1.一種VDMOS集成ESD結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于,該方法通過以下步驟實現(xiàn)：
步驟一：在 n 型或者P型的重?fù)诫s的襯底上形成外延層；
步驟二：在外延層表面淀積氮化硅層，之后通過光刻工藝和干法刻蝕工藝將柵極區(qū)域或者終端預(yù)定做ESD的區(qū)域刻蝕掉，部分區(qū)域露出外延層，剩余區(qū)域仍然有氮化硅覆蓋；
步驟三：通過過爐管工藝在露出外延層的區(qū)域生長場氧化層；
步驟四：濕法腐蝕去掉氮化硅層，留下場氧化層圖形；
步驟五：通過光刻版及干法腐蝕工藝在有源區(qū)形成溝槽；
步驟六：經(jīng)過犧牲氧化、柵氧氧化，形成MOSFET器件柵氧；
步驟七：淀積多晶硅；
步驟八：通過多晶硅的光刻以及干法腐蝕工藝完成器件柵極以及ESD PN結(jié)的多晶硅圖形；
步驟九：P-BODY注入，形成P阱；
步驟十：source光刻以及source注入，形成器件源極的同時，在ESD多晶硅圖形上面完成PN結(jié)的結(jié)注入，形成ESD；
步驟十一：介質(zhì)淀積；
步驟十二：通過光刻和腐蝕工藝形成引線孔；
步驟十三：完成孔鎢填充，和表面金屬工藝形成器件正面結(jié)構(gòu)；
步驟十四：最后完成背面金屬工藝，形成器件漏端，完成最終器件結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS集成ESD結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述在露出外延層的區(qū)域內(nèi)的場氧化層向外延層內(nèi)延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的VDMOS集成ESD結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述外延層采用N型或者P型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VDMOS集成ESD結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述ESD位于柵極PAD周圍或者終端區(qū)域特定位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的VDMOS集成ESD結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述ESD由多對PN結(jié)結(jié)構(gòu)組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的VDMOS集成ESD結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述場氧化層的厚度為8000A至16000A。