本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND閃存的形成方法。

背景技術(shù)：

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，由于NAND閃存以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，所以適合于存儲連續(xù)的數(shù)據(jù)，如圖片、音頻或其他文件數(shù)據(jù)；同時因其成本低、容量大且寫入速度快、擦除時間短的優(yōu)點在移動通訊裝置及便攜式多媒體裝置的存儲領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

現(xiàn)有NAND閃存形成方法形成的NAND閃存中，字線之間存在高漏電風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種NAND閃存的形成方法，以降低所形成NAND閃存中，字線間的漏電風(fēng)險，并提高工藝窗口。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種NAND閃存的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括核心區(qū)和外圍區(qū)；

在所述核心區(qū)上形成多個相互分立的柵極疊層結(jié)構(gòu)，相鄰所述柵極疊層結(jié)構(gòu)之間為凹槽；

在所述凹槽中填充第一介質(zhì)層；

在所述第一介質(zhì)層和所述柵極疊層結(jié)構(gòu)表面形成可流動介質(zhì)層；

對所述可流動介質(zhì)層固化處理，以形成固態(tài)介質(zhì)層；

在所述固態(tài)介質(zhì)層表面上形成停止層；

在所述停止層上和所述外圍區(qū)形成第二介質(zhì)層；

進(jìn)行平坦化處理，直至停止在所述停止層；

回刻蝕剩余所述停止層、所述固態(tài)介質(zhì)層和所述第一介質(zhì)層，以暴露至 少部分所述柵極疊層結(jié)構(gòu)；

在被暴露的所述柵極疊層結(jié)構(gòu)、所述第一介質(zhì)層和所述固態(tài)介質(zhì)層上沉積金屬硅化物。

可選的，所述可流動介質(zhì)層的材料為可流動聚合物，所述固態(tài)介質(zhì)層的材料為氧化硅，采用流體化學(xué)氣相沉積方法形成所述可流動聚合物和所述氧化硅。

可選的，所述流體化學(xué)氣相沉積法包括：

沉積步驟，利用氧化硅前驅(qū)體發(fā)生自由基聚合反應(yīng)，以產(chǎn)生所述可流動聚合物；

轉(zhuǎn)變步驟，采用臭氧蒸汽將所述可流動聚合物氧化成所述氧化硅。

可選的，所述臭氧蒸汽在100℃～200℃的溫度條件下對所述可流動聚合物進(jìn)行氧化。

可選的，采用干法刻蝕方法進(jìn)行所述回刻蝕，并且所述回刻蝕暴露至少部分所述控制柵極的側(cè)面。

可選的，所述金屬硅化物為鎳金屬硅化物、鎢金屬硅化物、鉬金屬硅化物、鈦金屬硅化物、鈷金屬硅化物或者鉈金屬硅化物。

可選的，所述回刻蝕采用的反應(yīng)氣體包括氟化碳。

可選的，采用高深寬比化學(xué)氣相沉積方法或者高密度等離子體化學(xué)氣相沉積方法形成所述第一介質(zhì)層，所述凹槽的深寬比在10:1以上。

可選的，在形成所述停止層前，還包括在所述柵極疊層結(jié)構(gòu)上形成掩膜層；在回刻蝕所述剩余所述停止層和所述第一介質(zhì)層時，同時回刻蝕所述掩膜層。

可選的，所述可流動介質(zhì)層為氧化石墨烯或者氧化石墨。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明的技術(shù)方案中，在形成位于柵極疊層結(jié)構(gòu)之間的第一介質(zhì)層后，在第一介質(zhì)層上形成可流動介質(zhì)層，從而使可流動介質(zhì)層填充第一介質(zhì)層表 面打開的小孔和縫隙，然后對可流動介質(zhì)層進(jìn)行固化處理，從而使可流動介質(zhì)層固化為固態(tài)介質(zhì)層。此時，在后續(xù)的回刻蝕步驟中，不會出現(xiàn)第一介質(zhì)層表面具有小孔和縫隙的現(xiàn)象，從而避免在形成金屬硅化物的過程中，部分金屬硅化物殘留在第一介質(zhì)層中的現(xiàn)象，從而提高第一介質(zhì)層的介電作用，降低字線之間的漏電風(fēng)險。

