1.一種MOS管器件，包括襯底，形成在襯底上的源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)，在所述漏極區(qū)和所述溝道區(qū)之間設(shè)有LDD區(qū)，其特征在于：在所述溝道區(qū)的上方設(shè)有第一柵極氧化層和第一柵極，在所述LDD區(qū)的上方設(shè)有第二柵極氧化層和第二柵極，該第二柵極上施加的電壓正比于第一柵極上施加的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：當(dāng)MOS管為NMOS管時(shí)，在MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)下，所述第二柵極與所述第一柵極一樣施加的是正電壓，在MOS管處于關(guān)斷狀態(tài)下，所述第二柵極接地或施加負(fù)電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：當(dāng)MOS管為PMOS管時(shí)，在MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)下，所述第二柵極與所述第一柵極一樣接地或施加負(fù)電壓，在MOS管處于關(guān)斷狀態(tài)下，所述第二柵極施加正電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述第二柵極為平行于LDD區(qū)的平板。
5.如權(quán)利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述第二柵極氧化層具有覆蓋第一柵極氧化層所形成的折肩，所述第二柵極包括水平部分和位于所述第二柵極氧化層折肩上的折肩部分。
6.如權(quán)利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述襯底為絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，包括底硅、二氧化硅層和體硅層，所述源極區(qū)、漏極區(qū)、溝道區(qū)和LDD區(qū)形成在所述體硅層中。
7.如權(quán)利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述襯底為p型硅襯底，所述源極區(qū)、漏接區(qū)、溝道區(qū)以及LDD區(qū)制作在該p型硅襯底中，或者所述襯底上設(shè)有p型外延層，所述源極區(qū)、漏接區(qū)、溝道區(qū)以及LDD區(qū)制作在該p型外延層中。
8.如權(quán)利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述襯底包括重?fù)降膒型底硅和在該P(yáng)型底硅上外延的一層輕摻的p型體硅，所述源極區(qū)、漏接區(qū)、溝道區(qū)以及LDD區(qū)制作在該體硅中，在源極區(qū)的一側(cè)設(shè)有重?fù)降膒型下沉區(qū)，通過該p型下沉區(qū)將源極與襯底直接接地。