1.一種膜電極的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
將聚合物膜置于卷軸上形成聚合物膜的傳輸帶，所述卷軸驅(qū)動(dòng)所述聚合物膜朝預(yù)定方向輸送并進(jìn)行收卷；
在所述聚合物膜平面兩側(cè)分別設(shè)置第一模板和第二模板，通過對(duì)所述模板加壓加熱，在所述聚合物膜表面形成陣列圖案；
在所述聚合物膜兩側(cè)形成催化劑層；
將所述聚合物膜切片，并進(jìn)行封邊處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述第一模板和所述第二模板均為多孔模板；所述多孔模板為可滾動(dòng)的圓柱形多孔模板；孔徑50nm～400nm，孔間距50nm～250nm，孔深0.5μm～2μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備工藝，其特征在于，所述加壓加熱步驟中，壓力為0.1MPa～50MPa，溫度為50℃～200℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制備工藝，其特征在于，所述第一模板設(shè)置在所述第二模板的垂直上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備工藝，其特征在于，所述聚合物膜為陽離子交換膜或陰離子交換膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備工藝，其特征在于，所述陽離子交換膜為全氟磺酸膜、部分氟化磺酸膜、非氟磺酸膜、磺化聚醚醚酮膜、磺化聚苯乙烯膜、磺化聚苯并咪哩膜、磺化聚酞亞胺膜、磺化聚礬膜或磺化聚醚礬膜中的至少一種；所述陰離子交換膜為季銨化聚礬膜、季銨化聚苯醚膜、季銨化聚苯乙烯膜中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備工藝，其特征在于，所述聚合物膜的厚度為10μm～150μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備工藝，其特征在于，所述聚合物膜兩側(cè)分別形成陽極催化劑層和陰極催化劑層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的制備工藝，其特征在于，所述的陽極或者陰極催化劑為具有高催化活性金屬材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備工藝，其特征在于，所述封邊步驟為熱壓工藝，溫度為80℃-200℃，壓力為0.1MPa-10MPa。