本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及的是一種可投影圖形、標(biāo)識(shí)、符號(hào)的精密微型封裝器件。

背景技術(shù)：

由于汽車高新技術(shù)的不斷革新、發(fā)展，不同品牌廠商日趨竟?fàn)幖ち?，加快新產(chǎn)品車型的研發(fā)，縮短整個(gè)開(kāi)發(fā)周期，同時(shí)又要降低控制整個(gè)開(kāi)發(fā)成本，因此現(xiàn)出來(lái)汽車家族化產(chǎn)品越來(lái)越多，如市場(chǎng)上出現(xiàn)很多類似高端汽車迎賓燈的汽標(biāo)識(shí)LOGO圖紙投射已成為一種品牌高辯識(shí)度、時(shí)尚、的高端裝配置；但由于目前迎賓燈采取的原理是：點(diǎn)/面發(fā)光二極管加不同圖片的菲林所達(dá)到的效果，由于菲林上圖案印刷精度有限，因此體積過(guò)于龐大，成本無(wú)法下降，因此體積縮小需將圖形與發(fā)光晶體的集成是應(yīng)該立即功克的一門技術(shù)；同時(shí)也成為如玩具、手機(jī)、電玩、學(xué)習(xí)等行業(yè)產(chǎn)品的品牌度辯識(shí)度的標(biāo)配件；同時(shí)也可以用為定位、識(shí)別及加裝紅外接收信息等配件，用途非常廣，已成時(shí)尚品；

目前發(fā)光二極管技術(shù)：發(fā)光特征是以發(fā)光晶體表面整面發(fā)光或點(diǎn)發(fā)光，通過(guò)周邊腔體（圓形、環(huán)形、隨圓形、方形）以一定的角度發(fā)光散出，其照射面積為面形；不具有投射的功能，由于發(fā)光面大其損耗的功率較大，同時(shí)又具有較大的發(fā)光角大，因此對(duì)投射光功率不足，不符合投射光的要求。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，需要改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種體積小，精度高、投影圖形多樣、成本低的精密微型封裝器件。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種可投影圖形、標(biāo)識(shí)、符號(hào)的精密微型封裝器件，包括發(fā)光晶體，發(fā)光晶體包括襯底（襯底襯底,碳化硅襯底及硅襯底等）材料層、在襯底材料層上方生長(zhǎng)二極管PN結(jié)、再利用激光束等加工方法打掉多余的部份保留需要的圖案形狀、同時(shí)利用電極覆蓋等方式屏避去多余的光、以及發(fā)光二極管PN結(jié)的P正極性電極和N負(fù)極性電極；其中，發(fā)光二極管PN結(jié)包括設(shè)置在下層的P結(jié)和設(shè)置在上層的N結(jié)。

應(yīng)用于上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，包括1個(gè)P正極性電極和2個(gè)N負(fù)極性電極；并且，包括有2個(gè)不同發(fā)光圖案的發(fā)光二極管PN結(jié)。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，1個(gè)P正極性電極設(shè)置在襯底材料層的底面，并且，2個(gè)N負(fù)極性電極設(shè)置在襯底材料層的頂面。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，1個(gè)P正極性電極和2個(gè)N負(fù)極性電極分別設(shè)置在襯底材料層的底面。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中， 1個(gè)或2個(gè)以上不同發(fā)光圖案發(fā)光二極管PN結(jié)的發(fā)光圖案分別為由點(diǎn)、直/曲線、圓/環(huán)/非圓形連續(xù)或非連續(xù)性組成的非規(guī)則圖形發(fā)光圖案、或LOGO標(biāo)識(shí)發(fā)光圖案、或符號(hào)發(fā)光圖案、或文數(shù)字發(fā)光圖案。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，還包括用于安裝發(fā)光晶體的電路基板，發(fā)光晶體中的1個(gè)P正極性電極通過(guò)固晶方式與電路基板固定，發(fā)光晶體的2個(gè)N負(fù)極性電極分別通過(guò)打線方式連接在電路基板設(shè)置的焊盤上。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，還包括用于安裝發(fā)光晶體的電路基板，發(fā)光體中的1個(gè)P正極性電極和2個(gè)N負(fù)極性電極分別通過(guò)超聲音波磨擦方式與電路基板連接。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，還包括有用于封裝發(fā)光晶體的LED封裝膠(環(huán)氧樹(shù)脂Epoxy Resin、硅膠Silicone、膠餅Molding Compond、硅樹(shù)脂Hybrid等)。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，還包括有用于封裝發(fā)光晶體的支架。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的精密微型封裝器件中，支架內(nèi)灌封有LED封裝膠。

