一種適應(yīng)于超大電流的igbt用吸收電容器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其包括有電容芯子，以及分別設(shè)置在電容芯子兩端的電極；所述電容芯子包含由左端面、右端面，以及在左端面與右端面之間延伸的側(cè)端面，其中，電容芯子的左端面與右端面均在豎直方向上進行延伸，左端面與右端面的面積大于電容芯子側(cè)端面在豎直方向上的投影面積；所述電極分別設(shè)置在電容芯子中的左端面與右端面之上；所述電極所在側(cè)端面上設(shè)置有噴金層；采用上述技術(shù)方案的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其通過改進電容芯子的結(jié)構(gòu)，以及其與電極的連接方式，使得電容的等效串聯(lián)電阻得以減小，從而使得電容的交流有效值電流增大，進而使得電容的電流承載能力得以顯著提高。
【專利說明】—種適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種電子器件，尤其是一種適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器。

【背景技術(shù)】
[0002]IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種由雙極型三極管與絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半功率半導(dǎo)體器件，其驅(qū)動電流較大，開關(guān)速度迅速，故而適用于直流電壓為600V以上的變流系統(tǒng)，其廣泛運用于交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域，由于對于電動汽車、機車牽引、功率變頻等新興領(lǐng)域，IGBT是必不可少的器件之一。IGBT在關(guān)斷時，會產(chǎn)生尖峰電壓，尖峰電壓會通過母線損壞IGBT ;故而，為確保IGBT的工作壽命，其往往在IGBT中設(shè)置吸收電容器，用以吸收尖峰電壓。但由于IGBT的應(yīng)用場合對功率要求較大，大功率IGBT產(chǎn)生的尖峰電壓，其往往會產(chǎn)生高于普通電容器的電流耐值的超大電流，從而導(dǎo)致吸收電容器，以及IGBT損壞，出現(xiàn)發(fā)熱、開裂生長燃燒等現(xiàn)象。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種IGBT用吸收電容器，其在用于IGBT中吸收電流時，可避免因電流過大導(dǎo)致的發(fā)熱、開裂甚至燃燒等現(xiàn)象。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型涉及一種適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其包括有電容芯子，以及分別設(shè)置在電容芯子兩端的電極；所述電容芯子包含由左端面、右端面，以及在左端面與右端面之間延伸的側(cè)端面，其中，電容芯子的左端面與右端面均在豎直方向上進行延伸，左端面與右端面的面積大于電容芯子側(cè)端面在豎直方向上的投影面積；所述電極分別設(shè)置在電容芯子中的左端面與右端面之上；所述電極所在側(cè)端面上設(shè)置有噴金層。
[0005]作為本實用新型一種改進，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子采用圓柱結(jié)構(gòu)，電容芯子的左端面與右端面為圓柱結(jié)構(gòu)的底端面；所述電容芯子的底面半徑至少與其長度相等；所述電極沿豎直方向進行延伸。采用上述設(shè)計，其通過圓柱結(jié)構(gòu)的電容芯子，使得電容器適于生產(chǎn)與裝配，同時，圓柱結(jié)構(gòu)的電容芯子的底面半徑與長度設(shè)置，其可確保電容芯子的底面面積大于其側(cè)端面在豎直方向上的投影面積，從而通過提高電容芯子的橫截面積，有效減小電容的等效串聯(lián)電阻，進而提聞電容的電流承載能力。
[0006]作為本實用新型一種改進，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子采用長方體結(jié)構(gòu)；所述電容芯子的寬度至少為其長度的1.5倍，電容芯子的寬度為其高度的0.8至1.2倍；所述電極沿電容芯子的高度方向進行延伸。采用上述設(shè)計，其可通過長方體的電容結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得電容芯子中，其左端面與右端面中的寬度與高度可根據(jù)實際需要進行調(diào)節(jié)，從而可使得電容的等效串聯(lián)電阻可根據(jù)技術(shù)需求進行精確的調(diào)整；同時電容芯子的尺寸結(jié)構(gòu)，可確保電容芯子的左端面、右端面的面積大于其余端面面積，進而通過提1?電容芯子的橫截面積，有效減小電容的等效串聯(lián)電阻，提聞電容的電流承載能力。
[0007]作為本實用新型的一種改進，所述電極在電容芯子的左端面，以及右端面上的投影長度至少為，電容芯子的左端面與右端面在電極延伸方向上的長度的4/5。采用上述設(shè)計，其可使得電極與電容之間的接觸面積有所增強，從而提高電極與電容之間的端面電流過載能力。
