晶圓承載裝置制造方法
【專利摘要】一種晶圓承載裝置，設置于一晶圓蝕刻設備，該晶圓蝕刻設備包含一腔室及一位于該腔室的升降軸，該晶圓承載裝置包含一絕緣盤、一金屬盤及一絕緣環(huán)。該絕緣盤設置于該升降軸上；該金屬盤設置于該絕緣盤上供承載一晶圓，且該金屬盤具有一承載該晶圓的中央部分及一自該中央部分朝外延伸而超出該晶圓的周緣；該絕緣環(huán)設置于該金屬盤上，而覆蓋該周緣并具有一朝下延伸而突出該金屬盤的端緣。其中，該絕緣盤至少遮蔽該中央部分的一中央底面而與該端緣之間具有一小于1公分的間距。據(jù)此，本實用新型防止該金屬盤下方受到一等離子體的打擊，延長其使用壽命。
【專利說明】晶圓承載裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體工藝設備，尤其涉及一種用以承載晶圓(圓片)的晶圓承載裝置。

【背景技術】
[0002]在半導體工藝中，時常需要通過一蝕刻工藝，于一晶圓表面上進行加工以形成一圖案化結構，其中，干式蝕刻是目前最常用的蝕刻方法，其以氬氣作為主要的蝕刻媒介，并藉由等離子體能量來驅(qū)動反應。
[0003]現(xiàn)有供該晶圓進行該蝕刻工藝的一晶圓蝕刻設備，如中國臺灣新型專利第M260862號中所揭示，該晶圓為承載于該晶圓蝕刻設備中的一晶圓承載裝置，該晶圓承載裝置在一晶圓升降機組的主升降軸頂端設有一第一絕緣盤，于該第一絕緣盤的上方設有一金屬支撐盤，再于該金屬支撐盤的上方設有一第二絕緣盤，另有一螺栓用以將該第二絕緣盤、該金屬支撐盤以及該第一絕緣盤鎖固在該主升降軸的頂端，并且導通金屬支撐盤的電極，由第二絕緣盤將金屬支撐盤覆蓋至不致于超出晶圓外圍的結構型態(tài)，避免金屬支撐盤受到等離子體打擊，以確保第二絕緣盤的完整性。
[0004]然而，上述的該晶圓承載裝置，雖然藉由該第二絕緣盤將該金屬支撐盤的上方覆蓋，以避免該金屬支撐盤受到等離子體的打擊而損壞，但是，該金屬支撐盤的下方，卻還裸露于該等離子體之中，仍然有遭受到該等離子體打擊的可能，而有改善的必要。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的主要目的，在于解決現(xiàn)有的該晶圓承載裝置，其金屬支撐盤的下方，裸露于一等離子體之中，而具有容易受到等離子體打擊而損毀的問題。
[0006]為達上述目的，本實用新型提供一種晶圓承載裝置，設置于一晶圓蝕刻設備，該晶圓蝕刻設備包含有一腔室以及一設置于該腔室的升降軸，該晶圓承載裝置包含有:
[0007]一設置于該升降軸上的絕緣盤；
[0008]一設置于該絕緣盤上以供承載一晶圓的金屬盤，該金屬盤具有一承載該晶圓的中央部分以及一自該中央部分朝外延伸而超出該晶圓的周緣；以及
[0009]一設置于該金屬盤上的絕緣環(huán)，該絕緣環(huán)覆蓋該周緣并具有一朝下延伸而突出該金屬盤的端緣；
[0010]其中，該絕緣盤至少遮蔽該中央部分的一中央底面而與該端緣之間具有一小于I公分的間距。
[0011]上述的晶圓承載裝置，其中該金屬盤與該絕緣盤之間具有多個位置對應的定位孔，且多個定位件對應穿入該定位孔將絕緣盤與該金屬盤相互定位。
[0012]上述的晶圓承載裝置，其中該金屬盤與該絕緣盤之間具有多個位置對應的穿孔，該穿孔各穿設有一將該晶圓頂出該晶圓承載裝置的晶圓頂出軸。
[0013]上述的晶圓承載裝置，其中該周緣與該中央部分之間具有一高度落差而形成一供該絕緣環(huán)覆蓋的低階層。
[0014]上述的晶圓承載裝置，其中該晶圓蝕刻設備包含一密封該腔室的石英碗蓋以及一對應該石英碗蓋密封該腔室的上蓋。
[0015]上述的晶圓承載裝置，其中該金屬盤以及該絕緣盤為通過一螺栓鎖固于該升降軸上。
[0016]上述的晶圓承載裝置，其中該絕緣環(huán)還具有一向上突起而擋止該晶圓滑移的定位部。
[0017]上述的晶圓承載裝置，其中該金屬盤的材質(zhì)為不銹鋼、金、銀、鐵、鎢或鋁。
[0018]上述的晶圓承載裝置，其中該絕緣盤的材質(zhì)為陶瓷材料、石墨或石英。
