一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱，通過提供一種在陶瓷柱孔鑲嵌陶瓷柱底座并采用多個結(jié)構(gòu)相同，但高度不同的陶瓷柱，來實現(xiàn)各支撐點處的高度一致的技術(shù)問題。具體結(jié)構(gòu)是在加熱盤凸臺表面的陶瓷柱孔內(nèi)鑲嵌中心帶孔的陶瓷圓柱座，組成新型加熱盤，同時每個底座內(nèi)放置不同高度的陶瓷柱，彌補陶瓷襯套深度不同導(dǎo)致的陶瓷柱的支撐高度不同的問題，來達到露在加熱盤上表面外的陶瓷柱高度一致，避免加熱盤氟化處理前后或升溫前后，陶瓷柱高度發(fā)生變化，而造成工藝結(jié)果不穩(wěn)定性的問題。
【專利說明】—種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種晶圓陶瓷柱，確切地說是一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱。屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，尤其是12英寸半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備中，因鋁制加熱盤具有熱效率高、成本低等優(yōu)勢，故鋁制加熱盤在當前的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備中仍擔當主角。在工藝過程中加熱盤表面需要均布相同高度的支撐體來支撐晶圓(Wafer)，使晶圓保持水平，保證晶圓表面沉積膜厚度的均勻及工藝穩(wěn)定性。但現(xiàn)有的加熱盤藍寶石球是直接放置在加熱盤寶石球孔里面，加熱盤氟化處理前后或升溫前后，寶石球高度會發(fā)生變化，而使得晶圓表面沉積膜的厚度不夠均勻，因此，存在著工藝穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型是以解決上述問題為目的，主要解決現(xiàn)有技術(shù)存在的陶瓷柱孔處陶瓷柱高度不等而影響工藝穩(wěn)定性的問題。通過提供一種在陶瓷柱孔鑲嵌陶瓷柱底座并采用多個結(jié)構(gòu)相同，但高度不同的陶瓷柱，來實現(xiàn)各支撐點處的高度一致的技術(shù)問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用下述技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱，在加熱盤凸臺表面的陶瓷柱孔內(nèi)鑲嵌中心帶孔的陶瓷圓柱座，組成新型加熱盤，同時每個底座內(nèi)放置不同高度的陶瓷柱，彌補陶瓷襯套深度不同導(dǎo)致的陶瓷柱的支撐高度不同的問題，來達到露在加熱盤上表面外的陶瓷柱高度一致，避免加熱盤氟化處理前后或升溫前后，陶瓷柱高度發(fā)生變化，而造成工藝結(jié)果不穩(wěn)定性的問題。
[0005]其具體結(jié)構(gòu)是:在加熱盤(I)凸臺表面(11)的不同圓周上均布一定數(shù)量的銷孔
(2)，加熱盤(I)上的銷孔(2)內(nèi)鑲嵌中心帶孔的陶瓷圓柱座(3)，陶瓷圓柱座(3)的下底面
(9)與加熱盤⑴的銷孔(2)底面(10)配合。陶瓷圓柱座(3)的上表面(5)與加熱盤(I)凸臺表面(10)平齊。陶瓷柱(4)的上頂端部分為半球結(jié)構(gòu)，頂端面(6)為球面結(jié)構(gòu)；陶瓷柱(4)的下部分為圓柱結(jié)構(gòu)，保持有一定的直線度。
[0006]不同高度的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備用陶瓷柱的使用方法，該方法在實際應(yīng)用中根據(jù)各支撐點處陶瓷柱的實際高度來調(diào)換相應(yīng)高度的陶瓷柱，使各支撐點處陶瓷柱的高度一致，根據(jù)實際使用情況，該陶瓷柱的高度按照其基準值，上、下各設(shè)幾個高度值，高度差值設(shè)定為
