一種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶led元件的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件，包括基板和至少兩個發(fā)光LED芯片，所述至少兩個發(fā)光LED芯片固定在基板上，所述基板上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔，在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體，所述各發(fā)光LED芯片的正極分別通過正極導(dǎo)線與其中至少一個導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接，各發(fā)光LED芯片的負(fù)極分別通過負(fù)極導(dǎo)線與剩余的導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接。本實用新型提供一種厚度極薄、且散熱效果好的超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件。
【專利說明】 —種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件，尤其涉及一種小型側(cè)發(fā)光型多晶LED元件。

【背景技術(shù)】
[0002]目前現(xiàn)行市面上的小型側(cè)發(fā)光型LED指示燈有兩大類:
[0003](I)支架類:主要以PPA樹脂+銅支架為基板，主要尺寸有020 (3.8*1.05*0.6mm)、010(3.8*1.0*0.4mm) ,215(2.8*1.0*0.9mm) ,335(3.8*0.6*1.2mm),其尺寸相對較大，而且支架類側(cè)射型LED無法制作雙晶/三晶機種，無法滿足超薄超小型指示類雙色/三色LED燈；
[0004](2) PCB類:主要是以BT樹脂為基板，主要尺寸有0603 (1.6*1.1*0.6mm)、0805 (2.0*1.1*0.6mm)、1204 (3.0*1.5*1.0mm)，在雙晶/三晶LED制作上一般尺寸也是選擇0805/1204，無法小型化。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種厚度極薄、且散熱效果好的超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件。
[0006]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件，包括基板和至少兩個發(fā)光LED芯片，所述至少兩個發(fā)光LED芯片固定在基板上，所述基板上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔，在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體，所述各發(fā)光LED芯片的正極分別通過正極導(dǎo)線與其中至少一個導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接，各發(fā)光LED芯片的負(fù)極分別通過負(fù)極導(dǎo)線與剩余的導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接。
[0007]所述導(dǎo)電體為銅柱或?qū)щ娔z。
[0008]所述基板的下底面上覆蓋有第一金屬導(dǎo)電層，該金屬導(dǎo)電層分為相互不連接的正極區(qū)域和負(fù)極區(qū)域，所述負(fù)極區(qū)域覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線連接的導(dǎo)電體下方，并與該導(dǎo)電體接觸，所述正極區(qū)域覆蓋在與正極導(dǎo)線連接的導(dǎo)電體下方，并與該導(dǎo)電體接觸。
[0009]所述基板的上底面上覆蓋有第二金屬導(dǎo)電層，該金屬導(dǎo)電層分為相互不連接的正極區(qū)域和負(fù)極區(qū)域，所述負(fù)極區(qū)域連續(xù)覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線連接的導(dǎo)電體上方，并與該導(dǎo)電體接觸，所述正極區(qū)域連續(xù)覆蓋在與正極導(dǎo)線連接的導(dǎo)電體上方，并與其他該導(dǎo)電體接觸，所述至少兩個發(fā)光LED芯片固連在第二金屬導(dǎo)電層上，所述各正極導(dǎo)線與正極區(qū)域電連接，所述各負(fù)極導(dǎo)線與負(fù)極區(qū)域電連接。
[0010]所述第一和第二金屬導(dǎo)電層是鍍金層或鍍銀層或銅箔層。
[0011 ] 所述基板為PCB基板。
[0012]所述發(fā)光LED芯片設(shè)置有兩個或三個。
[0013]一種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件的制備工藝，步驟如下:
[0014]a、準(zhǔn)備原材料:在PCB基板上鉆導(dǎo)通孔并采用塞銅工藝將PCB基板上下底面導(dǎo)通，形成塞孔銅柱；
[0015]b、固晶:將發(fā)光LED芯片通過固晶膠貼附在PCB基板上；
[0016]C、烘烤:通過烘烤將發(fā)光LED芯片固定在PCB基板上；
[0017]d、焊線:將發(fā)光LED芯片電極通過金線導(dǎo)通在PCB基板上；
