1.一種冷卻器一體型半導體模塊，其特征在于，具備：
絕緣基板；
電路層，設置于所述絕緣基板的正面；
半導體元件，與所述電路層電連接；
金屬層，設置于所述絕緣基板的背面；
密封樹脂，覆蓋所述絕緣基板、所述電路層、所述半導體元件和所述金屬層的一部分；
冷卻器，配置于所述金屬層的下表面?zhèn)龋?/p>
鍍覆層，至少配置于所述密封樹脂的與所述冷卻器相向的面；以及
接合部件，將所述鍍覆層與所述冷卻器進行連接。
2.根據權利要求1所述的冷卻器一體型半導體模塊，其特征在于，
所述密封樹脂的與所述鍍覆層的界面的粗糙度以算術平均粗糙度計為5μm以上。
3.根據權利要求2所述的冷卻器一體型半導體模塊，其特征在于，
至少所述密封樹脂的與所述冷卻器相向的面是利用選自化學蝕刻、機械切削、噴砂法、激光處理中的任一方法進行粗糙化而成的面，或者是通過在傳遞成型用金屬模具上預先形成的粗糙面來成形的面。
4.根據權利要求1所述的冷卻器一體型半導體模塊，其特征在于，
所述接合部件的厚度為250μm以下。
5.根據權利要求1所述的冷卻器一體型半導體模塊，其特征在于，
所述接合部件是組成為Sn8％Sb3％Ag的焊料。
6.根據權利要求1所述的冷卻器一體型半導體模塊，其特征在于，
所述鍍覆層具有1μm以上且5μm以下的厚度，并含有選自銅、鎳、金、銀中的至少一種以上的金屬。