0.01,0.02mm等，根據(jù)實際需要，一般上、下各設(shè)定2個高度差，即總計5個高度的陶瓷柱就能滿足設(shè)備的使用要求。采用陶瓷材質(zhì)，陶瓷柱的上頂端部分為半球結(jié)構(gòu)，頂端面為球面結(jié)構(gòu)，利于在與晶圓接觸時為相切狀態(tài)，減少接觸面積。陶瓷柱的下部分為圓柱結(jié)構(gòu)，保持有一定的直線度。中心帶孔的陶瓷柱底座底面為平面結(jié)構(gòu)，陶瓷柱的下端面也為平面結(jié)構(gòu)，以保證在與襯套接觸時為平面，保持水平。在使用時，根據(jù)各支撐點處陶瓷柱的實際高度來調(diào)換相應(yīng)高度的陶瓷柱，為解決寶石球高度容易發(fā)生變化，晶圓表面沉積膜的厚度均勻性的問題，改變現(xiàn)有的加熱盤寶石球，采用不同高度的陶瓷柱，來改善在工藝過程中晶圓在沉積膜的均勻性問題。
[0007]本實用新型的有益效果及特點:可以在原有純鋁制加熱盤的基礎(chǔ)上進行改進，采用簡單可靠的鑲嵌式結(jié)構(gòu)，使得加熱盤的加工、安裝均很方便，整個過程操作簡單、快捷。并在實現(xiàn)其基本功能需求的前提下，即:在能完全實現(xiàn)原有加熱盤對晶圓的承載、加熱功能夕卜，還可以避免加熱盤氟化處理前后或升溫前后，陶瓷柱高度發(fā)生變化，從而很好的保證了工藝結(jié)果的有效性、穩(wěn)定性，確保設(shè)備的正常產(chǎn)能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2是圖1的A-A剖視圖。
[0010]圖3是圖2中B的局部放大視圖

【具體實施方式】
[0011]實施例
[0012]參照圖1一圖3，一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱，根據(jù)實際需要在加熱盤I凸臺表面11在不同圓周上均布一定數(shù)量的銷孔2，加熱盤I上的銷孔2內(nèi)鑲嵌中心帶孔的陶瓷圓柱座3，陶瓷圓柱座3的下底面9與加熱盤I的銷孔2底面10配合。陶瓷圓柱座3的上表面5與加熱盤I凸臺表面10平齊。陶瓷柱4的上頂端部分為半球結(jié)構(gòu)，頂端面6為球面結(jié)構(gòu)，陶瓷柱3的下部分為圓柱結(jié)構(gòu)，保持有一定的直線度。
[0013]使用時，將陶瓷柱4放置在陶瓷圓柱座3內(nèi)，其底面7與陶瓷圓柱座3上底面8配合，其上表面6高出加熱盤I凸臺表面10—定距離。安裝時根據(jù)實際高度要求情況，選擇不同高度的陶瓷柱，來實現(xiàn)陶瓷柱露出加熱盤凸面的高度一致。
[0014]該結(jié)構(gòu)可以更好的避免加熱盤氟化處理前后或升溫前后，陶瓷柱高度發(fā)生變化，從而很好的保證了工藝結(jié)果的均勻性、穩(wěn)定性，確保設(shè)備的正常產(chǎn)能。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱，其特征在于:在加熱盤凸臺表面的陶瓷柱孔內(nèi)鑲嵌中心帶孔的陶瓷圓柱座，組成新型加熱盤，同時每個底座內(nèi)放置不同高度的陶瓷柱。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備采用的晶圓陶瓷柱，其特征在于:在加熱盤凸臺表面不同圓周上均布銷孔，加熱盤凸臺上的銷孔內(nèi)鑲嵌中心帶孔的陶瓷圓柱座，陶瓷圓柱座的下底面與加熱盤的銷孔底面配合，陶瓷圓柱座的上表面與加熱盤凸臺表面平齊，陶瓷柱的上頂端部分為半球結(jié)構(gòu)，頂端面為球面結(jié)構(gòu)，陶瓷柱的下部分為圓柱結(jié)構(gòu)，保持有一定的直線度。
【文檔編號】H01L21/67GK203983243SQ201420357522
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】吳鳳麗, 朱超群, 陳英男, 馬壯 申請人:沈陽拓荊科技有限公司