轉印定位裝置及具有轉印定位裝置的顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種轉印定位裝置及具有轉印定位裝置的顯示裝置，所述轉印定位裝置用于將轉印芯片定位到基板上，其包括對位標，設置于所述基板上；粘附層，粘附在所述基板上，且覆蓋所述對位標，所述粘附層用于固定所述轉印芯片的位置；以及預對位層，設置于所述粘附層上，所述預對位層上開設有至少一個凹槽，用于放置所述轉印芯片。該凹槽的高度小于轉印芯片的高度，而凹槽大于轉印芯片。上述轉印定位裝置及具有該轉印定位裝置的顯示裝置，使得在轉印過程中，確保將所有的轉印芯片定位在準確的位置，提高轉印芯片的轉印的精度，且提高芯片的平坦化效果。
【專利說明】轉印定位裝置及具有轉印定位裝置的顯示裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及轉印【技術領域】，特別是涉及一種轉印定位裝置及具有轉印定位裝置的顯示裝置。

【背景技術】
[0002]在使用轉印技術生產(chǎn)顯示裝置過程中，轉印到基板上的半導體芯片可能出現(xiàn)定位偏差的問題，若定位偏差過大，會導致轉印到基板上的半導體芯片無法正常工作。同時，轉印到基板上的半導體芯片的厚度通常達到10?20微米。
[0003]目前，針對可能出現(xiàn)的半導體芯片的定位偏差的問題，主要的方法為:在待轉印的基板上制作對位標，根據(jù)對位標，對半導體芯片進行定位。這種方式能保證轉印到基板上的半導體芯片的整體位置偏移量在控制范圍內，但是對可能出現(xiàn)的單個芯片的位置偏移沒有辦法控制，降低轉印的精度。
[0004]而對于轉印到基板上的半導體芯片的平坦化，通常采用具有良好平坦化效果的材料，通過回旋涂布和熱回流退火工藝的方式實現(xiàn)平坦化，但是，平坦化的效果依然有待改進。
實用新型內容
[0005]基于此，為了解決提高轉印的精度和提高平坦化效果的問題，提出一種轉印定位
目.ο
[0006]一種轉印定位裝置，用于將轉印芯片定位到基板上，所述轉印定位裝置包括:
[0007]對位標，設置于所述基板上；
[0008]粘附層，粘附在所述基板上，且覆蓋所述對位標，所述粘附層用于固定所述轉印芯片的位置；以及
[0009]預對位層，設置于所述粘附層上，所述預對位層上開設有至少一個凹槽，用于放置所述轉印芯片。
[0010]在其中一個實施例中，所述預對位層為一層或一層以上的薄膜。
[0011]在其中一個實施例中，所述凹槽的高度小于所述轉印芯片的高度，且所述凹槽的高度和所述轉印芯片的高度相差0.1-10微米。
[0012]在其中一個實施例中，所述凹槽大于所述轉印芯片，且所述凹槽的底面的邊緣和對應的所述轉印芯片的底面邊緣相距0.1-100微米。
[0013]在其中一個實施例中，所述預對位層上的凹槽的底面的面積小于所述凹槽的開口端面的面積。
[0014]本實用新型還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述轉印定位裝置。
[0015]上述轉印定位裝置及具有該轉印定位裝置的顯示裝置，通過在粘附層上沉積預對位層，預對位層上開設有至少一個凹槽，凹槽用于放置轉印芯片，從而將轉印芯片進行了準確地定位，在轉印過程中，避免某個轉印芯片的定位不準確的現(xiàn)象，提高轉印的精度。此外，因為預對位層的存在，所以若將轉印芯片轉印到預對位層上，對轉印芯片進行平坦化的厚度減少，在一定程度上能提高平坦化的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型轉印定位裝置的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0017]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內涵的情況下做類似改進，因此本實用新型不受下面公開的具體實施的限制。
[0018]本實施例提供一種轉印定位裝置，如圖1所示，該轉印定位裝置用于將轉印芯片40定位到基板10上，在本實施例中，基板10為玻璃基板。轉印定位裝置包括對位標20、粘附層30和預對位層50。對位標20設置在基板10上，用于對轉印芯片40進行初步定位。粘附層30通過涂布、旋轉或者化學氣相沉積法在基板10上沉積，該粘附層30為膜層，并能完全覆蓋對位標20。粘附層30的材料可以為具有粘附力的有機聚合物，用以固定轉印芯片40的位置，使得轉印芯片40在放置到預對位層50后，粘附層30將轉印芯片40固定，使其位置不發(fā)生改變。
