一種新型絕緣環(huán)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種新型絕緣環(huán)，包括絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II，所述絕緣環(huán)I上端設有錐面，絕緣環(huán)I下端面設有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)II上端面設有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結合。本實用新型絕緣環(huán)上端設有錐度面，不易殘留碳渣；兩環(huán)結合處采用凹凸面結合，碳氣氛不易浸蝕到界面里面，降低了碳化率，保證了絕緣性能。
【專利說明】一種新型絕緣環(huán)

【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種新型絕緣環(huán)。

【背景技術】
[0002]國內很多高溫真空燒結爐采用的絕緣環(huán)為不燒無錐度無凹凸面結合的絕緣環(huán)，這種絕緣環(huán)的最大缺陷就是絕緣環(huán)易被碳化，從而不絕緣造成電極打火，無法進一步升溫并且測量的溫度不準確，也造成了產品生燒或過燒。
實用新型內容
[0003]針對上述缺陷，本實用新型的目的在于提供一種結構簡單，不易被碳化，絕緣性能好的一種新型絕緣環(huán)。
[0004]為此本實用新型所采用的技術方案是:
[0005]包括絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II，所述絕緣環(huán)I上端設有錐面，絕緣環(huán)I下端面設有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)II上端面設有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結合。
[0006]所述絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II采用熱等靜壓工藝制造而成。
[0007]本實用新型的優(yōu)點是:
[0008]本實用新型采用熱等靜壓工藝制造，致密度高，不易被碳化，保證了絕緣性能；絕緣環(huán)上端設有錐度面，不易殘留碳渣；兩環(huán)結合處采用凹凸面結合，碳氣氛不易浸蝕到界面里面，降低了碳化率，保證了絕緣性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型的結構示意圖。
[0010]圖中I是絕緣環(huán)1、2是絕緣環(huán)11、3是錐面。

【具體實施方式】
[0011]一種新型絕緣環(huán)，包括絕緣環(huán)Il和絕緣環(huán)112，所述絕緣環(huán)Il上端設有錐面3，絕緣環(huán)Il下端面設有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)112上端面設有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結合。
[0012]本實用新型所述的絕緣環(huán)Il和絕緣環(huán)112采用熱等靜壓工藝制造而成。
【權利要求】
1.一種新型絕緣環(huán)，其特征在于，包括絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II，所述絕緣環(huán)I上端設有錐面，絕緣環(huán)I下端面設有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)II上端面設有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結入口 O
2.根據(jù)權利要求1所述的一種新型絕緣環(huán)，其特征在于，所述絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II采用熱等靜壓工藝制造而成。
【文檔編號】H01B17/60GK204010861SQ201420452743
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月12日 優(yōu)先權日:2014年8月12日
【發(fā)明者】曹劍武, 徐正平, 徐乃安, 龍成勇 申請人:揚州三山工業(yè)陶瓷有限公司