[0018]e、壓模:使用封裝膠通過模具壓模成型在PCB基板上；
[0019]f、烘烤:通過烘烤將封裝膠固化；
[0020]g、切割:將廣品切割成設(shè)計尺寸。
[0021]有益效果:
[0022](一)使用PCB基板上加鉆導(dǎo)通孔，再通過塞銅設(shè)計做為正負(fù)極引線，可達(dá)到節(jié)省空間，縮小產(chǎn)品尺寸的效果。
[0023](二)本產(chǎn)品為銅柱導(dǎo)體設(shè)計，與市面上支架類側(cè)射型LED(熱組約為80?180° /W)和PCB類側(cè)射型LED(熱組約為200?500° /W)相比，本產(chǎn)品熱組低于25° /W，達(dá)到極好的散熱效果，同時在使用此產(chǎn)品時，也能適用于中高功率的操作(30mA?600mA)。
[0024](三)產(chǎn)品極小化極薄化的設(shè)計，通過PCB線路設(shè)計將正負(fù)極分布在PCB基板的底部，避免了傳統(tǒng)正負(fù)極導(dǎo)線使用導(dǎo)通孔在兩端引出需要0.6_的厚度限制，使雙晶LED產(chǎn)品厚度控制在0.3mm±0.1mm，相比常規(guī)0805雙晶縮小了 80% ;三晶LED產(chǎn)品厚度控制在0.4±0.1mm。
[0025](四)本側(cè)射型機種在客戶端使用時，朝左或朝右發(fā)光時不需重新?lián)Q機種，可以直接將產(chǎn)品在包裝時換向，產(chǎn)品焊盤設(shè)計上能達(dá)到共用性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0027]圖1是本實用新型的優(yōu)選實施例一的主視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2是本實用新型的優(yōu)選實施例二的主視結(jié)構(gòu)示意圖(由于該視圖上畫了導(dǎo)線太混亂，故省略導(dǎo)線)；
[0029]圖3是圖2的俯視結(jié)構(gòu)示意圖(帶導(dǎo)線)；
[0030]圖4是本實用新型朝左發(fā)光時與散熱基板的連接示意圖；
[0031]圖5是本實用新型朝右發(fā)光時與散熱基板的連接示意圖。

【具體實施方式】
[0032]如圖1?5所不的一種超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件,包括基板I和至少兩個發(fā)光LED芯片2。所述至少兩個發(fā)光LED芯片2固定在基板I上。所述基板I上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔，在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體3，優(yōu)選實施方式:所述導(dǎo)電體3為銅柱或?qū)щ娔z。所述各發(fā)光LED芯片2的正極分別通過正極導(dǎo)線4與其中一個導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體3電連接，各發(fā)光LED芯片2的負(fù)極分別通過負(fù)極導(dǎo)線5與剩余的導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體3電連接。
[0033]所述基板I的下底面上覆蓋有第一金屬導(dǎo)電層6，該金屬導(dǎo)電層6分為相互不連接的正極區(qū)域61和負(fù)極區(qū)域62，所述負(fù)極區(qū)域62覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線5連接的導(dǎo)電體3下方，并與該導(dǎo)電體3接觸，所述正極區(qū)域61覆蓋在與正極導(dǎo)線4連接的導(dǎo)電體3下方，并與該導(dǎo)電體3接觸。
[0034]為了降低焊接難度，同時固定導(dǎo)電體3，所述基板I的上底面上覆蓋有第二金屬導(dǎo)電層7，該金屬導(dǎo)電層7分為相互不連接的正極區(qū)域71和負(fù)極區(qū)域72，所述負(fù)極區(qū)域72覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線5連接的導(dǎo)電體3上方，并與該導(dǎo)電體3接觸，所述正極區(qū)域71覆蓋在與正極導(dǎo)線4連接的導(dǎo)電體3上方，并與該導(dǎo)電體3接觸，所述至少兩個發(fā)光LED芯片2固連在第二金屬導(dǎo)電層7上，所述各正極導(dǎo)線4與正極區(qū)域71電連接，所述各負(fù)極導(dǎo)線5與負(fù)極區(qū)域72電連接。
[0035]所述第一和第二金屬導(dǎo)電層6、7是鍍金層或鍍銀層或銅箔層，優(yōu)選銅箔層。所述基板I為PCB基板。
[0036]優(yōu)選實施例一:如圖1所示發(fā)光LED芯片2設(shè)置有兩個，該兩發(fā)光LED芯片2的正極導(dǎo)線4均與處于中間位置的正極區(qū)域71焊接，兩根負(fù)極導(dǎo)線5分別與兩側(cè)的兩個相互獨立的負(fù)極區(qū)域72焊接。超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光雙晶LED兀件呈矩形:其長為1.6±0.2臟，寬為0.6±0.2臟，厚度d為0.3±0.I臟。優(yōu)選:長1.6臟，寬0.6臟，厚0.3臟。
