發(fā)光二極管平板支架、支架單元及發(fā)光二極管器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種發(fā)光二極管平板支架、支架單元及發(fā)光二極管器件，其中發(fā)光二極管平板支架包括金屬基板和半包封所述金屬基板的絕緣體，其特征在于：所述絕緣體包括覆蓋于金屬基板上表面的殼體和填充于金屬基板之間的連接體，所述殼體包括M×N個陣列排布的大通孔和(M+1)×(N+1)個陣列排布的小通孔，其中M,N≥1，所述大通孔被所述小通孔包圍，所述大通孔底部是金屬基板以及填充于金屬基板之間的連接體，構(gòu)成了芯片安放部和電性連接部，所述小通孔底部是金屬基板，構(gòu)成了支架電極。
【專利說明】發(fā)光二極管平板支架、支架單元及發(fā)光二極管器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種發(fā)光二極管平板支架、支架單元及發(fā)光二極管器件。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED)光源具有高效率、長壽命、不含Hg等有害物質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。隨著LED技術(shù)的迅猛發(fā)展，LED的亮度、壽命等性能都得到了極大的提升，使得LED的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，從路燈等室外照明到裝飾燈等室內(nèi)照明，均紛紛使用或更換成LED作為光源。
[0003]目前采用蝕刻成型的EMC (Epoxy Molding Compound)支架,封裝廠封裝后都是采用底部測試的方式，這種測試方式封裝廠需要投入昂貴的測試設(shè)備，而且效率低，所以現(xiàn)在對于蝕刻成型的EMC支架各廠家都在尋找合適可行的側(cè)面測試方法，以便節(jié)省制造成本和初次設(shè)備投入。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)與不足，提供一種可以進(jìn)行側(cè)面測試且使用現(xiàn)有設(shè)備的發(fā)光二極管平板支架、支架單元及發(fā)光二極管器件。
[0005]本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種發(fā)光二極管平板支架，包括金屬基板和半包封所述金屬基板的絕緣體，其特征在于:所述絕緣體包括覆蓋于金屬基板上表面的殼體和填充于金屬基板之間的連接體，所述殼體包括MXN個陣列排布的大通孔和(M+1)X(N+1)個陣列排布的小通孔，其中M1N^ I,所述大通孔被所述小通孔包圍，所述大通孔底部是金屬基板以及填充于金屬基板之間的連接體，構(gòu)成了芯片安放部和電性連接部，所述小通孔底部是金屬基板，構(gòu)成了支架電極。
[0007]優(yōu)選地，所述金屬基板為電性引線框架。
[0008]優(yōu)選地,所述殼體為EMC材料的絕緣體。
[0009]優(yōu)選地，相鄰兩個所述小通孔的中心距離大于大通孔的直徑。
[0010]優(yōu)選地,所述小通孔的直徑為0.2mm到0.8mm之間。
[0011 ] 一種支架單元，包括金屬基板和半包封所述金屬基板的絕緣體，其特征在于:所述金屬基板為電性引線框架；所述絕緣體包括覆蓋于金屬基板上表面的殼體和填充于電性引線框架之間的連接體；所述殼體包括大通孔和小缺口 ；所述大通孔被四個小缺口包圍，所述大通孔底部是電性引線框架以及填充于電性引線框架之間的連接體，構(gòu)成了芯片安放部和電性連接部，所述小缺口底部是金屬基板，在遠(yuǎn)離大通孔的一側(cè)直接與外界相通，構(gòu)成了支架電極；所述小缺口與小通孔有重疊的區(qū)域。
[0012]優(yōu)選地，所述小缺口的形狀是弧形或多邊形。
[0013]優(yōu)選地,所述小缺口的深度為0.3mm到0.5mm之間，所述小缺口的底部是金屬基板，構(gòu)成測試部。
[0014]一種發(fā)光二極管器件，包括所述支架單元、設(shè)置在所述支架單元上的LED芯片以及設(shè)置在所述殼體上的支架電極，以及在所述金屬基板上封裝成型的封裝膠體。
[0015]優(yōu)選地，所述封裝體為環(huán)氧樹脂或硅膠。
[0016]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的一種發(fā)光二極管平板支架、支架單元及發(fā)光二極管器件通過殼體四個小缺口底部金屬作為測試部，從而實(shí)現(xiàn)對支架單元實(shí)現(xiàn)側(cè)面測試，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)制造成本。
[0017]為了能更清晰的理解本實(shí)用新型，以下將結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】闡述本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型的一種發(fā)光二極管平板支架的示意圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型的一種支架單元的示意圖；
[0020]圖3為本實(shí)用新型的一種發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0022]實(shí)施例一
[0023]如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種發(fā)光二極管平板支架10，包括金屬基板I和半包封所述金屬基板I的絕緣體。所述金屬基板I為電性引線框架。所述絕緣體包括覆蓋于金屬基板上表面的殼體2和填充于電性引線框架之間的連接體。所述殼體2包括MXN個陣列排布的大通孔和(M+l) X (N+1)個陣列排布的小通孔，其中M，N彡I。每個大通孔被四個小通孔包圍。所述大通孔底部是電性引線框架以及填充于電性引線框架之間的連接體，構(gòu)成了芯片安放部和電性連接部。所述小通孔底部是金屬基板1，構(gòu)成了支架電極3。相鄰兩個所述小通孔在中心的距離大于大通孔的直徑。所述小通孔的直徑為0.2mm到0.8mm之間。本實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管平板支架，可以通過切割工藝，形成至少一個MXN，其中M，N > I個支架單元。
