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      LED芯片及其形成方法與流程

      文檔序號:11136727閱讀:來源:國知局
      技術(shù)總結(jié)
      一種LED芯片及其形成方法,方法包括:提供第一襯底,第一襯底上有由下到上包括第一半導體層、有源層和第二半導體層的前端結(jié)構(gòu),前端結(jié)構(gòu)有第一區(qū)和第二區(qū);在第一區(qū)形成貫穿第二半導體層和有源層的凹槽;在凹槽周圍第一區(qū)第二半導體層頂部表面形成連接導電層;形成覆蓋連接導電層及凹槽側(cè)壁且暴露凹槽底部的第一半導體層和第二區(qū)第二半導體層頂部表面的絕緣層;進行鍵合處理,使絕緣層、凹槽底部的第一半導體層及第二區(qū)第二半導體層通過鍵合體和第二襯底結(jié)合;之后去除第一襯底;刻蝕第二區(qū)和部分第一區(qū)的前端結(jié)構(gòu),分別對應(yīng)露出部分的鍵合體和連接導電層;在連接導電層和鍵合體表面形成電極層。該方法能降低LED芯片板上芯片封裝復雜度。

      技術(shù)研發(fā)人員:童玲;徐慧文
      受保護的技術(shù)使用者:映瑞光電科技(上海)有限公司
      文檔號碼:201611037504
      技術(shù)研發(fā)日:2016.11.23
      技術(shù)公布日:2017.02.15

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