1.一種量子阱器件的形成方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底，在所述襯底的表面形成具有鰭狀結(jié)構(gòu)的緩沖層；
在所述緩沖層及鰭狀結(jié)構(gòu)表面上依次沉積量子阱溝道層、阻擋層及介質(zhì)層；
在所述鰭狀結(jié)構(gòu)兩側(cè)的介質(zhì)層表面形成金屬柵極，所述金屬柵極高度低于所述鰭狀結(jié)構(gòu)的高度；
在鰭狀結(jié)構(gòu)兩側(cè)暴露出的介質(zhì)層表面及金屬柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻；
依次刻蝕位于鰭狀結(jié)構(gòu)及緩沖層表面暴露出的介質(zhì)層及阻擋層，暴露出源漏區(qū)域的所述量子阱溝道層；
在暴露出的源漏區(qū)域的量子阱溝道層內(nèi)進(jìn)行摻雜，形成源極和漏極；
在所述源極和漏極上形成源漏電極。
2.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述具有鰭狀結(jié)構(gòu)的緩沖層的形成步驟包括：
在所述襯底上形成所述緩沖層；
在所述緩沖層表面形成圖案化的光阻；
以所述圖案化的光阻作為掩膜，干法刻蝕所述緩沖層，形成鰭狀結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述緩沖層的材質(zhì)為AlN，厚度范圍是100nm～5000nm。
4.如權(quán)利要求2所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述緩沖層采用MOCVD、ALD或者M(jìn)BE工藝形成。
5.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述量子阱溝道層的材質(zhì)為N-型GaN，厚度范圍是1nm～100nm。
6.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材質(zhì)為AlN。
7.如權(quán)利要求5或6所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述量子阱溝道層及阻擋層均采用外延生長(zhǎng)工藝形成。
8.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材質(zhì)為二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯或氧化鉿，厚度范圍是1nm～5nm。
9.如權(quán)利要求8所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層采用CVD、MOCVD、ALD或MBE工藝形成。
10.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述金屬柵極的材質(zhì)為NiAu或CrAu。
11.如權(quán)利要求10所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述金屬層采用CVD、PVD、MOCVD、ALD或MBE工藝形成。
12.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材質(zhì)為氮化硅。
13.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，采用選擇性刻蝕工藝依次刻蝕位于鰭狀結(jié)構(gòu)及緩沖層表面暴露出的介質(zhì)層及阻擋層，暴露出源漏區(qū)域的所述量子阱溝道層。
14.如權(quán)利要求1所述的量子阱器件的形成方法，其特征在于，采用離子注入或離子擴(kuò)散工藝對(duì)所述量子阱溝道層進(jìn)行N+離子注入，形成源極和漏極。
15.一種量子阱器件，采用如權(quán)利要求1至14中任一種所述的量子阱器件的形成方法形成，其特征在于，包括：襯底、設(shè)有鰭狀結(jié)構(gòu)的緩沖層、量子阱溝道層、阻擋層、金屬柵極、介質(zhì)層、側(cè)墻及源極和漏極，其中，所述設(shè)有鰭狀結(jié)構(gòu)的緩沖層形成在所述襯底上，所述量子阱溝道層、阻擋層、介質(zhì)層及金屬柵極依次形成在所述鰭狀結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，所述側(cè)墻形成在鰭狀結(jié)構(gòu)兩側(cè)暴露出的介質(zhì)層表面及金屬柵極的兩側(cè)，所述源極形成在金屬柵極兩側(cè)的量子阱溝道層內(nèi)，所述漏極形成在所述及鰭狀結(jié)構(gòu)頂部暴露出的量子阱溝道層內(nèi)。
16.如權(quán)利要求15所述的量子阱器件，其特征在于，還包括源漏極電極，所述源漏極電極形成在所述源極和漏極上。