并且，由于能夠防止字線之間的介質(zhì)層具有金屬硅化物，因此，回刻蝕步驟時不必嚴(yán)格控制刻蝕量，因而，所述方法還能夠提高回刻蝕步驟的工藝窗口，從而提高整個工藝的工藝窗口。

附圖說明

圖1至圖5為現(xiàn)有NAND閃存的形成方法各步驟對應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6至圖11為本發(fā)明實施例提供的NAND閃存的形成方法各步驟對應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有方法形成的NAND閃存中，字線之間存在高漏電風(fēng)險。經(jīng)分析，上述高漏電風(fēng)險的原因可以從圖1至圖4所示的形成過程得到解釋。

請參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，半導(dǎo)體襯底100包括核心區(qū)(未標(biāo)注)和外圍區(qū)(未標(biāo)注)。需要說明的是，圖1至圖5中顯示的是所述核心區(qū)的其中一部分，而所述外圍區(qū)未示出。

請繼續(xù)參考圖1，在所述核心區(qū)上形成多個相互分立的柵極疊層結(jié)構(gòu)(未標(biāo)注)，所述柵極疊層結(jié)構(gòu)可以包括隧穿氧化層101、浮柵層103、柵介質(zhì)層105和控制柵層107。同時，在所述柵極疊層結(jié)構(gòu)上還形成有掩膜層109。相鄰所述柵極疊層結(jié)構(gòu)之間為凹槽102，并在所述柵極疊層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成側(cè)墻111，側(cè)墻111覆蓋所述凹槽102的底部和側(cè)壁。

然后，請參考圖2，在凹槽102中填充第一介質(zhì)層113。并在第一介質(zhì)層113和掩膜層109表面形成停止層115(事實上停止層115同時形成在側(cè)墻111頂部表面)。

此后，在停止層115上和圖中未顯示的所述外圍區(qū)形成第二介質(zhì)層(所述第二介質(zhì)層圖中同樣未顯示，所述第二介質(zhì)層主要是為了形成在所述外圍區(qū)中，因此后續(xù)需要去除位于核心區(qū)的所述第二介質(zhì)層)，然后進(jìn)行平坦化，以去除位于停止層115上的所述第二介質(zhì)層，所述平坦化步驟停止在停止層115，這個過程去除了位于所述核心區(qū)的所述第二介質(zhì)層。

請參考圖3，回刻蝕剩余停止層115、掩膜層109和第一介質(zhì)層113，以暴露至少部分所述柵極疊層結(jié)構(gòu)，圖2顯示被暴露的所述柵極疊層結(jié)構(gòu)為控制柵層107，控制柵層107的頂部和部分側(cè)面在回刻蝕后被暴露出來。

請結(jié)合參考圖4和圖5，形成金屬硅化物117覆蓋被暴露出來的控制柵層107的頂部和部分側(cè)面，并覆蓋第一介質(zhì)層113。然后，去除圖4中位于第一介質(zhì)層113上的金屬硅化物117，而僅保留位于控制柵層107上的金屬硅化物117，這部分金屬硅化物117作為字線119，如圖5所示。

然而，在形成上述第一介質(zhì)層113時，第一介質(zhì)層113時中會出現(xiàn)各種小孔(void)1131和縫隙(seam)1132，如圖2所示。在圖3所示回刻蝕過程中，位于第一介質(zhì)層113頂部的小孔1131和縫隙1132在刻蝕后暴露出來。當(dāng)在圖3顯示的形成金屬硅化物117過程中，金屬硅化物117在覆蓋第一介質(zhì)層113時，還會同時填充在小孔1131和縫隙1132，并分別在小孔1131和縫隙1132內(nèi)形成第一金屬硅化物1171和第二金屬硅化物1172，如圖4所示。而在圖5所示去除第一介質(zhì)層113上的金屬硅化物117時，這些填充在小孔1131和縫隙1132中的第一金屬硅化物1171和第二金屬硅化物1172卻很難被去除，因此它們會殘留在第一介質(zhì)層113中，導(dǎo)致第一介質(zhì)層113的絕緣性能下降，造成字線119間具有高漏電風(fēng)險。

