一種雙面ito導(dǎo)電膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及導(dǎo)電膜領(lǐng)域領(lǐng)域，特別涉及一種雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 觸摸式屏幕在手機(jī)和平板電腦等有著越來越多的應(yīng)用，觸摸屏作為一種新型的輸 出設(shè)備已十分流行和普遍，因此作為觸摸屏必不可少的透明導(dǎo)電膜需求量也越來也大。ΙΤ0 導(dǎo)電膜玻璃，即氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導(dǎo)電膜玻璃，多通過ΙΤ0導(dǎo)電膜玻璃生產(chǎn) 線，在高度凈化的廠房環(huán)境中，利用平面磁控技術(shù)，在超薄玻璃上濺射氧化銦錫導(dǎo)電薄膜鍍 層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術(shù)產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛地用于液晶顯示器(LCD)、太陽能電池、 微電子ΙΤ0導(dǎo)電膜玻璃、光電子和各種光學(xué)領(lǐng)域。在應(yīng)用的過程中，導(dǎo)電膜的透光率、顏色b* 值和鉛筆硬度等各項綜合性能都較好的雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜。 【實用新型內(nèi)容】
[0003] 綜上所述，本實用新型有必要提供一種雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜。
[0004] -種雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜，包括基材，在所述基材的兩面依次設(shè)置有折射率調(diào)整層，光 學(xué)調(diào)整層和ΙΤ0導(dǎo)電層;所述折射率調(diào)整層的厚度為0.5-2.5μπι;所述光學(xué)調(diào)整層的厚度為 10_40nm;所述ΙΤ0導(dǎo)電層的厚度為15_30nm。
[0005] 進(jìn)一步地，所述基材選擇PET基材、C0C基材、COP基材。
[0006] 進(jìn)一步地，所述折射率調(diào)整層的折射率介于1.55-1.75之間，優(yōu)選為1.6-1.7之間。
[0007] 進(jìn)一步地，所述光學(xué)調(diào)整層的的折射率介于1.35-1.55之間，優(yōu)選為1.4-1.5之間。
[0008] 進(jìn)一步地，所述光學(xué)調(diào)整層的材質(zhì)為二氧化硅。
[0009] 進(jìn)一步地，所述折射率調(diào)整層的厚度優(yōu)選為1.0-1.5μπι，所述光學(xué)調(diào)整層的厚度優(yōu) 選為20-30nm，所述ΙΤ0導(dǎo)電層的厚度優(yōu)選為20-25nm。
[0010] 進(jìn)一步地，所述折射率調(diào)整層的厚度為Ι.Ομπι，所述光學(xué)調(diào)整層的厚度為20nm，所 述ΙΤ0導(dǎo)電層的厚度為23nm〇
[0011] 優(yōu)選地，所述折射率調(diào)整層通過濕式涂布的方法制備，所述光學(xué)調(diào)整層和ΙΤ0導(dǎo)電 層通過干式鍍膜的方法制備。
[0012] 相較現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型制得的雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜透光率好，顏色b*值適中，鉛筆 硬度較高，外觀也好較好，且表面電阻小，且厚度較小，熱穩(wěn)定性較好。
【附圖說明】

[0013] 圖1為實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0014] 下面結(jié)合一些【具體實施方式】對本實用新型做進(jìn)一步描述。具體實施例為進(jìn)一步詳 細(xì)說明本實用新型，非限定本實用新型的保護(hù)范圍。
[0015] 對本實用新型所用的材料的說明：
[0016] PET:聚對苯二甲酸乙二醇酯 [0017]實施例的原料來自市售。
[0018]測試方法
[0019]熱穩(wěn)定性測量方法為在150°C的空氣中，加熱60分鐘后，計算ΙΤ0導(dǎo)電膜方塊電阻 值與原方塊電阻的比值。
[0020] 透光率用透射霧影儀測量。
[0021] 表面電阻量測方式：使用表面電阻量測儀搭配四點探針（Mitsubishi制造 MCP-7370)，量測薄膜表面之電阻。
[0022]鉛筆硬度:用鉛筆硬度測試儀測試。
[0023]顏色b*值:使用分光色差儀量測產(chǎn)品的Lab值，其中b*值越大代表顏色越篇黃。 [0024]外觀評判:將膜已懸吊方式調(diào)掛于治具上，以三波段燈源觀察膜面，檢測是否有MD 向或部規(guī)則變形。
[0025] 有無 ΙΤ0時顏色差異：將部分ΙΤ0以類王水蝕刻掉留下Si02層，并于ΙΤ0表面貼附 0CA膠后，以三波段光源觀察有無 ΙΤ0之區(qū)域，無顏色差異或輕微顏色差異時時則判定為0K。
[0026] 實施例1
[0027] 如圖1所示，一種雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜，包括基材1，在所述基材的兩面依次設(shè)置有折射 率調(diào)整層2,光學(xué)調(diào)整層3和ΙΤ0導(dǎo)電層4;
[0028]基材的材質(zhì)為PET;
