超薄超小正發(fā)光雙色led元件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,包括基板和兩個(gè)發(fā)光LED芯片,該兩個(gè)發(fā)光LED芯片固定在基板上,所述基板上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔,在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體,所述兩發(fā)光LED芯片的正極分別通過(guò)正極導(dǎo)線(xiàn)與兩個(gè)導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接,兩發(fā)光LED芯片的負(fù)極分別通過(guò)負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)與剩余的兩導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接。本實(shí)用新型提供一種厚度極薄、且散熱效果好的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】超薄超小正發(fā)光雙色LED元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種超薄超小正發(fā)光雙色LED元件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場(chǎng)上現(xiàn)行市面上小型正發(fā)光雙色LED指示燈有兩大類(lèi):
[0003]一、支架類(lèi):主要以PPA樹(shù)脂+銅支架為基板,主要尺寸有3528 (3.5*2.8*1.9mm),其尺寸相對(duì)較大,無(wú)法滿(mǎn)足超薄超小型指示類(lèi)雙色LED燈的需求。
[0004]二、PCB類(lèi):主要是以BT樹(shù)脂為基板,主要尺寸有0603 (1.6*1.5*0.4mm, 1.6*0.8*0.3mm) ,0805 (2.0*1.25*1.lmm)、1206 (3.2*1.25*1.lmm),在雙色 LED 制作上一般尺寸也是選擇0805/0603,無(wú)法滿(mǎn)足小型化的需求。
[0005]在消費(fèi)性電子產(chǎn)品領(lǐng)域,目前市面上使用的大都為0603和0805正發(fā)光型雙色LED指示燈;在數(shù)碼管消費(fèi)領(lǐng)域,如“冰箱、空調(diào)、電視”等家電設(shè)施,數(shù)碼管指示燈使用的都是單色LED燈產(chǎn)品,如采用現(xiàn)有的技術(shù)制作雙色LED燈,其體積必定要增大,無(wú)法適用數(shù)碼管產(chǎn)品,所以還未出現(xiàn)使用雙色指示燈的數(shù)碼管產(chǎn)品。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種厚度極薄、且散熱效果好的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件。
[0007]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,包括基板和兩個(gè)發(fā)光LED芯片,該兩個(gè)發(fā)光LED芯片固定在基板上,所述基板上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔,在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體,所述兩發(fā)光LED芯片的正極分別通過(guò)正極導(dǎo)線(xiàn)與兩個(gè)導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接,兩發(fā)光LED芯片的負(fù)極分別通過(guò)負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)與剩余的兩導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接。
[0008]所述導(dǎo)電體為銅柱或?qū)щ娔z。
[0009]所述基板的下底面上覆蓋有第一金屬導(dǎo)電層,該金屬導(dǎo)電層分為相互不連接的正極區(qū)域和負(fù)極區(qū)域,所述負(fù)極區(qū)域覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)連接的導(dǎo)電體下方,并與該導(dǎo)電體接觸,所述正極區(qū)域覆蓋在與正極導(dǎo)線(xiàn)連接的導(dǎo)電體下方,并與該導(dǎo)電體接觸。
[0010]所述基板的上底面上覆蓋有第二金屬導(dǎo)電層,該金屬導(dǎo)電層分為相互不連接的正極區(qū)域和負(fù)極區(qū)域,所述負(fù)極區(qū)域覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)連接的導(dǎo)電體上方,并與該導(dǎo)電體接觸,所述正極區(qū)域覆蓋在與正極導(dǎo)線(xiàn)連接的導(dǎo)電體上方,并與該導(dǎo)電體接觸,所述兩個(gè)發(fā)光LED芯片固連在第二金屬導(dǎo)電層上,所述各正極導(dǎo)線(xiàn)與正極區(qū)域電連接,所述各負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)與負(fù)極區(qū)域電連接。
[0011]所述正極區(qū)域與正極區(qū)域之間,負(fù)極區(qū)域與負(fù)極區(qū)域之間,以及正極區(qū)域與負(fù)極區(qū)域之間的間距b均為0.075±0.05_。
[0012]所述第一和第二金屬導(dǎo)電層是鍍金層或鍍銀層或銅箔層。
[0013]所述基板為PCB基板。
[0014]所述各發(fā)光LED芯片的長(zhǎng)為1.0±0.1mm,寬為0.5 ±0.1mm,厚D為0.38 ±0.1mm。
[0015]有益效果:
[0016](一)使用PCB基板上加鉆導(dǎo)通孔,再通過(guò)塞銅設(shè)計(jì)做為正負(fù)極引線(xiàn),可達(dá)到節(jié)省空間,縮小產(chǎn)品尺寸的效果。
[0017](二)本產(chǎn)品為銅柱導(dǎo)體設(shè)計(jì),與市面上支架類(lèi)側(cè)射型LED(熱組約為80?180° /W)和PCB類(lèi)側(cè)射型LED(熱組約為200?500° /W)相比,本產(chǎn)品熱組低于25° /W,達(dá)到極好的散熱效果,同時(shí)在使用此產(chǎn)品時(shí),也能適用于中高功率的操作(30mA?600mA)。
[0018](三)產(chǎn)品極小化極薄化的設(shè)計(jì),通過(guò)PCB線(xiàn)路設(shè)計(jì)將正負(fù)極分布在PCB基板的底部,避免了傳統(tǒng)正負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)使用導(dǎo)通孔在兩端引出需要0.6mm的厚度限制,使雙晶LED產(chǎn)品厚度控制在0.38mm±0.1mm,相比常規(guī)的市面上最小的0603雙色LED產(chǎn)品面積縮小了60%。
