1.一種CMOS圖像傳感器，包括：
像素區(qū)域，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)并且包括配置為將輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的圖像感測(cè)元件；
多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離(BDTI)結(jié)構(gòu)，從所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)延伸至所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的位于所述像素區(qū)域的相對(duì)側(cè)上的位置處；以及
摻雜區(qū)域，橫向布置在所述多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間并且配置為使所述圖像感測(cè)元件與所述多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，
其中，所述圖像感測(cè)元件包括具有第一摻雜類(lèi)型的第一區(qū)域和第二摻雜類(lèi)型的第二區(qū)域的光電二極管，所述第二摻雜類(lèi)型不同于所述第一摻雜類(lèi)型；以及
其中，所述第一區(qū)域的相對(duì)側(cè)接觸所述第二區(qū)域和所述摻雜區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中，所述摻雜區(qū)域包括與所述光電二極管的第一區(qū)域垂直鄰接的p型區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述摻雜區(qū)域具有大于5e15摻雜劑/cm3的摻雜濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括：
后段制程(BEOL)金屬化堆疊件，布置在所述半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上并且包括布置在一個(gè)或多個(gè)層間介電層內(nèi)的多個(gè)金屬互連層，其中，所述半導(dǎo)體襯底的前側(cè)與所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)相對(duì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)從所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)垂直延伸穿過(guò)所述摻雜區(qū)域至與所述圖像感測(cè)元件橫向分離的位置處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)包括：
鈍化層，加襯于所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)內(nèi)的溝槽；以及
氧化物層，布置在所述溝槽內(nèi)并且通過(guò)高k介電層與所述鈍化層垂直并且橫向分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中，所述鈍化層在多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的鄰近的結(jié)構(gòu)之間在半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上方橫向延伸。
9.一種CMOS圖像傳感器，包括：
光電二極管，布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)；
多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離(BDTI)結(jié)構(gòu)，從所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)延伸至所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的位于所述光電二極管的相對(duì)側(cè)上的位置處；
摻雜區(qū)域，沿著所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)布置并且配置為使所述光電二極管與所述多個(gè)背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)分離；以及
后段制程(BEOL)金屬化堆疊件，布置在所述半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上并且包括布置在層間介電層內(nèi)的多個(gè)金屬互連層。
10.一種形成圖像傳感器的方法，包括：
將摻雜物質(zhì)注入半導(dǎo)體襯底以形成摻雜區(qū)域；
在所述半導(dǎo)體襯底的前側(cè)內(nèi)形成圖像感測(cè)元件；
蝕刻所述半導(dǎo)體襯底以形成延伸進(jìn)所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)的多個(gè)深溝槽，其中，所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)與所述半導(dǎo)體襯底的前側(cè)相對(duì)；以及
利用一種或多種介電材料填充所述多個(gè)深溝槽，以形成通過(guò)所述摻雜區(qū)域與所述圖像感測(cè)元件分離的背側(cè)深溝槽隔離(BDTI)結(jié)構(gòu)。