本發(fā)明涉及l(fā)ed封裝工藝，具體涉及一種封裝工藝中的焊線工藝。

背景技術(shù)：

led封裝工藝流程中，焊線是指將金線末端采用電子打火棒打火燒結(jié)成金球，再利用焊針經(jīng)由超聲波振蕩能量在一定的焊接壓力下讓金球與焊墊產(chǎn)生相對的摩擦運動，并借由快速摩擦產(chǎn)生的能量使金球與焊墊達到離子程度的熔接。焊線工藝是將芯片跟支架連接起來將電能轉(zhuǎn)化為光能最直接的體現(xiàn)。

現(xiàn)有技術(shù)中的焊線流程如圖1所示，其焊接過程如下，首先是金屬絲燒球焊接在ic上，形成一焊點，之后金屬絲與芯片一個電極連接，形成二焊點，然后金屬絲燒球焊接在芯片的另一個電極上，最后金屬絲與支架相連。由于工藝的限制，有燒球的一端與電極的焊接比較牢固。而現(xiàn)有芯片的尺寸比較小，比較常見的芯片是5*7mm或者4*6mm、甚至更小，其上設有兩個電極。在常規(guī)的焊線過程中，由于尺寸太小，焊接可能出現(xiàn)焊接干涉，會出現(xiàn)焊線脫落的現(xiàn)象，導致生產(chǎn)的led不合格。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種適合小尺寸芯片焊接的led封裝工藝中的焊線工藝。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：一種led封裝工藝中的焊線工藝，按照下述方式進行的：(1)金屬絲燒球、焊接到芯片一個電極上，金屬絲另一端焊接在ic電極上；(2)金屬絲燒球、焊接在芯片的另一個電極上，金屬絲另一端焊接在支架上。

所述芯片為紅芯片、綠芯片和藍芯片。

本發(fā)明中，金屬絲燒球端都是在芯片的兩個電極上，在芯片→ic、芯片→支架的焊接過程中，都是先焊接芯片上的電極，比較適合小尺寸芯片的焊接。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的焊接示意圖。

圖2為本發(fā)明的焊接示意圖。

圖3為本發(fā)明焊接示例圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖2和3所示，一種led封裝工藝中的焊線工藝，按照下述步驟進行的：

(1)金屬絲燒球、焊接到芯片一個電極上，形成一焊點；金屬絲另一端焊接在ic電極上，形成二焊點；

(2)金屬絲燒球、焊接在芯片的另一個電極上，金屬絲另一端焊接在支架上。

本發(fā)明中，金屬絲燒球端都是在芯片的兩個電極上，在芯片→ic、芯片→支架的焊接過程中，都是先焊接芯片上的電極，比較適合小尺寸芯片的焊接，盡可能的減少了脫線現(xiàn)象。其中所述芯片為紅芯片、綠芯片和藍芯片。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提提供一種適合小尺寸芯片焊接的LED封裝工藝中的焊線工藝。一種LED封裝工藝中的焊線工藝，按照下述方式進行的：(1)金屬絲燒球、焊接到芯片一個電極上，金屬絲另一端焊接在IC電極上；(2)金屬絲燒球、焊接在芯片的另一個電極上，金屬絲另一端焊接在支架上。本發(fā)明中，金屬絲燒球端都是在芯片的兩個電極上，在芯片→IC、芯片→支架的焊接過程中，都是先焊接芯片上的電極，比較適合小尺寸芯片的焊接。

技術(shù)研發(fā)人員：劉云;張景成;王永恒
受保護的技術(shù)使用者：河南翔云光電照明有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.13
技術(shù)公布日：2017.10.24