[0019](四)填補(bǔ)了目前數(shù)碼管消費(fèi)領(lǐng)域雙色指示燈的空白。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0020]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0021]圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]圖2是圖1的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]如圖1、2所示的一種超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,包括PCB基板I和兩個(gè)發(fā)光LED芯片2,該兩個(gè)發(fā)光LED芯片2固定在基板I上,且該兩發(fā)光LED芯片2發(fā)光顏色不同。所述基板I上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔,在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體3,所述兩發(fā)光LED芯片2的正極分別通過(guò)正極導(dǎo)線(xiàn)4與兩個(gè)導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體3電連接,兩發(fā)光LED芯片2的負(fù)極分別通過(guò)負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)5與剩余的兩導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體3電連接。所述導(dǎo)電體3為銅柱或?qū)щ娔z。
[0024]所述基板I的下底面上覆蓋有第一金屬導(dǎo)電層6,該金屬導(dǎo)電層6分為相互不連接的正極區(qū)域61和負(fù)極區(qū)域62,所述負(fù)極區(qū)域62覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)5連接的導(dǎo)電體3下方,并與該導(dǎo)電體3接觸,所述正極區(qū)域61覆蓋在與正極導(dǎo)線(xiàn)4連接的導(dǎo)電體3下方,并與該導(dǎo)電體3接觸。
[0025]所述基板I的上底面上覆蓋有第二金屬導(dǎo)電層7,該金屬導(dǎo)電層7分為相互不連接的正極區(qū)域71和負(fù)極區(qū)域72,所述負(fù)極區(qū)域72覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)5連接的導(dǎo)電體3上方,并與該導(dǎo)電體3接觸,所述正極區(qū)域71覆蓋在與正極導(dǎo)線(xiàn)4連接的導(dǎo)電體3上方,并與該導(dǎo)電體3接觸,所述兩個(gè)發(fā)光LED芯片2固連在第二金屬導(dǎo)電層7上,所述各正極導(dǎo)線(xiàn)4與正極區(qū)域71電連接,所述各負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)5與負(fù)極區(qū)域72電連接。
[0026]所述第一和第二金屬導(dǎo)電層6、7是鍍金層或鍍銀層或銅箔層。
[0027]所述正極區(qū)域71與正極區(qū)域71之間,負(fù)極區(qū)域72與負(fù)極區(qū)域72之間,以及正極區(qū)域71與負(fù)極區(qū)域72之間的間距b均為0.075±0.05mm。
[0028]所述各發(fā)光LED芯片2的長(zhǎng)為1.0±0.1_,寬為0.5±0.1_,厚D為0.38±0.Imm,優(yōu)選長(zhǎng)為1.0mm,寬為0.5mm,厚D為0.38_。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解,以上所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。由本實(shí)用新型的精神所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,包括基板(I)和兩個(gè)發(fā)光LED芯片(2),該兩個(gè)發(fā)光LED芯片(2)固定在基板(I)上,其特征在于:所述基板(I)上設(shè)置有若干穿透其上下底面的導(dǎo)通孔,在該導(dǎo)通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體(3),所述兩發(fā)光LED芯片(2)的正極分別通過(guò)正極導(dǎo)線(xiàn)(4)與兩個(gè)導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體(3)電連接,兩發(fā)光LED芯片(2)的負(fù)極分別通過(guò)負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)(5)與剩余的兩導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電體(3)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述導(dǎo)電體(3)為銅柱或?qū)щ娔z。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述基板(I)的下底面上覆蓋有第一金屬導(dǎo)電層¢),該金屬導(dǎo)電層(6)分為相互不連接的正極區(qū)域(61)和負(fù)極區(qū)域(62),所述負(fù)極區(qū)域(62)覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)(5)連接的導(dǎo)電體(3)下方,并與該導(dǎo)電體(3)接觸,所述正極區(qū)域(61)覆蓋在與正極導(dǎo)線(xiàn)(4)連接的導(dǎo)電體(3)下方,并與該導(dǎo)電體⑶接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述基板(I)的上底面上覆蓋有第二金屬導(dǎo)電層(7),該金屬導(dǎo)電層(7)分為相互不連接的正極區(qū)域(71)和負(fù)極區(qū)域(72),所述負(fù)極區(qū)域(72)覆蓋在與負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)(5)連接的導(dǎo)電體(3)上方,并與該導(dǎo)電體(3)接觸,所述正極區(qū)域(71)覆蓋在與正極導(dǎo)線(xiàn)(4)連接的導(dǎo)電體(3)上方,并與該導(dǎo)電體(3)接觸,所述兩個(gè)發(fā)光LED芯片(2)固連在第二金屬導(dǎo)電層(7)上,所述各正極導(dǎo)線(xiàn)(4)與正極區(qū)域(71)電連接,所述各負(fù)極導(dǎo)線(xiàn)(5)與負(fù)極區(qū)域(72)電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述正極區(qū)域(71)與正極區(qū)域(71)之間,負(fù)極區(qū)域(72)與負(fù)極區(qū)域(72)之間,以及正極區(qū)域(71)與負(fù)極區(qū)域(72)之間的間距(b)均為0.075±0.05mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述第一金屬導(dǎo)電層(6)是鍍金層或鍍銀層或銅箔層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述第二金屬導(dǎo)電層(7)是鍍金層或鍍銀層或銅箔層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述基板(I)為PCB基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄超小正發(fā)光雙色LED元件,其特征在于:所述各發(fā)光LED芯片(2)的長(zhǎng)為1.0±0.I臟,寬為0.5±0.I臟,厚(D)為0.38±0.I臟。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK204088364SQ201420413584
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】盛梅, 蔡志嘉, 李文亮 申請(qǐng)人:常州歐密格光電科技有限公司