[0019]上述的晶圓承載裝置，其中該絕緣環(huán)的材質(zhì)為石英或陶瓷材料。
[0020]如此一來，本實用新型藉由設置該絕緣盤遮蔽該中央底面，令該絕緣盤保護該金屬盤的下方，防止該金屬盤的下方受到該等離子體的打擊而導致該金屬盤損壞，延長該晶圓承載裝置的使用壽命。
[0021]以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1，為本實用新型一實施例的外觀立體示意圖；
[0023]圖2，為本實用新型一實施例的分解示意圖；
[0024]圖3，為本實用新型一實施例的剖視示意圖；
[0025]圖4，為本實用新型另一實施例的剖視示意圖。

【具體實施方式】
[0026]有關本實用新型的詳細說明及技術內(nèi)容，現(xiàn)就配合【專利附圖】

【附圖說明】如下:
[0027]請搭配參閱圖1至圖3所示，圖1為本實用新型一實施例的外觀立體示意圖，圖2為本實用新型一實施例的分解示意圖，圖3為本實用新型一實施例的剖視示意圖，如圖所示，本實用新型為一種晶圓承載裝置10，設置于一晶圓蝕刻設備I之中，該晶圓蝕刻設備I包含有一腔室4、一石英碗蓋2、一上蓋3以及一升降軸5，該腔室4供一晶圓20置入，該升降軸5設置于該腔室4內(nèi)，并具有一與一負電極電性連接的配線8，該石英碗蓋2與該上蓋3則對應蓋設于該腔室4的一開口，而密封該腔室4,該上蓋3并繞設有成為一正電極的射頻線圈7，該正電極搭配該負電極供電而于該腔室4產(chǎn)生一等離子體。
[0028]該晶圓承載裝置10包含有一絕緣盤11、一金屬盤12以及一絕緣環(huán)13。該絕緣盤11設置于該升降軸5上，該金屬盤12設置于該絕緣盤11上，以供承載該晶圓20，且該金屬盤12具有一中央部分121與一周緣122，該中央部分121承載該晶圓20，該中央部分121于遠離該晶圓20的一側(cè)具有一中央底面1211，該周緣122自該中央部分121朝外延伸而超出該晶圓20，并且該周緣122與該中央部分121之間具有一高度落差，令該周緣122相較該中央部分121形成一低階層。
[0029]在本實施例中，該金屬盤12與該絕緣盤11，為通過一螺栓17而鎖固于該升降軸5上，該金屬盤12并經(jīng)由該螺栓17與該配線8的連接而與該負電極電性連接。至于該絕緣盤11與該金屬盤12之間，則具有多個位置對應的定位孔14，利用多個定位件15對應穿入該定位孔14，將該金屬盤12對應定位于該絕緣盤11上。另外，要說明的是，該絕緣盤11與該金屬盤12之間還具有多個位置對應的穿孔16，該穿孔16各穿設有一晶圓頂出軸6，該晶圓頂出軸6可穿過該穿孔16，從該金屬盤12穿出而抵頂該晶圓20，使該晶圓20脫離該晶圓承載裝置10的承載，方便一機械手臂將該晶圓20從該晶圓蝕刻設備I中移出，以符合自動化加工工藝。
[0030]該絕緣環(huán)13設置于該金屬盤12上，而覆蓋該周緣122，并具有一朝下延伸而突出該金屬盤12的端緣131。在本實施例中，該絕緣環(huán)13覆蓋于該周緣122，藉由該周緣122形成該低階層而與該金屬盤12的該中央部分121齊平，使得該晶圓20得以穩(wěn)固的承載于該中央部分121與該絕緣環(huán)13上，該絕緣環(huán)13則屏蔽該金屬盤12未受該晶圓20遮蔽的該周緣122，避免該周緣122受到該等離子體的打擊。
[0031]要特別說明的是，在本實用新型中，該絕緣盤11于該金屬盤12下方，至少遮蔽該中央部分121的該中央底面1211，而與該絕緣環(huán)13突出該金屬盤12的該端緣131之間，具有一小于I公分的間距S，該間距S在此定義為該絕緣環(huán)13與該絕緣盤11之間于制作搭配上所可能產(chǎn)生的容許誤差，該間距S愈小，該絕緣盤11對于該金屬盤12下方的保護效果則愈佳。而在本實用新型的另一個實施例中，如圖4所示，為本實用新型另一實施例的剖視示意圖，在此實施例中，該絕緣環(huán)13還可具有一定位部132，該定位部132位于該絕緣環(huán)13與該端緣131相反的一側(cè)而向上突起，據(jù)而可擋止該晶圓20位于正確的位置避免該晶圓20滑移。