采用上述方案，本發(fā)明通過(guò)發(fā)光二極管PN結(jié)直接形成投影圖案并生長(zhǎng)在襯底材料層上，如此，其應(yīng)用在迎賓燈時(shí)具有體積小，精度高、圖形多樣、成本低等特征，將所需圖形通過(guò)晶體生長(zhǎng)PN結(jié)方式，在相同功率的基礎(chǔ)上縮小發(fā)光晶體的發(fā)光截面，加強(qiáng)至所需圖形的發(fā)光截面內(nèi)，達(dá)到增加發(fā)光效果；由于圖形與發(fā)光晶體結(jié)合后，體積可以做到微米級(jí)，因此對(duì)研發(fā)整個(gè)投射封裝器件可以相應(yīng)的縮小；其成本及應(yīng)用領(lǐng)域可以進(jìn)一步拓展。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明中第一種實(shí)施方式的剖面結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明中第一種實(shí)施方式的俯視結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明中第一種實(shí)施方式的電路基板安裝結(jié)構(gòu)圖；

圖4為本發(fā)明中第二種實(shí)施方式的剖面結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明中第二種實(shí)施方式的俯視結(jié)構(gòu)圖；

圖6為本發(fā)明中第二種實(shí)施方式的電路基板安裝結(jié)構(gòu)圖；

圖7為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)圖一；

圖8為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)圖二；

圖9為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)圖三；

圖10為本發(fā)明中所形成投影圖案的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

本實(shí)施例提供了一種可投影圖形、標(biāo)識(shí)、符號(hào)的精密微型封裝器件，如圖1和圖4所示，精密微型封裝器件包括發(fā)光晶體8，發(fā)光晶體包括襯底，襯底設(shè)置為藍(lán)寶石,碳化硅襯底及硅襯底等，材料層4，發(fā)光二極管PN結(jié)通過(guò)長(zhǎng)生的方式設(shè)置在襯底材料層4上，發(fā)光二極管PN結(jié)生長(zhǎng)之后，再利用激光束等加工方法打掉多余的部份保留需要的圖案形狀、同時(shí)利用電極覆蓋等方式屏避去多余的光，即將所需圖形的發(fā)光二極管PN結(jié)通過(guò)晶體生長(zhǎng)PN結(jié)方式設(shè)置在襯底材料層4上，其中，發(fā)光二極管PN結(jié)在襯底材料層上表面，發(fā)光二極管PN結(jié)可以根據(jù)需要通過(guò)晶體生長(zhǎng)二極管PN結(jié)、再利用激光束等加工方法打掉多余的部份保留需要的圖案形狀、同時(shí)利用電極覆蓋等方式屏避去多余的光，發(fā)光二極管PN結(jié)包括設(shè)置在下層的P結(jié)3和設(shè)置在上層的N結(jié)2。

并且，如圖1和2所示，發(fā)光晶體8還設(shè)置有發(fā)光二極管PN結(jié)的P正極性電極5和N負(fù)極性電極1，其中，發(fā)光二極管PN結(jié)包括1個(gè)P正極性電極5和2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102，1個(gè)P正極性電極5設(shè)置在襯底材料層4的底面，2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102分別設(shè)置在襯底材料層的頂面；并且，包括有2個(gè)（1個(gè)或2個(gè)以上）不同發(fā)光圖案的發(fā)光二極管PN結(jié)，例如，包括不同的發(fā)光圖案為發(fā)光圖案6和發(fā)光圖案7，如圖10所示，發(fā)光圖案6和發(fā)光圖案7可以分別設(shè)置為點(diǎn)、直/曲線、圓/環(huán)/非圓形等連續(xù)或非連續(xù)性等非規(guī)則圖形圖案、LOGO標(biāo)識(shí)圖案、符號(hào)圖案、文數(shù)字圖案，或以上各圖案的組合體圖案，發(fā)光圖案6和發(fā)光圖案7通過(guò)晶體生長(zhǎng)PN結(jié)方式設(shè)置在襯底材料層4上。

或者，如圖4和圖5所示，發(fā)光二極管PN結(jié)包括1個(gè)P正極性電極5和2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102，1個(gè)P正極性電極5和2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102都分別設(shè)置在襯底材料層的底面，其中，是通過(guò)將發(fā)光晶體的2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102通過(guò)側(cè)面導(dǎo)通孔引至到襯底材料層的底面，并同P正極性電極5在同一面，如此，在安裝到電路基板時(shí)，安裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；并且，其也包括有2個(gè)不同發(fā)光圖案的發(fā)光二極管PN結(jié)，例如，包括不同的發(fā)光圖案為發(fā)光圖案6和發(fā)光圖案7，如圖10所示，發(fā)光圖案6和發(fā)光圖案7可以分別設(shè)置為點(diǎn)、直/曲線、圓/環(huán)/非圓形等連續(xù)或非連續(xù)性等非規(guī)則圖形圖案、LOGO標(biāo)識(shí)圖案、符號(hào)圖案、文數(shù)字圖案，或以上各圖案的組合體圖案，發(fā)光圖案6和發(fā)光圖案7通過(guò)晶體生長(zhǎng)PN結(jié)方式設(shè)置在襯底材料層4上。

