本發(fā)明涉及半導體光源封裝及半導體芯片制造領域。

背景技術：

半導體光源，如發(fā)光二極管led光源等，具有啟動時間短、亮度高、能耗低、體積小、壽命長、安全性高等優(yōu)點，正在逐步取代傳統(tǒng)鹵鎢燈、氙燈等能耗高、壽命短的光源，獲得了廣泛的應用。

普通大功率led模組的基板，傳熱性和絕緣性是矛盾的，如為了實現(xiàn)良好的導熱，led基板一般設計成共陽極的導電結構；而為了實現(xiàn)良好的絕緣性，又不得不犧牲熱傳導性。本發(fā)明就是設計一種復合高導熱絕緣金屬基板，解決上述問題。

技術實現(xiàn)要素：

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)半導體基板結構示意圖

圖2為本發(fā)明一種復合高導熱絕緣金屬基板結構示意圖

主要元件標記說明：

1、第一金屬層

2、第一絕緣層

3、第二金屬層

4、第二絕緣層

5、電路層

6、鉆孔

具體實施方式：

下面通過實施例，并結合附圖，對本發(fā)明的技術方案進行具體的說明。

如圖1展示了傳統(tǒng)半導體基板結構示意圖，其中第一金屬層1上層為第二絕緣層4，第二絕緣層4設置有開口，使電路層5的陽極與第一金屬層1形成通路，構成以第一金屬層1為陽極的共陽極結構。該傳統(tǒng)結構的特點是第一金屬層1的材料為高導熱性的銅、鋁，或合金材料，具有良好的導熱性，從而能夠滿足大功率半導體光源的散熱問題，但是以第一金屬層1為陽極的共陽極結構，造成該基板絕緣性能差，容易造成漏電、短路等，安裝使用不方便。

如圖2展示了本發(fā)明一種復合高導熱絕緣金屬基板結構示意圖，包括第一金屬層1，設置在第一金屬層1下層的第一絕緣層2，設置在第一絕緣層2下層的第二金屬層3，設置在所述第一金屬層上層的第二絕緣層4，設置在第二絕緣層4上層的電路層5，以及鉆孔6。其中，本發(fā)明基板的設置，主要創(chuàng)新點在于在原來的金屬基板的基礎上，在底面加上至少一層絕緣層和一層金屬層，使得上下兩層銅基板絕緣，即基板既通過第一金屬層1形成了共陽極結構，又通過第一絕緣層2與外界實現(xiàn)了電絕緣。所述第一金屬層厚度為0.8-1mm，所述第二金屬層厚度為0.8-1mm，從而保證了良好的導熱性，而所述絕緣層厚度控制在0.1mm以內，兼具良好的導熱性和電絕緣性。所述第一金屬層1下方的絕緣層與金屬層，數(shù)量可以根據需要增加，至少各為一層。所述金屬基板上的鉆孔深度至少到達第二金屬層，從而保證電絕緣性。

以上實施方案只為說明本發(fā)明技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人了解本發(fā)明新型的內容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明新型的保護范圍，凡根據本發(fā)明新型精神實質所做的等小變化或修飾均涵蓋在本發(fā)明新型的保護范圍內。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開一種復合高導熱絕緣金屬基板，包括第一金屬層，設置在第一金屬層下層的第一絕緣層，設置在第一絕緣層下層的第二金屬層，設置在所述第一金屬層上層的第二絕緣層，設置在第二絕緣層上層的電路層，以及鉆孔。其中第一金屬層形成共陽極電路，第一金屬層下層的第一絕緣層將共陽極電路與外部導體絕緣，從而使本發(fā)明復合高導熱絕緣金屬基板，既可以有金屬基板的高散熱性能，也可以有良好的絕緣性能，解決了目前超大功率LED光源對高導熱性和高絕緣性基板的需求，提供了一種高導熱、絕緣、緊湊的超大功率半導體LED光源基板設計方案。

技術研發(fā)人員：熊大曦
受保護的技術使用者：蘇州科醫(yī)世凱半導體技術有限責任公司
技術研發(fā)日：2016.02.03
技術公布日：2017.08.11