并且，由于第一介質(zhì)層113上具有小孔1131和縫隙1132，因此，在上述回刻蝕步驟中，如果刻蝕量過多，會打開小孔和縫隙，后續(xù)清洗過程中的酸處理會進(jìn)一步擴(kuò)大小孔和縫隙，導(dǎo)致更多的金屬硅化物進(jìn)入小孔和縫隙，引起第一介質(zhì)層113的K值變化，使得介電作用下降；如果刻蝕量過少，則會導(dǎo)致控制柵極暴露量不足，進(jìn)而導(dǎo)致柵極上的金屬硅化物量不足，NAND閃存是通過這些金屬硅化物導(dǎo)電的，而金屬硅化物量不足會引起其性能下降。因此，現(xiàn)有工藝需要嚴(yán)格地控制回刻蝕的刻蝕量，使得回刻蝕步驟的工藝窗 口(process window)較小。

需要特別說明的是，在形成停止層115時，由于停止層115一般是采用氮化物制作，其填充性較差，填不進(jìn)小孔1131和縫隙1132。而即使小部分填進(jìn)小孔1131和縫隙1132，由于停止層115的材料K值與第一介質(zhì)層113的K值差異較大，也會引起第一介質(zhì)層113電性的劣化。而在金屬硅化物117形成前，必須對前面的結(jié)構(gòu)進(jìn)行清潔，以確保金屬硅化物117與控制柵層107充分接觸。而這個清潔步驟會把小孔1131和縫隙1132擴(kuò)大，導(dǎo)致金屬硅化物117更加容易填入小孔1131和縫隙1132，并且金屬硅化物117形成過程中的退火工藝，也造成金屬硅化物117更加容易填入小孔1131和縫隙1132。

為此，本發(fā)明提供一種新的NAND閃存的形成方法，所述形成方法在回刻蝕后的所述第一介質(zhì)層和所述柵極疊層結(jié)構(gòu)表面形成可流動介質(zhì)層，然后對所述可流動介質(zhì)層進(jìn)行固化處理，以形成固態(tài)介質(zhì)層，后續(xù)在固態(tài)介質(zhì)層和第一介質(zhì)層上沉積金屬硅化物。通過在回刻蝕后的第一介質(zhì)層表面形成可流動介質(zhì)層，能夠使可流動介質(zhì)層填充滿第一介質(zhì)層頂部相應(yīng)的小孔和縫隙，并且后續(xù)對可流動介質(zhì)層進(jìn)行固化處理，小孔和縫隙里面具有固態(tài)介質(zhì)層。在一些情況下第一介質(zhì)層上方仍然具有固態(tài)介質(zhì)層，另一些情況下固態(tài)介質(zhì)層僅填充在第一介質(zhì)層頂部的小孔和縫隙中。當(dāng)在固態(tài)介質(zhì)層和第一介質(zhì)層上形成金屬硅化物時，由于小孔和縫隙已經(jīng)被固態(tài)介質(zhì)層填充，因而不會出現(xiàn)金屬硅化物殘留在第一介質(zhì)層的情況。固態(tài)介質(zhì)層由可流動介質(zhì)層固化而成，因此其內(nèi)部不會出現(xiàn)小孔和縫隙，因此也不會出現(xiàn)金屬硅化物殘留在固態(tài)介質(zhì)層中的現(xiàn)象。所述方法提高了字線間介質(zhì)層(所述介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層和固態(tài)介質(zhì)層)的介電作用，降低了字線間發(fā)生漏電的風(fēng)險。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，請結(jié)合參考圖6至圖10。

請參考圖6，提供半導(dǎo)體襯底200，半導(dǎo)體襯底200包括核心區(qū)(未標(biāo)注)和外圍區(qū)(未標(biāo)注)。需要說明的是，圖6至圖10中顯示的是所述核心區(qū)的其中一部分，而所述外圍區(qū)未示出。

