熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體，所述的壓敏電阻本體上設(shè)置有熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域；所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域的壓敏電壓小于壓敏電阻本體其他部位的壓敏電壓1％～2％；且該熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域的電流密度為壓敏電阻本體所有部位最大；所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域設(shè)置熱脫離器。本實(shí)用新型保證了壓敏電阻器在失效前后的最高溫度點(diǎn)在熱保護(hù)所在區(qū)域范圍內(nèi)，以便壓敏電阻器在故障前利用其熱量能將熱脫離器迅速斷開。
【專利說明】 熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及壓敏電阻領(lǐng)域，尤其是一種應(yīng)用在電涌保護(hù)器中的熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器。

【背景技術(shù)】
[0002]在各種電氣設(shè)備和電源配電系統(tǒng)中，壓敏電阻器是一種使用最廣泛的過電壓保護(hù)元件。當(dāng)電源系統(tǒng)出現(xiàn)暫時(shí)過電壓時(shí)，或壓敏電阻器性能劣化時(shí)，它都可能出現(xiàn)失效(絕大多數(shù)表現(xiàn)為“低阻化”)，從而造成電源短路事故。為了防止這樣的事故發(fā)生，通常在壓敏電阻上加裝熱脫離器，如電涌保護(hù)器、TPMOV等。其原理都是通過壓敏電阻器在失效前，其產(chǎn)生的熱量將熱脫離器或TPMOV中的熱保護(hù)開關(guān)熔斷，但在實(shí)際應(yīng)用過程中這種效果不太理想。其原因是:無論哪種電涌保護(hù)器或TPMOV，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)定型后，安裝熱脫離器的位置在壓敏電阻器上就確定了。而常規(guī)的壓敏電阻器的熱擊穿最高溫度點(diǎn)是隨機(jī)的(這主要取決于各制造企業(yè)的生產(chǎn)工藝，特別與攪拌、成型、高溫?zé)捎蟹浅４蟮年P(guān)系)。如最高溫度不在熱脫離所在區(qū)域，只有靠壓敏電阻器本體熱傳導(dǎo)。但因?yàn)閴好綦娮杵魇翘沾刹牧希旧韺?dǎo)熱性差，這樣就會(huì)錯(cuò)失快速脫離的良機(jī)，甚至釀成嚴(yán)重的安全事故。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:提供一種熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器，保證了壓敏電阻器在失效前后的最高溫度點(diǎn)在熱保護(hù)所在區(qū)域范圍內(nèi)，以便壓敏電阻器在故障前利用其熱量能將熱脫離器迅速斷開。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體，所述的壓敏電阻本體上設(shè)置有熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域；所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域的壓敏電壓小于壓敏電阻本體其他部位的壓敏電壓1%?2%;且該熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域的電流密度為壓敏電阻本體所有部位最大；所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域設(shè)置熱脫離器。
[0005]本實(shí)用新型的原理是:在某一特定區(qū)域或特定點(diǎn)內(nèi)，壓敏電壓偏低，使得該壓敏電阻器通電后，該區(qū)域或點(diǎn)平均溫度升高；并且通過標(biāo)識(shí)使熱保護(hù)器安裝在該區(qū)域或點(diǎn)上，能夠使壓敏電阻器在故障前將熱脫離器迅速斷開，以避免事故的發(fā)生。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果是，解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷，保證了壓敏電阻器在失效前后的最高溫度點(diǎn)在熱保護(hù)所在區(qū)域范圍內(nèi)，以便壓敏電阻器在故障前利用其熱量能將熱脫離器迅速斷開。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0008]圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖中:1、壓敏電阻本體；2、熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0010]現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0011]如圖1所示的一種熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體1，所述的壓敏電阻本體上設(shè)置有熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域2 ;所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域的壓敏電壓小于壓敏電阻本體其他部位的壓敏電壓1%?2%;且該熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域的電流密度為壓敏電阻本體所有部位最大；所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域設(shè)置熱脫離器。
[0012]通過在壓敏電阻器高溫?zé)汕?，在指定區(qū)域滴上液體助溶材料，使得該區(qū)域在高溫(1100°C左右)燒成時(shí)，該區(qū)域壓敏晶體比其它區(qū)域生長(zhǎng)稍大。根據(jù)客戶要求或熱脫離器的位置，制作一只工裝蓋在壓敏電阻器坯片上，在指定位置上露出一個(gè)孔，將事先配制好的助溶材料用滴管滴上即可。出廠前在此區(qū)域標(biāo)識(shí)。
[0013]以上說明書中描述的只是本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，各種舉例說明不對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對(duì)以前所述的【具體實(shí)施方式】做修改或變形，而不背離實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體(I)，其特征在于:所述的壓敏電阻本體(I)上設(shè)置有熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域(2);所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域(2)的壓敏電壓小于壓敏電阻本體(I)其他部位的壓敏電壓；且該熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域(2)的電流密度為壓敏電阻本體(I)所有部位最大；所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域(2)設(shè)置熱脫離器。
2.如權(quán)利要求1所述的熱擊穿點(diǎn)可控壓敏電阻器，其特征在于:所述的熱擊穿點(diǎn)或熱擊穿區(qū)域(2)的壓敏電壓小于壓敏電阻本體其他部位的壓敏電壓1%?2%。
【文檔編號(hào)】H01C7/12GK204204539SQ201420742974
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月30日
【發(fā)明者】束靜 申請(qǐng)人:常州市創(chuàng)捷防雷電子有限公司