其中，發(fā)光晶體表面只有相發(fā)光圖形為發(fā)光窗口，其它均為不發(fā)光屏壁層，因此在發(fā)光時(shí)晶體表面不發(fā)光面會(huì)有反光造成：光亮暗不均、不飽和、不清晰、有重影、有光刺等不良現(xiàn)象；因此將發(fā)光晶體的不光面進(jìn)行進(jìn)反射面“霧化”處理，使反射光進(jìn)行慢反射來(lái)減弱光的反射，克服此現(xiàn)象。

發(fā)光晶體8與電路基板10的連接如圖3和圖6所示，電路基板10用于安裝發(fā)光晶體8，在1個(gè)P正極性電極5設(shè)置在襯底材料層4的底面，2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102分別設(shè)置在襯底材料層的頂面時(shí)，發(fā)光晶體8中的1個(gè)P正極性電極通過(guò)銀膠11與電路基板粘貼固定，發(fā)光晶體8的2個(gè)N負(fù)極性電極分別通過(guò)連接線12粘貼在電路基板10設(shè)置的焊盤14上，其中，在粘貼時(shí)，可以采用UV膠13進(jìn)行粘貼，如圖3所示，粘合完后需經(jīng)高溫烘烤固化；在采取超高精密自動(dòng)化打線機(jī)進(jìn)行與焊盤14正負(fù)極性連接，連接線12質(zhì)為Gold、Silver或合金線；打線完成后需在線與焊盤的固定端點(diǎn)UV膠固定（5.UV膠）；或者，連接線12還可以通過(guò)焊接的方式直接焊接在電路基板10設(shè)置的焊盤14上，如圖7所示。

或者，在1個(gè)P正極性電極5和2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102都分別設(shè)置在襯底材料層的底面時(shí)，電路基板10用于安裝發(fā)光晶體8，發(fā)光體中的1個(gè)P正極性電極5和2個(gè)N負(fù)極性電極101和N負(fù)極性電極102分別通過(guò)粘合層9與電路基板10連接，粘合后，再通過(guò)金線或銀線、合金線連通電連接，發(fā)光晶體與電路基板進(jìn)行軍工高精密-超聲波摩磨粘合技術(shù)，具有高粘合牢固，精準(zhǔn)等特點(diǎn)。

或者，如圖7所示，還在發(fā)光晶體的外圍封裝有LED封裝膠15，例如，環(huán)氧樹(shù)脂Epoxy Resin、硅膠Silicone、膠餅Molding Compond、硅樹(shù)脂Hybrid等對(duì)發(fā)光晶體的表面進(jìn)行封膠，封膠15對(duì)整個(gè)發(fā)光晶體起到保護(hù)作用，同時(shí)也可增加發(fā)光視角。

又或者，如圖8和9所示，還可以通過(guò)H/S支架16封裝發(fā)光晶體，并且，還可以選擇在H/S支架內(nèi)灌封LED封裝膠17，或者，選擇不在H/S支架內(nèi)灌封膠17，從而增加產(chǎn)品可靠性。

電路基板可采用硬板FR-4黑/白料或柔性FPC加PI棕/黑色加強(qiáng)板，同時(shí)也采用柔性FPC加硬板FR-4軟硬結(jié)合板等組合方式；發(fā)光晶體的體積可以控制在300um~1000um之間；并實(shí)現(xiàn)光譜：400～760nm;實(shí)現(xiàn)微型封裝元器件并應(yīng)用到各行業(yè)。

可直接投射圖形、LGOG標(biāo)識(shí)、符號(hào)，文數(shù)字的發(fā)光二極管晶體，即將所需圖形通過(guò)晶體生長(zhǎng)PN結(jié)方式，在相同功率的基礎(chǔ)上縮小發(fā)光晶體的發(fā)光截面，加強(qiáng)至所需圖形的發(fā)光截面內(nèi)，達(dá)到增加發(fā)光效果；由于圖形與發(fā)光晶體結(jié)合后，體積可以做到微米級(jí)，因此對(duì)研發(fā)整個(gè)投射封裝器件可以相應(yīng)的縮?。黄涑杀炯皯?yīng)用領(lǐng)域可以進(jìn)一步拓展。

以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。