[0024]其中，所述金屬基板I可由金屬銅、或金屬鋁、或銅合金、或鋁合金等導(dǎo)電金屬材料制成。
[0025]其中，所述殼體2為EMC (epoxy molding compound)材料的絕緣體,本實(shí)施例中，所述EMC為白色，不限于本實(shí)施例。
[0026]實(shí)施例二
[0027]本實(shí)用新型還提供一種支架單元20，其由所述實(shí)施例一的一種發(fā)光二極管平板支架切割而成。如圖2所示，所述支架單元20包括金屬基板I和半包封所述金屬基板的絕緣體，所述金屬基板I為電性引線框架。所述絕緣體包括覆蓋于金屬基板I上表面的殼體2和填充于電性引線框架之間的連接體。所述殼體2包括大通孔和小缺口，所述大通孔被四個小缺口包圍。所述大通孔底部是電性引線框架以及填充于電性引線框架之間的連接體，構(gòu)成了芯片安放部和電性連接部。所述小缺口底部是金屬基板I，在遠(yuǎn)離大通孔的一側(cè)直接與外界相通，構(gòu)成了支架電極3。所述小缺口的形狀是弧形或多邊形，本實(shí)例優(yōu)選弧形，不限于本實(shí)施例。所述小缺口與小通孔有重疊的區(qū)域。所述支架電極是金屬基板I的上表面露于露于殼體2之外形成的，即支架電極3是裸露于殼體之外。
[0028]所述四個小缺口深度為0.3mm到0.5 mm之間,所述小缺口底部是金屬基板,構(gòu)成測試部，所述設(shè)置在殼體2四個小缺口上的至少兩個電極用來電連接LED芯片。本實(shí)施例提供的一種支架單元結(jié)構(gòu)，通過殼體四個小缺口底部金屬作為測試部，從而實(shí)現(xiàn)對支架單元實(shí)現(xiàn)側(cè)面測試，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)制造成本。
[0029]實(shí)施例三
[0030]如圖3所示，本實(shí)施例還提供一種發(fā)光二極管器件30，其由所述實(shí)施例二的一種支架單元制造而成，包括支架單元20、設(shè)置在該支架單元20上的LED芯片4、設(shè)置于所述殼體上的支架電極，以及在金屬基板上封裝成型的封裝膠體5，在其他實(shí)施例中，LED芯片為倒裝芯片，即可以省去導(dǎo)線。
[0031 ] 其中，所述LED芯片4為紫外光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片或紅光芯片中的一種，優(yōu)選為氮化鎵基藍(lán)光芯片。
[0032]其中，封裝膠體5為環(huán)氧樹脂或硅膠，本實(shí)施例中優(yōu)選為環(huán)氧樹脂，但不限于本實(shí)用新型實(shí)施例。
[0033]本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施方式，如果對本實(shí)用新型的各種改動或變形不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，倘若這些改動和變形屬于本實(shí)用新型的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變形。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管平板支架，包括金屬基板和半包封所述金屬基板的絕緣體，其特征在于:所述絕緣體包括覆蓋于金屬基板上表面的殼體和填充于金屬基板之間的連接體，所述殼體包括MXN個陣列排布的大通孔和(M+1)X(N+1)個陣列排布的小通孔，其中M1N^ 1，所述大通孔被所述小通孔包圍，所述大通孔底部是金屬基板以及填充于金屬基板之間的連接體，構(gòu)成了芯片安放部和電性連接部，所述小通孔底部是金屬基板，構(gòu)成了支架電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管平板支架，其特征在于:所述金屬基板為電性引線框架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管平板支架，其特征在于:所述殼體為EMC材料的絕緣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管平板支架，其特征在于:相鄰兩個所述小通孔的中心距離大于大通孔的直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管平板支架，其特征在于:所述小通孔的直徑為0.2mm到0.8mm之間。
6.一種支架單元，其由權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管平板支架切割而成，包括金屬基板和半包封所述金屬基板的絕緣體，其特征在于:所述金屬基板為電性引線框架；所述絕緣體包括覆蓋于金屬基板上表面的殼體和填充于電性引線框架之間的連接體；所述殼體包括大通孔和小缺口 ；所述大通孔被四個小缺口包圍，所述大通孔底部是電性引線框架以及填充于電性引線框架之間的連接體，構(gòu)成了芯片安放部和電性連接部，所述小缺口底部是金屬基板，在遠(yuǎn)離大通孔的一側(cè)直接與外界相通，構(gòu)成了支架電極；所述小缺口與小通孔有重疊的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種支架單元，其特征在于:所述小缺口的形狀是弧形或多邊形。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種支架單元，其特征在于:所述小缺口的深度為0.3mm到0.5mm之間,所述小缺口的底部是金屬基板,構(gòu)成測試部。
9.一種發(fā)光二極管器件，其由權(quán)利要求6至8任一所述的一種支架單元制造而成，包括所述支架單元、設(shè)置在所述支架單元上的LED芯片以及設(shè)置在所述殼體上的支架電極，以及在所述金屬基板上封裝成型的封裝膠體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述封裝膠體為環(huán)氧樹脂或硅膠。
【文檔編號】H01L33/48GK204179103SQ201420437909
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月6日
【發(fā)明者】劉發(fā)波, 潘利兵, 李正凱, 吳銘超, 李軍政, 張家鵬, 岑錦升 申請人:佛山市國星光電股份有限公司