一種高互調(diào)防水3dB電橋的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種高互調(diào)防水3dB電橋，包括腔體和所述腔體兩側(cè)的端口，所述腔體包括腔體內(nèi)設(shè)置的耦合傳輸棒、腔體上方的內(nèi)蓋板和內(nèi)蓋板上方的外蓋板，所述耦合傳輸棒為上下兩層交叉疊加，兩層之間為鐵氟龍支撐架，所述腔體邊緣設(shè)置有防水凹槽，并配有防水墊圈，所述防水凹槽與內(nèi)蓋板相一致。本實(shí)用新型高互調(diào)防水3dB電橋，采用CNC精密機(jī)加方式，保證產(chǎn)品傳輸表面的光潔度和粗糙度，使得實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的低插損、高互調(diào)的性能；選用高性能的DIN接頭作為器件的輸入輸出接頭，DIN接頭的功率容量可以達(dá)到500W以上，互調(diào)可以達(dá)到-160dBc以下，保證產(chǎn)品整體性能達(dá)到高功率、高互調(diào)的要求；腔體邊緣設(shè)置有防水凹槽，并配有防水墊圈，防水等級為IP65。
【專利說明】—種高互調(diào)防水3dB電橋

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電橋【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是涉及一種高互調(diào)防水3dB電橋。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著通信技術(shù)的不斷進(jìn)步與發(fā)展，中國的移動通信也經(jīng)歷了從2G到3G，再到4G的發(fā)展歷程。在這個過程中，每一次新的制式的商用，都需要保持對原有制式的支持。發(fā)展到今天，一個完整的通信系統(tǒng)，同時包含了 2G、3G和4G，進(jìn)而在室分系統(tǒng)中，因各制式的疊加，對傳載通道的功率、互調(diào)等電性能的要求，也在不斷的被提高。
[0003]3dB電橋是一宗四端口微波無源器件，3dB電橋廣泛應(yīng)用于無線分布系統(tǒng)中對信號的合成或者把一個信號分成兩個沒有相互干擾的信號。
[0004]目前市場主流3dB電橋支持的頻段為800?2500MHz，而4G通信系統(tǒng)的LTED頻段已高達(dá)2690MHz，進(jìn)而必須提高產(chǎn)品的傳輸帶寬。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種高互調(diào)、高功率的防水3dB電橋。
[0006]一種高互調(diào)防水3dB電橋，包括腔體和所述腔體兩側(cè)的端口，所述腔體包括腔體內(nèi)設(shè)置的耦合傳輸棒、腔體上方的內(nèi)蓋板和內(nèi)蓋板上方的外蓋板，所述耦合傳輸棒為上下兩層交叉疊加，兩層之間為鐵氟龍支撐架，所述腔體邊緣設(shè)置有防水凹槽，并配有防水墊圈，所述防水凹槽與內(nèi)蓋板相一致。
[0007]優(yōu)選地，所述稱合傳輸棒包括三節(jié)傳輸導(dǎo)體，傳輸導(dǎo)體每節(jié)長40mm,寬6mm,高0.8mmο
[0008]優(yōu)選地，所述傳輸導(dǎo)體最后一節(jié)側(cè)邊設(shè)置有匹配塊。
[0009]優(yōu)選地，所述端口選用DIN接頭。
[0010]優(yōu)選地，所述端口分為輸入和輸出端口，分設(shè)于腔體兩側(cè)。
[0011]優(yōu)選地，所述腔體防水等級為IP65。
[0012]本實(shí)用新型高互調(diào)防水3dB電橋，采用CNC精密機(jī)加方式，保證產(chǎn)品傳輸表面的光潔度和粗糙度，使得實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的低插損、高互調(diào)的性能；選用高性能的DIN接頭作為器件的輸入輸出接頭，DIN接頭的功率容量可以達(dá)到500W以上，互調(diào)可以達(dá)到-160dBc以下，保證產(chǎn)品整體性能達(dá)到高功率、高互調(diào)的要求；腔體邊緣設(shè)置有防水凹槽，并配有防水墊圈，防水等級為IP65。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型一種高互調(diào)防水3dB電橋爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中標(biāo)號說明如下:1-腔體，2-端口，3-1禹合傳輸棒,4-防水凹槽,5-內(nèi)蓋板，6-外蓋板。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。