[0008]作為本實用新型的一種改進，所述電容芯子的長度至多為25毫米，其可通過限定電容芯子的長度，進一步限定電容的等效串聯(lián)電阻，進而確保電容的電流承載能力。
[0009]作為本實用新型的一種改進，所述電容芯子采用聚丙烯膜；所述電容芯子的左端面，以及右端面的噴金層的面積與其端面面積相等，噴金層的鍍膜厚度至少為I毫米。采用上述設(shè)計，其可通過增加噴金層的材料鍍膜厚度，使得其材料方阻有所降低，從而配合電容芯子的結(jié)構(gòu)有效增強電容的電流承載能力。
[0010]作為本實用新型的一種改進，所述電極與電容芯子的連接端部采用叉指結(jié)構(gòu)，其包含有至少3個平行于電極延伸方向的叉指，多個叉指的邊部固定焊接于電容芯子之上。采用上述設(shè)計，其可通過多個叉指邊部與電容芯子之間的焊接，使得電極與電容芯子之間的焊點有所增加，從而使得電極與電容芯子之間的橋接電阻，進行提高電極與電容之間的端面電流過載能力。
[0011]作為本實用新型的一種改進，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子內(nèi)部采用串聯(lián)方向進行連接。
[0012]采用上述技術(shù)方案的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其通過改進電容芯子的結(jié)構(gòu)，以及其與電極的連接方式，使得電容的等效串聯(lián)電阻得以減小，從而使得電容的交流有效值電流增大，進而使得電容的電流承載能力得以顯著提高；上述吸收電容器用于IGBT時，由于其具有優(yōu)良的電流承載能力，故而可避免電容器發(fā)熱開裂等現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型中實施例1示意圖；
[0014]圖2為本實用新型中實施例2示意圖；
[0015]圖3為本實用新型中實施例3中電機與電容芯子連接示意圖；
[0016]附圖標(biāo)記列表:
[0017]I 一電容芯子、2 —電極、3—電容芯子左端面、4 一電容芯子右端面、5—電容芯子側(cè)端面、6—噴金層、7—叉指。

【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】，進一步闡明本實用新型，應(yīng)理解下述【具體實施方式】僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。
[0019]實施例1
[0020]一種適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其包括有電容芯子1，以及分別設(shè)置在電容芯子兩端的電極2 ;所述電容芯子包含由左端面3、右端面4，以及在左端面3與右端面4之間延伸的側(cè)端面5，其中，電容芯子的左端面3與右端面4均在豎直方向上進行延伸，左端面3與右端面4的面積大于電容芯子側(cè)端面5在豎直方向上的投影面積；所述電極2分別設(shè)置在電容芯子中的左端面3與右端面4之上；所述電極2所在側(cè)端面上設(shè)置有噴金層6。
[0021]作為本實用新型一種改進，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子I采用圓柱結(jié)構(gòu)，電容芯子I的左端面3與右端面4為圓柱結(jié)構(gòu)的底端面；所述電容芯子I的底面半徑至少與其長度相等；所述電極2沿豎直方向進行延伸。采用上述設(shè)計，其通過圓柱結(jié)構(gòu)的電容芯子，使得電容器適于生產(chǎn)與裝配，同時，圓柱結(jié)構(gòu)的電容芯子的底面半徑與長度設(shè)置，其可確保電容芯子的底面面積大于其側(cè)端面在豎直方向上的投影面積，從而通過提聞電容芯子的橫截面積，有效減小電容的等效串聯(lián)電阻，進而提聞電容的電流承載能力。
[0022]作為本實用新型的一種改進，所述電極2在電容芯子I的左端面3，以及右端面4上的投影長度為電容芯子I的左端面3與右端面4在電極延伸方向上的長度的4/5。采用上述設(shè)計，其可使得電極與電容之間的接觸面積有所增強，從而提高電極與電容之間的端面電流過載能力。
[0023]作為本實用新型的一種改進，所述電容芯子I的長度為20毫米，其可通過限定電容芯子的長度，進一步限定電容的等效串聯(lián)電阻，進而確保電容的電流承載能力。
[0024]作為本實用新型的一種改進，所述電容芯子I采用聚丙烯膜；所述電容芯子I的左端面，以及右端面的噴金層6的面積與其端面面積相等，噴金層6的鍍膜厚度為I毫米。采用上述設(shè)計，其可通過增加噴金層的材料鍍膜厚度，使得其材料方阻有所降低，從而配合電容芯子的結(jié)構(gòu)有效增強電容的電流承載能力。
[0025]作為本實用新型的一種改進，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子I內(nèi)部采用串聯(lián)方向進行連接。
[0026]采用上述技術(shù)方案的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其通過改進電容芯子的結(jié)構(gòu)，以及其與電極的連接方式，使得電容的等效串聯(lián)電阻得以減小，從而使得電容的交流有效值電流增大，進而使得電容的電流承載能力得以顯著提高；上述吸收電容器用于IGBT時，由于其具有優(yōu)良的電流承載能力，故而可避免電容器發(fā)熱開裂等現(xiàn)象。