本實施例中，半導(dǎo)體襯底200可以為硅襯底、鍺襯底或者絕緣體上硅襯底等。半導(dǎo)體襯底200還可以是其它半導(dǎo)體材料的襯底，例如砷化鎵等Ⅲ-Ⅴ族化合物襯底。其它實施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)需要選擇半導(dǎo)體襯底200類型，因此半導(dǎo)體襯底200類型不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本實施例中，所述核心區(qū)用于形成快閃存儲器的核心存儲電路，所述外圍區(qū)用于形成快閃存儲器的外圍存儲電路。

請繼續(xù)參考圖6，在所述核心區(qū)上形成多個相互分立的柵極疊層結(jié)構(gòu)(未標(biāo)注)，相鄰所述柵極疊層結(jié)構(gòu)之間為凹槽202。

本實施例中，所述柵極疊層結(jié)構(gòu)從下到上可以包括隧穿氧化層201、浮柵(Floating Gate，F(xiàn)G)層203、柵介質(zhì)層和控制柵(Control Gate，CG)層207。所述柵介質(zhì)層可以為ONO層205?？刂茤艑?07的材料可以為多晶硅，并且可以使用化學(xué)氣相沉積方法形成控制柵層207。

本實施例中，凹槽202的深寬比(深度大小和寬度大小的比值)在10:1以上。當(dāng)凹槽202的深寬比在10:1以上時，無論采用何種現(xiàn)有沉積方法(例如本實施例后續(xù)采用的高深寬比HARP化學(xué)氣相沉積方法和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積方法)，都不可避免地會在所填充的介質(zhì)層中產(chǎn)生小孔和縫隙等缺陷(小孔和縫隙并無太大區(qū)別，一般的，小孔的寬度通常大于縫隙，縫隙的深度通長大于小孔)等缺陷，而這些缺陷會進(jìn)一步導(dǎo)致后續(xù)工藝中出現(xiàn)各種不利情況。

請繼續(xù)參考圖6，在所述柵極疊層結(jié)構(gòu)上形成掩膜層209，圖6顯示了所述柵極疊層結(jié)構(gòu)上所具有的掩膜層209。掩膜層209的材料可以為氮化硅，或者為氧化硅和氮化硅的疊層結(jié)構(gòu)?？梢允褂没瘜W(xué)氣相沉積方法形成掩膜層209。在其他實施例中，掩膜層209的材料還可為其他為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的材料。

本實施中，掩膜層209用于所述核心區(qū)中所述柵極疊層結(jié)構(gòu)的形成過程，具體過程可以為：在所述核心區(qū)和所述外圍區(qū)形成掩膜材料層，對所述掩膜材料層進(jìn)行圖形化，圖形化后，位于所述核心區(qū)的剩余掩膜材料層作為圖6中所示的掩膜層209。掩膜層209用于定義所述核心區(qū)的所述柵極疊層結(jié)構(gòu)。 此外，在圖中未顯示的外圍區(qū)也可以具有掩膜層，所述掩模層用于定義外圍區(qū)的柵極稱疊層結(jié)構(gòu)。對不同區(qū)的各柵極疊層結(jié)構(gòu)的定義方法可以包括：在所述掩膜材料層上形成光刻膠層(未示出)，圖形化所述光刻膠層，再以圖形化的所述光刻膠層為掩模，刻蝕位于所述核心區(qū)的所述掩膜材料層，至暴露控制柵層207，此時實現(xiàn)了對掩膜層209進(jìn)行圖形化的目的，然后去除剩余的所述光刻膠層，再以所述核心區(qū)的掩膜層209為掩模，刻蝕控制柵層207、ONO層205、浮柵層203和隧穿氧化層201。從而獲得在所述核心區(qū)形成隧穿氧化層201，位于隧穿氧化層201上的浮柵層203，位于浮柵層203上的ONO層205，位于ONO層205上的控制柵層207，以及位于控制柵層207上的剩余掩膜層209。

需要說明的是，其它實施例中，也可以不在所述柵極疊層結(jié)構(gòu)上形成掩膜層，而采用其它方法形成相應(yīng)的柵極疊層結(jié)構(gòu)。

請繼續(xù)參考圖6，在所述柵極疊層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成側(cè)墻211，側(cè)墻211覆蓋凹槽202的底部和側(cè)壁，側(cè)墻211同時覆蓋在掩膜層209側(cè)面。