[0016]圖1為本實(shí)用新型一種高互調(diào)防水3dB電橋爆炸結(jié)構(gòu)示意圖，包括腔體I和所述腔體兩側(cè)的端口 2。
[0017]腔體I包括腔體I內(nèi)設(shè)置的耦合傳輸棒3、腔體I上方的內(nèi)蓋板5和內(nèi)蓋板5上方的外蓋板6,腔體I邊緣設(shè)置有防水凹槽4,并配有防水墊圈，防水凹槽4與內(nèi)蓋板5相一致；耦合傳輸棒3為上下兩層交叉疊加，兩層之間為鐵氟龍支撐架，所述，所述耦合傳輸棒3包括三節(jié)傳輸導(dǎo)體，傳輸導(dǎo)體每節(jié)長40mm,寬6mm,高0.8mm,傳輸導(dǎo)體最后一節(jié)側(cè)邊設(shè)置有匹配塊。
[0018]端口 2選用DIN接頭，端口 2分為輸入和輸出端口，分設(shè)于腔體I兩側(cè)。
[0019]采用上下兩層耦合棒交叉疊加的方式，兩層之間采用鐵氟龍支撐架的方式，保證批量生產(chǎn)工藝的一致性和性能的穩(wěn)定性；傳輸導(dǎo)體采用0.8mm厚的銅棒，3節(jié)設(shè)計，每節(jié)40mm長,根據(jù)阻抗變換和射頻傳輸特性,每節(jié)寬度6_左右，并在傳輸棒的最后一節(jié)側(cè)邊增加匹配塊，實(shí)現(xiàn)整體的阻抗匹配。
[0020]根據(jù)電磁場電磁波傳輸?shù)内吥w效應(yīng)特性，腔體、蓋板材質(zhì)選用高導(dǎo)電率的鋁合金，表面采取鍍銀工藝，鍍銀層厚度達(dá)到6微米，保證射頻性能在器件的內(nèi)表面高效傳輸。
[0021]采用CNC精密機(jī)加方式，可以保證產(chǎn)品性能傳輸表面的光潔度和粗糙度，使得實(shí)現(xiàn)廣品的低插損、聞互調(diào)的性能。
[0022]選用高性能的DIN接頭作為器件的輸入輸出接頭，DIN接頭的功率容量可以達(dá)到500W以上，互調(diào)可以達(dá)到-160dBc以下，可以保證產(chǎn)品整體性能達(dá)到設(shè)計要求。
[0023]在防水設(shè)計方面，選用的接頭具有防水功能，在接頭的法蘭加凹槽，并使用防水墊圈密封。腔體整體防水設(shè)計采用內(nèi)、外兩塊蓋板的方式:內(nèi)蓋板實(shí)現(xiàn)功能，外蓋板與腔體通過防水墊圈的方式實(shí)現(xiàn)防水，防水等級可達(dá)到IP65。
[0024]上面所述的實(shí)施例僅僅是對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對本實(shí)用新型的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本實(shí)用新型設(shè)計精神的前提下，本領(lǐng)域普通工程技術(shù)人員對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高互調(diào)防水3dB電橋，其特征在于:包括腔體和所述腔體兩側(cè)的端口，所述腔體包括腔體內(nèi)設(shè)置的耦合傳輸棒、腔體上方的內(nèi)蓋板和內(nèi)蓋板上方的外蓋板，所述耦合傳輸棒為上下兩層交叉疊加，兩層之間為鐵氟龍支撐架，所述腔體邊緣設(shè)置有防水凹槽，并配有防水墊圈，所述防水凹槽與內(nèi)蓋板相一致。
2.如權(quán)利要求1所述的高互調(diào)防水3dB電橋，其特征在于，所述耦合傳輸棒包括三節(jié)傳輸導(dǎo)體，傳輸導(dǎo)體每節(jié)長40mm,寬6mm,高0.8mm。
3.如權(quán)利要求2所述的高互調(diào)防水3dB電橋，其特征在于，所述傳輸導(dǎo)體最后一節(jié)側(cè)邊設(shè)置有匹配塊。
4.如權(quán)利要求1所述的高互調(diào)防水3dB電橋，其特征在于，所述端口選用DIN接頭。
5.如權(quán)利要求4所述的高互調(diào)防水3dB電橋，其特征在于，所述端口分為輸入和輸出端口，分設(shè)于腔體兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求1所述的高互調(diào)防水3dB電橋，其特征在于，所述腔體防水等級為IP65。
【文檔編號】H01P5/12GK204103018SQ201420429387
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月1日
【發(fā)明者】馬玉國 申請人:上海鑫眾通信技術(shù)有限公司