[0027]實施例2
[0028]作為本實用新型一種改進，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子I采用長方體結(jié)構(gòu)；所述電容芯子I的寬度為其長度的1.5倍，電容芯子I的寬度為其高度的0.9倍；所述電極2沿電容芯子I的高度方向進行延伸。采用上述設(shè)計，其可通過長方體的電容結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得電容芯子中，其左端面與右端面中的寬度與高度可根據(jù)實際需要進行調(diào)節(jié)，從而可使得電容的等效串聯(lián)電阻可根據(jù)技術(shù)需求進行精確的調(diào)整；同時電容芯子的尺寸結(jié)構(gòu)，可確保電容芯子的左端面、右端面的面積大于其余端面面積，進而通過提高電容芯子的橫截面積，有效減小電容的等效串聯(lián)電阻，提聞電容的電流承載能力。
[0029]本實施例其余特征與優(yōu)點同實施例1相同。
[0030]實施例3
[0031]作為本實用新型的一種改進，所述電極2與電容芯子I的連接端部采用叉指結(jié)構(gòu)，其包含有3個平行于電極2延伸方向的叉指7，多個叉指7的邊部固定焊接于電容芯子之上。采用上述設(shè)計，其可通過多個叉指邊部與電容芯子之間的焊接，使得電極與電容芯子之間的焊點有所增加，從而使得電極與電容芯子之間的橋接電阻，進行提高電極與電容之間的端面電流過載能力。
[0032]本實施例其余特征與優(yōu)點同實施例2相同。
【權(quán)利要求】
1.一種適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其包括有電容芯子，以及分別設(shè)置在電容芯子兩端的電極，其特征在于，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子包含由左端面、右端面，以及在左端面與右端面之間延伸的側(cè)端面，其中，電容芯子的左端面與右端面均在豎直方向上進行延伸，左端面與右端面的面積大于電容芯子側(cè)端面在豎直方向上的投影面積；所述電極分別設(shè)置在電容芯子中的左端面與右端面之上；所述電極所在側(cè)端面上設(shè)置有噴金層。
2.按照權(quán)利要求1所述的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其特征在于，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子采用圓柱結(jié)構(gòu)，電容芯子的左端面與右端面為圓柱結(jié)構(gòu)的底端面；所述電容芯子的底面半徑至少與其長度相等；所述電極沿豎直方向進行延伸。
3.按照權(quán)利要求1所述的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其特征在于，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子采用長方體結(jié)構(gòu)；所述電容芯子的寬度至少為其長度的1.5倍，電容芯子的寬度為其高度的0.8至1.2倍；所述電極沿電容芯子的高度方向進行延伸。
4.按照權(quán)利要求1至3任意一項所述的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其特征在于，所述電容芯子的長度至多為25毫米。
5.按照權(quán)利要求4所述的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其特征在于，所述電極在電容芯子的左端面，以及右端面上的投影長度至少為電容芯子的左端面與右端面在電極延伸方向上的長度的4/5。
6.按照權(quán)利要求5所述的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其特征在于，所述電容芯子采用聚丙烯膜；所述電容芯子的左端面，以及右端面的噴金層的面積與其端面面積相等，噴金層的鍍膜厚度至少為I毫米。
7.按照權(quán)利要求6所述的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其特征在于，所述電極與電容芯子的連接端部采用叉指結(jié)構(gòu)，其包含有至少3個平行于電極延伸方向的叉指，多個叉指的邊部固定焊接于電容芯子之上。
8.按照權(quán)利要求7所述的適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器，其特征在于，所述適應(yīng)于超大電流的IGBT用吸收電容器中，電容芯子內(nèi)部采用串聯(lián)方向進行連接。
【文檔編號】H01G4/005GK204189620SQ201420431870
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月1日
【發(fā)明者】李仲良, 石寶宏, 朱承標(biāo) 申請人:南京天正容光達(dá)電子（集團）有限公司