請參考圖7，在凹槽202中填充第一介質(zhì)層213。

本實施例中，第一介質(zhì)層213的材料可以為氧化硅。第一介質(zhì)層213可以采用高深寬比化學(xué)氣相沉積方法(High Aspect Ratio Process-Chemical Vapor Deposition，HARP-CVD)或者高密度等離子體化學(xué)氣相沉積方法(High Density Plasma-Chemical Vapor Deposition，HDP-CVD)形成第一介質(zhì)層213。通常，采用HDP-CVD所沉積的介質(zhì)層會具有壓應(yīng)力，采用HARP-CVD所沉積的介質(zhì)層會具有張應(yīng)力。但是，無論采用這兩種方法的任何一種，由于凹槽202的深寬比在10:1以上，因此，所形成的第一介質(zhì)層213會存在小孔或者縫隙等缺陷，如圖7顯示出第一介質(zhì)層213中具有小孔2131和縫隙2132。

請參考圖8，在第一介質(zhì)層213和掩膜層209表面形成可流動介質(zhì)層，所述流動介質(zhì)層同時形成在側(cè)墻211頂部表面，并對所述可流動介質(zhì)層進(jìn)行固化處理，以形成固態(tài)介質(zhì)層215，即固態(tài)介質(zhì)層215為固化處理后的所述可流動介質(zhì)層。

本實施例中，由于在具有小孔2131和縫隙2132的第一介質(zhì)層213上形 成了所述可流動介質(zhì)層，因此，所述可流動介質(zhì)層會流入小孔2131和縫隙2132內(nèi)，并且在所述固化處理后，注入小孔2131和縫隙2132的所述可流動介質(zhì)層固化為固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152，固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152為固態(tài)介質(zhì)層215的一部分。

其它實施例中，當(dāng)未形成掩膜層209時，則在第一介質(zhì)層213和掩膜層209和所述柵極疊層結(jié)構(gòu)表面。

本實施例中，所述可流動介質(zhì)層的材料為可流動聚合物，固態(tài)介質(zhì)層215的材料可以為氧化硅，并且采用流體化學(xué)氣相沉積方法形成所述可流動聚合物和所述氧化硅。此時，所述流體化學(xué)氣相沉積法包括：沉積步驟，利用氧化硅前驅(qū)體發(fā)生自由基聚合反應(yīng)，以產(chǎn)生所述可流動聚合物；轉(zhuǎn)變步驟，采用臭氧蒸汽將所述可流動聚合物氧化成所述氧化硅。

在所述沉積步驟中，可以采用例如氧化硅前驅(qū)體和氨的等離子體反應(yīng)，形成所述可流動聚合物，從而填充小孔2131和縫隙2132。所述可流動聚合物的厚度通過相應(yīng)的工藝時間確定。

在所述轉(zhuǎn)變步驟中，所述臭氧蒸汽在200℃～200℃的溫度條件下對所述可流動聚合物進(jìn)行氧化。在200℃～200℃的溫度條件下，臭氧蒸汽對可流動聚合物的氧化均勻穩(wěn)定。從而使所述可流動聚合物形成固態(tài)二氧化硅，即固態(tài)介質(zhì)層215。

本實施例中，固態(tài)介質(zhì)層215的厚度控制在以上，以便固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152充分填充小孔2131和縫隙2132，并且滿足后續(xù)工藝要求，特別是后續(xù)回刻蝕步驟的工藝要求。

需要特別說明的是，其它實施例中，所述可流動介質(zhì)層為氧化石墨烯(graphene oxide)或者氧化石墨(graphite oxide)，即可以“將氧化石墨烯作為可流動介質(zhì)層，并填充在小孔2131和縫隙2132”，此時相應(yīng)的所述固態(tài)介質(zhì)層215為固化處理后的氧化石墨烯或者氧化石墨。

