一種雙面太陽電池結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，包括P型基體，自P型基體上表面依序堆疊配置的PN結(jié)、第一吸光面鈍化層、第一吸光面電極，所述雙面太陽電池結(jié)構(gòu)還包括自P型基體下表面依序依次向上堆疊配置的P+層、第二吸收面鈍化層、第二吸光面電極，所述第一吸光面鈍化層包括依次向下堆疊的第一折射層和第二折射層和第三折射層，所述第一折射層靠近P型基體，所述第二吸收面鈍化層包括第四折射層和第五折射層，所述第四折射層靠近P型基體；本實(shí)用新型有利于提高電池的轉(zhuǎn)換率。
【專利說明】一種雙面太陽電池結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及制造晶體硅太陽電池【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種雙面太陽電池結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球能源的日趨緊張，太陽能以無污染、市場(chǎng)空間大等獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)受到了世界各國(guó)的廣泛重視，國(guó)際上眾多大公司均投入太陽能電池研發(fā)和生產(chǎn)行業(yè)。硅太陽能電池是一種有效地吸收太陽能輻射并使之轉(zhuǎn)化為電的半導(dǎo)體電子器件，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于各種照明及發(fā)電系統(tǒng)中。目前商業(yè)化的太陽能電池產(chǎn)品中，晶體硅(單晶和多晶)太陽能電池的市場(chǎng)份額最大，一直保持85%以上的市場(chǎng)占有率。因此，研發(fā)高性價(jià)比的晶體硅太陽能電池還是各國(guó)研究員的研發(fā)方向之一。
[0003]光伏發(fā)電中常用的是單面受光太陽電池，為獲得較高的輸出功率，這種電池一般都朝陽傾斜設(shè)置。而兩面受光電池沒有這種限制，因其可垂直放置的特性，而被使用在縱向的圍墻等上。兩面受光太陽電池的出現(xiàn)，使利用太陽能發(fā)電進(jìn)入到一個(gè)前所未有的領(lǐng)域。兩面受光太陽電池的特性是:太陽電池片正面和反面都可受光，年發(fā)電量是一般單面受光電池的1.2?1.5倍；太陽電池組件的正面和反面都使用鋼化玻璃作為保護(hù)材料，采光性可靠性高；可垂直放置，產(chǎn)生了許多新的利用方式，如使用在路燈或圍欄等上。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種高轉(zhuǎn)化率的雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，使得硅片兩面吸光效果大大增強(qiáng)，提高電池片的功率輸出。
[0005]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提一種雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，包括P型基體，自P型基體上表面向上依次設(shè)有PN結(jié)、第一吸光面鈍化層、以及第一吸光面電極，所述P型基體下表面向下依次設(shè)有P+層、第二吸收面鈍化層和第二吸光面電極，所述第一吸光面鈍化層從下至上依次為第一折射層、第二折射層和第三折射層，所述第一折射層貼合所述PN結(jié)，所述第二吸收面鈍化層從上至下依次為第四折射層和第五折射層，所述第四折射層貼合所述P+層。
[0006]進(jìn)一步的，前述第一折射層為二氧化硅薄膜，厚度為l_5nm ;前述第二折射層為折射率2.05-2.15%的氮化硅薄膜，厚度為30-40nm ;前述第三折射層為折射率2.2-2.3%的氮化硅薄膜，厚度為20-50nm。
[0007]進(jìn)一步的，前述第四折射層為二氧化硅薄膜，厚度為10_30nm ;前述第五折射層為非晶硅薄膜，厚度為30-70nm。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果是:通過設(shè)置第一鈍化成和第二鈍化層，并且第一鈍化層分別設(shè)置多個(gè)折射層包括二氧化硅薄膜、高折射率氮化硅薄膜，低折射率氮化硅薄膜，第二鈍化層也設(shè)置多個(gè)折射層包括使得硅片、非晶硅薄膜，使得太陽能電池能夠兩面吸光效果大大增強(qiáng)，提高電池片的功率輸出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型雙面太陽電池結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]如圖1所示，本實(shí)用新型雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，雙面太陽電池結(jié)構(gòu)包括P型基體6，自P型基體6上表面向上依次設(shè)有的PN結(jié)5、第一吸光面鈍化層、以及第一吸光面電極1，和自P型基體6下表面向下依次設(shè)有P+層7、第二吸收面鈍化層、以及第二吸光面電極10。
[0011]第一吸光面鈍化層從下至上依次為的第一折射層4和第二折射層3和第三折射層2，第一折射層4靠近PN結(jié)5，第一折射層4和第二折射層3和第三折射層2的折射率不同；第一折射層為二氧化硅薄膜，厚度為3nm ;第二折射層的為折射率為2.2%的高折射率氮化硅薄膜，厚度為30nm ;第三折射層為折射率為2.1%氮化硅薄膜，厚度為50nm。
[0012]第二吸收面鈍化層包括第四折射層8和第五折射層9，第四折射層8靠近P+層7，所述第四和第五折射層8、9的折射率不同，第四折射層8的為二氧化硅薄膜，厚度為15nm第五折射層9為非晶娃薄膜,厚度為65nm。
[0013]P+層7是由硼酸旋涂表面烘干形成。第一吸光面電極I和第二吸光面電極10配合將電池產(chǎn)生的電能傳送到外部。
[0014]除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，包括P型基體，P型基體上表面向上依次設(shè)有PN結(jié)、第一吸光面鈍化層、以及第一吸光面電極，其特征在于:所述P型基體下表面向下依次設(shè)有P+層、第二吸收面鈍化層和第二吸光面電極，所述第一吸光面鈍化層從下至上依次為第一折射層、第二折射層和第三折射層，所述第一折射層貼合所述PN結(jié)，所述第二吸收面鈍化層從上至下依次為第四折射層和第五折射層，所述第四折射層貼合所述P+層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一折射層為二氧化硅薄膜，厚度為l_5nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二折射層為折射率2.05-2.15%的氮化硅薄膜，厚度為30-40nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第三折射層為折射率2.2-2.3%的氮化硅薄膜，厚度為20-50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第四折射層為二氧化硅薄膜，厚度為10-30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第五折射層為非晶硅薄膜，厚度為30-70nm.。
【文檔編號(hào)】H01L31/068GK204230255SQ201420736362
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月27日
【發(fā)明者】王立建 申請(qǐng)人:浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司