[0029] 折射率調(diào)整層的折射率為1.65，折射率調(diào)整層的厚度為0.5μπι;
[0030] 光學(xué)調(diào)整層的材質(zhì)為二氧化硅材質(zhì)，光學(xué)調(diào)整層的厚度為20nm;
[0031] 所述ΙΤ0導(dǎo)電層的厚度為20nm〇
[0032] 實施例2
[0033] 如圖1所示，一種雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜，包括基材1，在所述基材的兩面依次設(shè)置有折射 率調(diào)整層2,光學(xué)調(diào)整層3和ΙΤ0導(dǎo)電層4;
[0034]基材的材質(zhì)為PET;
[0035] 折射率調(diào)整層的折射率為1.65，折射率調(diào)整層的厚度為2.5μπι;
[0036] 光學(xué)調(diào)整層的材質(zhì)為二氧化硅材質(zhì)，光學(xué)調(diào)整層的厚度為20nm;
[0037] 所述ΙΤ0導(dǎo)電層的厚度為20nm〇
[0038] 實施例3
[0039] 如圖1所示，一種雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜，包括基材1，在所述基材的兩面依次設(shè)置有折射 率調(diào)整層2,光學(xué)調(diào)整層3和ΙΤ0導(dǎo)電層4;
[0040] 基材的材質(zhì)為PET;
[0041 ]折射率調(diào)整層的折射率為1.65，折射率調(diào)整層的厚度為Ιμπι;
[0042] 光學(xué)調(diào)整層的材質(zhì)為二氧化硅材質(zhì)，光學(xué)調(diào)整層的厚度為25nm;
[0043] 所述ΙΤ0導(dǎo)電層的厚度為25nm〇
[0044] 實施例4
[0045] 如圖1所示，一種雙面ΙΤ0導(dǎo)電膜，包括基材1，在所述基材的兩面依次設(shè)置有折射 率調(diào)整層2,光學(xué)調(diào)整層3和ΙΤ0導(dǎo)電層4;
[0046] 基材的材質(zhì)為PET;
[0047] 折射率調(diào)整層的折射率為1.7,折射率調(diào)整層的厚度為1.5μπι;
[0048] 光學(xué)調(diào)整層的材質(zhì)為二氧化硅材質(zhì)，光學(xué)調(diào)整層的厚度為40nm;
[0049] 所述ΙΤ0導(dǎo)電層的厚度為30nm〇
[0050] 實施例1至實施例4中的折射率調(diào)整層通過濕式涂布的方法制備，光學(xué)調(diào)整層和 ΙΤ0導(dǎo)電層通過干式鍍膜的方法制備。
[0051] 表 1
[0052] _
[0053] 以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是 利用本實用新型說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相 關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種雙面ITO導(dǎo)電膜，其特征在于： 包括基材，在所述基材的兩面依次設(shè)置有折射率調(diào)整層，光學(xué)調(diào)整層和ΙΤ0導(dǎo)電層； 所述折射率調(diào)整層的厚度為0.5-2.5μπι; 所述光學(xué)調(diào)整層的厚度為l〇-40nm; 所述ITO導(dǎo)電層的厚度為15-30nm。2. 如權(quán)利要求1所述的雙面ITO導(dǎo)電膜，其特征在于： 所述基材選擇PET基材、C0C基材或COP基材。3. 如權(quán)利要求2所述的雙面IT0導(dǎo)電膜，其特征在于： 所述折射率調(diào)整層的折射率介于1.55-1.75之間，優(yōu)選為1.6-1.7之間。4. 如權(quán)利要求3所述的雙面IT0導(dǎo)電膜，其特征在于： 所述光學(xué)調(diào)整層的折射率介于1.35-1.55之間，優(yōu)選為1.4-1.5之間。5. 如權(quán)利要求3所述的雙面IT0導(dǎo)電膜，其特征在于： 所述光學(xué)調(diào)整層的材質(zhì)為二氧化硅。6. 如權(quán)利要求2所述的雙面IT0導(dǎo)電膜，其特征在于： 所述折射率調(diào)整層的厚度優(yōu)選為1.〇-1.5以111，所述光學(xué)調(diào)整層的厚度優(yōu)選為2〇-3〇11111， 所述IT0導(dǎo)電層的厚度優(yōu)選為20-25nm〇7. 如權(quán)利要求2所述的雙面ITO導(dǎo)電膜，其特征在于： 所述折射率調(diào)整層的厚度為Ι.Ομπι，所述光學(xué)調(diào)整層的厚度為20nm，所述IT0導(dǎo)電層的 厚度為23nm〇
【專利摘要】本實用新型提供一種雙面ITO導(dǎo)電膜，包括基材，在所述基材的兩面依次設(shè)置有折射率調(diào)整層，光學(xué)調(diào)整層和ITO導(dǎo)電層；所述折射率調(diào)整層的厚度為0.5-2.5μm；所述光學(xué)調(diào)整層的厚度為10-40nm；所述ITO導(dǎo)電層的厚度為15-30nm，所述ITO導(dǎo)電膜，其透光率好，顏色b*值適中，鉛筆硬度較高，外觀也好較好，且表面電阻小，且厚度較小，熱穩(wěn)定性較好。
【IPC分類】H01B5/14, G06F3/041
【公開號】CN205384882
【申請?zhí)枴緾N201620046793
【發(fā)明人】胡文瑋
【申請人】汕頭萬順包裝材料股份有限公司, 汕頭萬順包裝材料股份有限公司光電薄膜分公司
【公開日】2016年7月13日
【申請日】2016年1月16日