上述“將氧化石墨烯作為可流動介質(zhì)層，并填充在小孔2131和縫隙2132”的一種具體做法可以為：先在圖7所示結(jié)構(gòu)表面(所述表面包括第一介質(zhì)層213、掩膜層209和側(cè)墻211頂部各方面)進(jìn)行等離子處理，所述等離子處理 可以采用氮?dú)庾鳛榈入x子體的反應(yīng)氣體源；在所述等離子處理后，在所述結(jié)構(gòu)表面上形成銅層，所述銅層可以采用濺射方法形成，所述銅層填充在小孔2131和縫隙2132；然后，可以采用化學(xué)氣相沉積法在所述銅層上形成氧化石墨烯層；之后，可以在所述氧化石墨烯層上形成聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)，PMMA用于保護(hù)所述氧化石墨烯層；此后，可以采用濕式刻蝕法去除所述銅層，此時，小孔2131和縫隙2132內(nèi)的銅被去除，從而重新暴露，并且在去除銅層后，所述氧化石墨烯層會代替原來的銅層而沉積至所述結(jié)構(gòu)表面上，并且所述氧化石墨烯層會填充被重新暴露的小孔2131和縫隙2132，此時可以去除PMMA；最后，可以通過烘烤工藝對所述氧化石墨烯層進(jìn)行固化處理。

其中，從天然一種從天然石墨制作氧化石墨烯的方法可以包括以下步驟：在80℃的溫度條件下，將天然石墨、濃硫酸、K₂S₂O₈和P₂O₅混合在一起4個小時；上述混合物冷卻至室溫，用去離子水稀釋，并靜置12小時；對上述靜置混合物進(jìn)行離心分離，并用去離子水沖洗，得到預(yù)氧化石墨；在冰水浴中，采用濃硫酸和KMnO₄對上述預(yù)氧化石墨進(jìn)行2小時的再氧化；用去離子水稀釋上述再氧化后的混合物，并在冰水浴中放置2小時，然后再次用去離子水稀釋，然后在混合物中加入H₂O₂以進(jìn)一步進(jìn)行氧化；對H₂O₂氧化后的混合物進(jìn)行離心分離，并且鹽酸和去離子水進(jìn)行沖洗，得到具有水溶性且具有優(yōu)良可流動性的氧化石墨烯。因此，上述步驟形成的所述氧化石墨烯運(yùn)可以用于作為所述可流動介質(zhì)層。

請繼續(xù)參考圖8，在固態(tài)介質(zhì)層215表面上形成停止層217。

圖中雖未顯示，但在形成停止層217后，本實施例繼續(xù)在停止層217上和所述外圍區(qū)形成第二介質(zhì)層(所述第二介質(zhì)層圖中同樣未顯示，所述第二介質(zhì)層主要是為了形成在所述外圍區(qū)中，因此后續(xù)需要去除位于核心區(qū)的所述第二介質(zhì)層)，然后進(jìn)行平坦化處理，直至以去除位于停止層217上的所述第二介質(zhì)層，并停止在停止層217，這個過程去除了位于所述核心區(qū)的所述第二介質(zhì)層。

本實施例中，所述平坦化可以采用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)方法進(jìn)行。

請參考圖9，回刻蝕剩余停止層217、掩膜層209、固態(tài)介質(zhì)層215和第一介質(zhì)層213，以暴露至少部分所述柵極疊層結(jié)構(gòu)，圖9顯示被暴露的所述柵極疊層結(jié)構(gòu)為控制柵層207，控制柵層207的頂部和部分側(cè)面在回刻蝕后被暴露出來。

本實施例中，采用干法刻蝕方法進(jìn)行所述回刻蝕，并且所述回刻蝕暴露至少部分所述控制柵層207的側(cè)面。所述回刻蝕采用的反應(yīng)氣體包括氟化碳。

需要說明的是，在一些情況下第一介質(zhì)層213上方仍然具有固態(tài)介質(zhì)層215，另一些情況下固態(tài)介質(zhì)層215僅填充在第一介質(zhì)層213頂部的小孔2131和縫隙2132中，即在圖9所示情況下，固態(tài)介質(zhì)層215僅保留固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152。

