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                                量子阱器件及其形成方法與流程
                            
      
                            
      文檔序號：11064302閱讀：來源：國知局
      
                            
                        
      
                        
      
                        
      
                                                                                            技術總結
      本發(fā)明提出了一種量子阱器件及其形成方法，能夠形成具有高遷移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有較高的擊穿電壓，從而獲得具有較好的性能及可靠性的量子阱器件。

      技術研發(fā)人員：肖德元;張汝京
      受保護的技術使用者：上海新昇半導體科技有限公司
      文檔號碼：201510707771
      技術研發(fā)日：2015.10.27
      技術公布日：2017.05.03

                                                                      
                        
      
                        
      
                        
      
                            
                        
      

                        
                            
                    
      
                    
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