一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，包括：設(shè)于用于所述壓合的壓頭的MEMS壓力傳感器，采集壓合面各點的壓力信號；連接MEMS壓力傳感器的A/D轉(zhuǎn)換電路，將所述壓力信號轉(zhuǎn)為數(shù)字電平值；連接所述A/D轉(zhuǎn)換電路的比較器，比較壓合面各點的壓力信號對應(yīng)數(shù)字電平值，在比較出有數(shù)字電平值間差異大于閾值時輸出異常電信號，從而能夠及時發(fā)現(xiàn)由于壓合面不平帶來的壓合力的細微變化，從而預(yù)防了批量事故，提高了合格率。
【專利說明】一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]由于晶圓在切割時會產(chǎn)生大量的碎肩，雖然經(jīng)過沖洗但還會在芯片鍵殘余部門碎肩，在經(jīng)過DA工程時攜出。這些碎肩體積小，一般在幾十或更小的微米。他們粘附在壓合頭或者SUB上。會在DA工程造成CRACK，受高溫高壓的作用，這些碎肩會連續(xù)沾污在壓合頭上造成連續(xù)的產(chǎn)品不良?；谀壳暗腗EMS壓力傳感器分辨力低，無法有效識別出這些問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，解決上述現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體芯片壓合面不平無法檢測的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目標(biāo)及其他相關(guān)目標(biāo)，本實用新型提供一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，包括:設(shè)于用于所述壓合的壓頭的MEMS壓力傳感器，采集壓合面各點的壓力信號；連接MEMS壓力傳感器的A/D轉(zhuǎn)換電路，將所述壓力信號轉(zhuǎn)為數(shù)字電平值；連接所述A/D轉(zhuǎn)換電路的比較器，比較壓合面各點的壓力信號對應(yīng)數(shù)字電平值，在比較出有數(shù)字電平值間差異大于閾值時輸出異常電信號。
[0005]可選的，裝置還包括:連接所述比較器的處理芯片，接收所述異常電信號。
[0006]進一步可選的，處理芯片包括對所述差異進行放大的放大電路。
[0007]進一步可選的，所述處理芯片連接上位機。
[0008]進一步可選的，所述處理芯片為單片機。
[0009]可選的，所述裝置連接5V電源供電。
[0010]如上所述，本實用新型提供一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，包括:設(shè)于用于所述壓合的壓頭的MEMS壓力傳感器，采集壓合面各點的壓力信號；連接MEMS壓力傳感器的A/D轉(zhuǎn)換電路，將所述壓力信號轉(zhuǎn)為數(shù)字電平值；連接所述A/D轉(zhuǎn)換電路的比較器，比較壓合面各點的壓力信號對應(yīng)數(shù)字電平值，在比較出有數(shù)字電平值間差異大于閾值時輸出異常電信號，從而能夠及時發(fā)現(xiàn)由于壓合面不平帶來的壓合力的細微變化，從而預(yù)防了批量事故，提高了合格率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1顯示為本實用新型的用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]元件標(biāo)號說明:1-用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，11- MEMS壓力傳感器，12- A/D轉(zhuǎn)換電路，13-比較器，14-處理芯片，2-上位機。

【具體實施方式】
[0013]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0014]如圖1所示，本實用新型提供一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置1，包括:設(shè)于用于所述壓合的壓頭的MEMS壓力傳感器11，采集壓合面各點的壓力信號；連接MEMS壓力傳感器11的A/D轉(zhuǎn)換電路12，將所述壓力信號轉(zhuǎn)為數(shù)字電平值；連接所述A/D轉(zhuǎn)換電路12的比較器13，比較壓合面各點的壓力信號對應(yīng)數(shù)字電平值，在比較出有數(shù)字電平值間差異大于閾值時輸出異常電信號?？蛇x的，所述連接所述比較器13的處理芯片14，接收所述異常電信號，例如電壓、電流形式的信號，一般為電壓；進一步的，所述處理芯片為單片機(MCU)，處理芯片還可包括對所述差異進行放大的放大電路；可選的，所述處理芯片連接上位機2，例如PC，上位機接收到異常電信號后發(fā)送工作停止等控制指令至處理芯片14 ;整個裝置可連接5V電源供電，例如，所述處理芯片14、MEMS壓力傳感器11等均可由5V供電。優(yōu)選的，通過ST品牌的MEMS壓力傳感器測量其精度可達0.2MBAR,其；系統(tǒng)提供零漂移，低噪音(0.010MBAR RMS);適合DA高溫和粉塵，電磁輻射震動工作環(huán)境；由于測量精度高，可以檢出大于10微米的雜質(zhì)FM。
[0015]通過ST MEMS壓力傳感器羅姆傳感器壓合面測試后比較，判定半導(dǎo)體芯片在壓合中是否壓力不平衡，由于其零漂移，雖在高溫中其測量值穩(wěn)定，可根據(jù)產(chǎn)品不同的分類，半導(dǎo)體芯片的厚薄、膠水的厚度等，及時糾偏避免了對多種不同型號系統(tǒng)的變更，減少了設(shè)備升級投資。
[0016]綜上所述，本實用新型提供一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，包括:設(shè)于用于所述壓合的壓頭的MEMS壓力傳感器，采集壓合面各點的壓力信號；連接MEMS壓力傳感器的A/D轉(zhuǎn)換電路，將所述壓力信號轉(zhuǎn)為數(shù)字電平值；連接所述A/D轉(zhuǎn)換電路的比較器，比較壓合面各點的壓力信號對應(yīng)數(shù)字電平值，在比較出有數(shù)字電平值間差異大于閾值時輸出異常電信號，從而能夠及時發(fā)現(xiàn)由于壓合面不平帶來的壓合力的細微變化，從而預(yù)防了批量事故，提高了合格率。
[0017]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，其特征在于，包括: 設(shè)于用于所述壓合的壓頭的MEMS壓力傳感器，采集壓合面各點的壓力信號； 連接MEMS壓力傳感器的A/D轉(zhuǎn)換電路，將所述壓力信號轉(zhuǎn)為數(shù)字電平值； 連接所述A/D轉(zhuǎn)換電路的比較器，比較壓合面各點的壓力信號對應(yīng)數(shù)字電平值，在比較出有數(shù)字電平值間差異大于閾值時輸出異常電信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，其特征在于，包括:連接所述比較器的處理芯片，接收所述異常電信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，其特征在于，處理芯片包括對所述差異進行放大的放大電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，其特征在于，所述處理芯片連接上位機。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，其特征在于，所述處理芯片為單片機。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝壓合的感測裝置，其特征在于，其連接5V電源供電。
【文檔編號】H01L21/66GK204257597SQ201420783188
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月12日
【發(fā)明者】朱建綱 申請人:海太半導(dǎo)體（無錫）有限公司