需要說明的是，本實施例中，如圖9所示，回刻蝕將位于第一介質(zhì)層213上的固態(tài)介質(zhì)層215全部去除，但保留填充在原來小孔2131和縫隙2132中的固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152，前面所述固態(tài)介質(zhì)層215厚度選擇保證了此回刻蝕步驟的實現(xiàn)。

本實施例中，由于前面形成有掩膜層209，因此在回刻蝕所述剩余停止層217和所述第一介質(zhì)層213時，同時回刻蝕掩膜層209。其它實施例中，當(dāng)未形成掩膜層209時，也可以不必刻蝕掩膜層209。

請參考圖10，在被暴露的所述柵極疊層結(jié)構(gòu)、所述第一介質(zhì)層213和固態(tài)介質(zhì)層215上沉積金屬硅化物219。

需要說明的是，在形成金屬硅化物219之前，通常會對前述步驟形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行清潔(清洗)。

具體的，形成金屬硅化物219覆蓋上述回刻蝕步驟后暴露的結(jié)構(gòu)表面，即包括控制柵層207的頂部表面和部分側(cè)面，第一介質(zhì)層213和固態(tài)介質(zhì)層215各方面。金屬硅化物219的形成過程包括快速熱退火等步驟，在此不再贅述。

本實施例中，所述金屬硅化物219可以為鎳金屬硅化物、鎢金屬硅化物、鉬金屬硅化物、鈦金屬硅化物、鈷金屬硅化物或者鉈金屬硅化物。

請參考圖11，去除位于固態(tài)介質(zhì)層215和第一介質(zhì)層213上的金屬硅化物219，而僅保留位于控制柵層207上的金屬硅化物219，這部分金屬硅化物219作為字線221。

本實施例中，去除固態(tài)介質(zhì)層215和第一介質(zhì)層213上的金屬硅化物219可以采用濕法刻蝕方法進(jìn)行。由于本實施例前面已經(jīng)形成固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152填充相應(yīng)的小孔2131和縫隙2132，因此，固態(tài)介質(zhì)層215和第一介質(zhì)層213上的金屬硅化物219能夠被完全選擇性去除，而不會殘留在固態(tài)介質(zhì)層215或第一介質(zhì)層213中。

本實施例所提供的形成方法中，在回刻蝕后的所述第一介質(zhì)層213和所述柵極疊層結(jié)構(gòu)表面形成可流動介質(zhì)層，然后對所述可流動介質(zhì)層進(jìn)行固化處理，以形成固態(tài)介質(zhì)層215，后續(xù)在固態(tài)介質(zhì)層215和第一介質(zhì)層213上沉積金屬硅化物219。通過在回刻蝕后的第一介質(zhì)層213表面形成可流動介質(zhì)層，能夠使可流動介質(zhì)層填充滿第一介質(zhì)層213頂部相應(yīng)的小孔2131和縫隙2132，并且后續(xù)對可流動介質(zhì)層進(jìn)行固化處理，從而使小孔2131和縫隙2132分別被固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152。當(dāng)在固態(tài)介質(zhì)層215和第一介質(zhì)層213上形成金屬硅化物219時，由于小孔2131和縫隙2132已經(jīng)被固態(tài)介質(zhì)層215的剩余部分(即固態(tài)介質(zhì)2151和固態(tài)介質(zhì)2152)填充，因而不會出現(xiàn)金屬硅化物219殘留在第一介質(zhì)層213的情況。固態(tài)介質(zhì)層215由可流動介質(zhì)層固化而成，因此固態(tài)介質(zhì)層215內(nèi)部不會出現(xiàn)小孔和縫隙，因此也不會出現(xiàn)金屬硅化物219殘留在固態(tài)介質(zhì)層215中的現(xiàn)象。所述方法提高了字線221之間介質(zhì)層(所述介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層213和固態(tài)介質(zhì)層215)的介電作用，降低了字線221之間發(fā)生漏電的風(fēng)險。

此外，本實施例所提供的形成方法中，由于能夠防止字線221之間的介質(zhì)層具有金屬硅化物，因此，不必嚴(yán)格地控制回刻蝕的刻蝕量，因此還能夠提高本實施例所述回刻蝕步驟的工藝窗口，從而提高整個NAND閃存形成工藝的工藝窗口。

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