[0032]另外，在本實用新型中，該金屬盤12材質(zhì)在此為使用不銹鋼，該絕緣盤11的材質(zhì)在此為使用陶瓷材料，該絕緣環(huán)13的材質(zhì)在此為使用石英，但并不以此為限制，該金屬盤12的材質(zhì)還可為金、銀、鐵、鎢或鋁，該絕緣盤11的材質(zhì)還可為石墨或石英，該絕緣環(huán)13的材質(zhì)還可為陶瓷。
[0033]綜上所述，由于本實用新型藉由設置該絕緣盤遮蔽該中央底面，使該絕緣盤與該絕緣環(huán)的該端緣之間，僅有不到I公分的該間距，該令該絕緣盤保護該金屬盤的下方，防止該金屬盤的下方受到該等離子體的打擊而導致該金屬盤損壞，延長該晶圓承載裝置的使用壽命。
[0034]當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據(jù)本實用新型作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本實用新型所附的權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種晶圓承載裝置，設置于一晶圓蝕刻設備，該晶圓蝕刻設備包含有一腔室以及一設置于該腔室的升降軸，其特征在于，該晶圓承載裝置包含有: 一設置于該升降軸上的絕緣盤； 一設置于該絕緣盤上以供承載一晶圓的金屬盤，該金屬盤具有一承載該晶圓的中央部分以及一自該中央部分朝外延伸而超出該晶圓的周緣；以及 一設置于該金屬盤上的絕緣環(huán)，該絕緣環(huán)覆蓋該周緣并具有一朝下延伸而突出該金屬盤的端緣； 其中，該絕緣盤至少遮蔽該中央部分的一中央底面而與該端緣之間具有一小于I公分的間距。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤與該絕緣盤之間具有多個位置對應的定位孔，且多個定位件對應穿入該定位孔將絕緣盤與該金屬盤相互定位。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤與該絕緣盤之間具有多個位置對應的穿孔，該穿孔各穿設有一將該晶圓頂出該晶圓承載裝置的晶圓頂出軸。
4.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該周緣與該中央部分之間具有一高度落差而形成一供該絕緣環(huán)覆蓋的低階層。
5.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該晶圓蝕刻設備包含一密封該腔室的石英碗蓋以及一對應該石英碗蓋密封該腔室的上蓋。
6.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤以及該絕緣盤為通過一螺栓鎖固于該升降軸上。
7.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該絕緣環(huán)還具有一向上突起而擋止該晶圓滑移的定位部。
8.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤的材質(zhì)為不銹鋼、金、銀、鐵、鶴或招。
9.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該絕緣盤的材質(zhì)為陶瓷材料、石墨或石英。
10.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該絕緣環(huán)的材質(zhì)為石英或陶瓷材料。
【文檔編號】H01L21/683GK204130514SQ201420459468
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年8月14日 優(yōu)先權日:2014年8月14日
【發(fā)明者】陳登葵 申請人:微芯科技有限公司