技術(shù)總結(jié)
一種MOS管器件，該MOS管器件具有兩個(gè)柵極，其中第一柵極為設(shè)置在溝道上方的控制器件開關(guān)的普通柵極，第二柵極為設(shè)置在LDD區(qū)上方控制漏源導(dǎo)通電阻Rdson的新增柵極。在本發(fā)明中，通過該第二柵極的調(diào)控，一方面可以在器件工作狀態(tài)下降低漏源導(dǎo)通電阻Rdson，從而降低器件的工作損耗和提高開關(guān)效率；另一方面可以在器件關(guān)斷狀態(tài)下降低漏源電容Cds、提高漏源之間的阻抗和擊穿電壓BVdss，從而使器件關(guān)斷時(shí)的隔斷能力以及電壓擺幅的阻擋能力提高。

技術(shù)研發(fā)人員：馬強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司
文檔號(hào)碼：201510696234
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.23
技術(shù)公布日：2017.05.03