[0019]預對位層50通過涂布或旋涂的方法沉積在粘附層30上，其為一層薄膜或由多層薄膜組成，薄膜的材料可以為光阻材料等。預對位層50開設有至少一個用于放置轉印芯片40的凹槽，凹槽開設的位置根據(jù)轉印芯片40的布局設計而定。凹槽的深度小于轉印芯片40的高度，凹槽的深度和轉印芯片40的高度之間相差0.1-10微米，其中，凹槽的深度為凹槽的開口面距離凹槽的底面的垂直高度。此外，該凹槽大于轉印芯片40，即轉印芯片40可以整個放置在凹槽內，且凹槽的底面的邊緣和對應的轉印芯片40的底面邊緣相距0.1-100微米，其中，轉印芯片40的底面為轉印芯片40放置在凹槽內時，轉印芯片40與凹槽底面相接觸的面，即轉印芯片40的底面的任一個邊緣和對應的凹槽底面的邊緣都不重合。預對位層50上的凹槽的開口端面的面積大于凹槽底面的面積，比如凹槽的形狀為倒圓臺、倒四棱臺結構，當然凹槽也可為頂、底面均為多邊形的倒棱臺(此處的多邊形特指邊長個數(shù)不少于5條的圖形，且多邊形的內角不含銳角)，具體形狀以能夠完全放置轉印芯片40和形成凹槽的工藝的難易程度為選擇標準。
[0020]具體地，以倒圓臺形的凹槽為例，在預對位層50上開設倒圓臺形凹槽，再將轉印芯片40放置在該凹槽中，即實現(xiàn)了對轉印芯片40的定位。而在轉印過程中，通過預先開設的倒圓臺形凹槽控制所有轉印芯片40的定位偏差，使得轉印芯片40在可控范圍內偏移，從而不會出現(xiàn)部分轉印芯片40的定位大幅度偏差的現(xiàn)象，進而使得轉印芯片40的轉印更為精確。
[0021]此外，正常工藝步驟中，完成轉印后需要進行平坦化工藝，一般平坦化后平坦化層的厚度為10-20微米。而從圖1可知，由于預對位層50本身具有一定的厚度，因此，在轉印芯片40轉印完成后，再對轉印芯片40進行平坦化時，相較于原先工藝中平坦化層的厚度，本實施例提供的方案中平坦化層的厚度很小，具體為，平坦化層的厚度在I微米以下，且平坦化的過程更為簡單，效果更好。
[0022]本實施例還提供一種具有轉印定位裝置的顯示裝置，具體地，將轉印芯片40放置在轉印定位裝置的預對位層50中的凹槽后，進行轉印、平坦化等工藝，得到顯示裝置。其中，轉印定位裝置的具體結構如上面所述，在此不作贅述。
[0023]上述轉印定位裝置及具有該轉印定位裝置的顯示裝置，通過在粘附層上沉積預對位層，并在預對位層上開設有至少一個用于放置轉印芯片的凹槽，從而將電路板上的轉印芯片進行了準確的定位，避免出現(xiàn)部分轉印芯片定位不準確的現(xiàn)象。此外，因為預對位層的存在，對轉印芯片進行平坦化時平坦化層的厚度減小，在一定程度上能提高平坦化的效果。
[0024]以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種轉印定位裝置，用于將轉印芯片定位到基板上，其特征在于，所述轉印定位裝置包括: 對位標，設置于所述基板上； 粘附層，粘附在所述基板上，且覆蓋所述對位標，所述粘附層用于固定所述轉印芯片的位置；以及 預對位層，設置于所述粘附層上，所述預對位層上開設有至少一個凹槽，用于放置所述轉印芯片。
2.根據(jù)權利要求1所述的轉印定位裝置，其特征在于，所述預對位層為一層或一層以上的薄膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的轉印定位裝置，其特征在于，所述凹槽的高度小于所述轉印芯片的高度，且所述凹槽的高度和所述轉印芯片的高度相差0.1-10微米。
4.根據(jù)權利要求1所述的轉印定位裝置，其特征在于，所述凹槽大于所述轉印芯片，且所述凹槽的底面的邊緣和對應的所述轉印芯片的底面邊緣相距0.1-100微米。
5.根據(jù)權利要求1所述的轉印定位裝置，其特征在于，所述預對位層上的凹槽的底面的面積小于所述凹槽的開口端面的面積。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1-5任意一項所述的轉印定位裝置。
【文檔編號】H01L21/68GK204204823SQ201420748641
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月2日 優(yōu)先權日:2014年12月2日
【發(fā)明者】蔡世星, 施露, 習王鋒, 顧維杰, 朱濤, 劉雪洲 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司, 昆山國顯光電有限公司