[0037]優(yōu)選實施例二:如圖2、3所示發(fā)光LED芯片2設(shè)置有三個，該三個發(fā)光LED芯片2的正極導(dǎo)線4均與處于中間位置的正極區(qū)域71焊接，三根負(fù)極導(dǎo)線5分別與兩側(cè)的三個相互獨立的負(fù)極區(qū)域72焊接。超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光二晶LED兀件呈矩形:其長為1.6±0.2臟，寬為0.6±0.2臟，厚度d為0.4±0.I臟。優(yōu)選:長1.6臟，寬0.6臟，厚0.4mm。
[0038]一種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件的制備工藝，步驟如下:
[0039]a、準(zhǔn)備原材料:在PCB基板I上鉆導(dǎo)通孔并采用塞銅工藝將PCB基板I上下底面導(dǎo)通，形成塞孔銅柱3;
[0040]b、固晶:將發(fā)光LED芯片2通過固晶膠貼附在PCB基板I上；
[0041]C、烘烤:通過烘烤將發(fā)光LED芯片2固定在PCB基板I上；
[0042]d、焊線:將發(fā)光LED芯片2電極通過金線導(dǎo)通在PCB基板I上；
[0043]e、壓模:使用封裝膠通過模具壓模成型在PCB基板I上；
[0044]f、烘烤:通過烘烤將封裝膠固化；
[0045]g、切割:將產(chǎn)品切割成設(shè)計尺寸。
[0046]步驟e中的封裝膠可以采用Epoxy或Silicone。
[0047]應(yīng)當(dāng)理解，以上所描述的具體實施例僅用于解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。由本實用新型的精神所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型的保護范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件，包括基板(I)和至少兩個發(fā)光LED芯片(2)，所述至少兩個發(fā)光LED芯片(2)固定在基板(I)上，其特征在于:所述基板(I)上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔，在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體(3)，所述各發(fā)光LED芯片(2)的正極分別通過正極導(dǎo)線(4)與其中至少一個導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體(3)電連接，各發(fā)光LED芯片⑵的負(fù)極分別通過負(fù)極導(dǎo)線(5)與剩余的導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體(3)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件，其特征在于:所述導(dǎo)電體(3)為銅柱或?qū)щ娔z。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件，其特征在于:所述基板(I)的下底面上覆蓋有第一金屬導(dǎo)電層出)，該金屬導(dǎo)電層(6)分為相互不連接的正極區(qū)域(61)和負(fù)極區(qū)域(62)，所述負(fù)極區(qū)域(62)覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(5)連接的導(dǎo)電體(3)下方，并與該導(dǎo)電體(3)接觸，所述正極區(qū)域(61)覆蓋在與正極導(dǎo)線(4)連接的導(dǎo)電體⑶下方，并與該導(dǎo)電體⑶接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件，其特征在于:所述基板(I)的上底面上覆蓋有第二金屬導(dǎo)電層(7)，該金屬導(dǎo)電層(7)分為相互不連接的正極區(qū)域(71)和負(fù)極區(qū)域(72)，所述負(fù)極區(qū)域(72)覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(5)連接的導(dǎo)電體(3)上方，并與該導(dǎo)電體(3)接觸，所述正極區(qū)域(71)覆蓋在與正極導(dǎo)線(4)連接的導(dǎo)電體(3)上方，并與該導(dǎo)電體(3)接觸，所述至少兩個發(fā)光LED芯片(2)固連在第二金屬導(dǎo)電層(7)上，所述各正極導(dǎo)線(4)與正極區(qū)域(71)電連接，所述各負(fù)極導(dǎo)線(5)與負(fù)極區(qū)域(72)電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的一種超小超薄高光效側(cè)射型高亮白光多晶LED元件，其特征在于:所述第一和第二金屬導(dǎo)電層(6、7)是鍍金層或鍍銀層或銅箔層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件，其特征在于:所述基板(I)為PCB基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超小超薄聞光效側(cè)射型聞売白光多晶LED兀件，其特征在于:所述發(fā)光LED芯片(2)設(shè)置有兩個或三個。
【文檔編號】H01L33/62GK204155931SQ201420345722
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】蔡志嘉, 竇鑫 申請人:常州歐密格光電科技有限公司