[0012] 作為優(yōu)選，所述的金屬氧化物薄膜為Zr02。
[0013] 作為優(yōu)選，所述的高分子薄膜為派瑞林（Parylene)。
[0014] 本實(shí)用新型的頂部發(fā)光0LED顯示器薄膜密封結(jié)構(gòu)適用于硅基0LED微型顯示器。
[0015] 本實(shí)用新型的頂部發(fā)光0LED顯示器薄膜密封結(jié)構(gòu)具有膜層均勻、致密，與有器件 制備工藝高度兼容等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足0LED顯示器制備和生產(chǎn)需要。
[0016] 說明書附圖
[0017] 圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018] 其中，半透明陰極1，C6(l薄膜2,金屬氧化物薄膜3,高分子薄膜4。

【具體實(shí)施方式】
[0019] 實(shí)施例1 :本實(shí)用新型的頂部發(fā)光0LED顯示器密封結(jié)構(gòu)，覆蓋于0LED顯示器半透 明陰極1上，其特征在于由多層膜結(jié)構(gòu)組成，從半透明陰極1往上依次為c 6(l薄膜2、金屬氧 化物薄膜3和高分子薄膜4 ;其后金屬氧化物薄膜3和高分子薄膜42個(gè)周期交替排列；所 述的金屬氧化物薄膜3采用具有高介電常數(shù)材料Zr02制備，高分子薄膜4采用派瑞林材料 制備。
【權(quán)利要求】
1. 頂部發(fā)光OLED顯示器密封結(jié)構(gòu)，覆蓋于頂部發(fā)光OLED顯示器半透明陰極（1)上，其 特征在于由多層膜結(jié)構(gòu)組成，從下往上依次為C 6(l薄膜（2)、金屬氧化物薄膜（3)和高分子薄 膜⑷。
2. 如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光OLED顯示器密封結(jié)構(gòu)，其特征在于三層薄膜結(jié)構(gòu)外周 期性交替排列金屬氧化物薄膜（3)和高分子薄膜（4)。
3. 如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光OLED顯示器密封結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的金屬氧化物 薄膜（3)為高介電常數(shù)材料。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK203910805SQ201420285365
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】王光華, 李牧詞, 段瑜, 張?bào)愕? 季華夏 申請(qǐng)人:云南北方奧雷德光電科技股份有限公司