一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于晶元生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤。
【背景技術(shù)】
[0002]使用現(xiàn)有的噴氣盤，以化學(xué)氣相沉積法在晶元上形成的掩膜層碳厚度的形貌是晶元中心厚、邊上薄，厚度的差異是在40納米左右。如果應(yīng)用現(xiàn)有的掩膜層碳，在經(jīng)過接下來的刻蝕制程(晶元邊上刻蝕相對(duì)中心較慢)之后，會(huì)導(dǎo)致晶元邊上比中心的關(guān)鍵尺寸偏小3納米左右。晶元中心和邊上在刻蝕之后的關(guān)鍵尺寸差值(3納米左右)直接影響到了金屬導(dǎo)線電阻值、良率以及可靠性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，使用該改進(jìn)的噴氣盤其可降低晶元邊上掩膜層碳的厚度，提高刻蝕之后關(guān)鍵尺寸的均勻度，最終使廣品的良率和可靠性得到提尚。
[0004]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，所述噴氣盤的工作面板包括中部圓形區(qū)域和邊緣的環(huán)形區(qū)域，所述圓形區(qū)域上均勻密布有若干大噴氣孔，所述環(huán)形區(qū)域上均勻密布有若干小噴氣孔，所述環(huán)形區(qū)域的面積為圓形區(qū)域面積的45%-60%，所述小噴氣孔的孔徑為所述大噴氣孔孔徑的20%-40%。其中大噴氣孔的孔徑和形狀與現(xiàn)有使用的噴氣盤上的噴氣孔保持一致，小噴氣孔按照上述比例對(duì)大噴氣孔進(jìn)行縮小制得，即小噴氣孔與大噴氣孔形狀相似，只是孔徑較小。圓形區(qū)域與環(huán)形區(qū)域的分界線為所有最外側(cè)大噴氣孔相內(nèi)切的圓周。
[0005]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。
[0006]進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域和環(huán)形區(qū)域共平面且共圓心。
[0007]進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域上的大噴氣孔及所述環(huán)形區(qū)域上的小噴氣孔均呈圓形陣列分布O
[0008]進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域的半徑為120mm,所述環(huán)形區(qū)域外圓的半徑為150_。
[0009]進(jìn)一步，所述環(huán)形區(qū)域面積為圓形區(qū)域面積的56.25%。
[0010]進(jìn)一步，所述小噴氣孔的孔徑為所述大噴氣孔孔徑的30%。
[0011]進(jìn)一步，所述噴氣盤的工作面板由中部的所述圓形區(qū)域和邊緣的所述環(huán)形區(qū)域一體成型制成。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:通過縮小噴氣盤邊緣一定區(qū)域(即所述環(huán)形區(qū)域)上的噴氣孔的孔徑(即得到小噴氣孔)，得到改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，使用該改進(jìn)的噴氣盤制得的晶元掩膜層的邊緣區(qū)域比未改進(jìn)之前噴氣盤制得的更薄(改進(jìn)后噴氣盤制得的晶元掩膜層中間比邊緣厚70nm左右)，然后按照現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行刻蝕制程，晶元邊緣刻蝕之后的關(guān)鍵尺寸接近晶兀中心的關(guān)鍵尺寸，改善了均勾度，最終廣品的良率和可靠性得到提尚。
【附圖說明】

[0013]圖1為本實(shí)用新型提供的噴氣盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:
[0015]1.圓形區(qū)域;2.大噴氣孔;3.環(huán)形區(qū)域;4.小噴氣孔。
【具體實(shí)施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0017]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，所述噴氣盤的工作面板包括中部圓形區(qū)域I和邊緣的環(huán)形區(qū)域3，所述圓形區(qū)域I上均勻密布有若干大噴氣孔2，所述環(huán)形區(qū)域3上均勻密布有若干小噴氣孔4，所述環(huán)形區(qū)域3的面積為圓形區(qū)域I面積的45 % -60 %，所述小噴氣孔4的孔徑為所述大噴氣孔2孔徑的20 % -40 %。圓形區(qū)域與環(huán)形區(qū)域的分界線為所有最外側(cè)大噴氣孔相內(nèi)切的圓周，如圖1中的虛線所示，噴氣盤實(shí)物中并無很明顯的連續(xù)界線。
[0018]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。
[0019]進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域I和環(huán)形區(qū)域3共平面且共圓心。
[0020]進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域I上的大噴氣孔2及所述環(huán)形區(qū)域3上的小噴氣孔4均呈圓形陣列分布。
[0021]進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域I的半徑為120mm，所述環(huán)形區(qū)域3外圓的半徑為150mm。
[0022]進(jìn)一步，所述環(huán)形區(qū)域3面積為圓形區(qū)域I面積的56.25%。
[0023]進(jìn)一步，所述小噴氣孔4的孔徑為所述大噴氣孔2孔徑的30%。
[0024]進(jìn)一步，所述噴氣盤的工作面板通過由中部的所述圓形區(qū)域I和邊緣的所述環(huán)形區(qū)域3—體成型制成。
[0025]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，其特征在于，所述噴氣盤的工作面板包括中部的圓形區(qū)域(I)和邊緣的環(huán)形區(qū)域(3)，所述圓形區(qū)域(I)上均勻密布有若干大噴氣孔(2)，所述環(huán)形區(qū)域(3)上均勻密布有若干小噴氣孔(4)，所述環(huán)形區(qū)域(3)的面積為圓形區(qū)域(I)面積的45%~60% ,所述小噴氣孔(4)的孔徑為所述大噴氣孔(2)孔徑的20%-40%。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，其特征在于，所述圓形區(qū)域(I)和環(huán)形區(qū)域(3)共平面且共圓心。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，其特征在于，所述圓形區(qū)域(I)上的大噴氣孔(2)及所述環(huán)形區(qū)域(3)上的小噴氣孔(4)均呈圓形陣列分布。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，其特征在于，所述圓形區(qū)域(I)的半徑為120mm,所述環(huán)形區(qū)域⑶外圓的半徑為150_。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，其特征在于，所述環(huán)形區(qū)域(3)面積為圓形區(qū)域(I)面積的56.25%。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，其特征在于，所述小噴氣孔(4)的孔徑為所述大噴氣孔(2)孔徑的30%。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，其特征在于，所述噴氣盤的工作面板由中部的所述圓形區(qū)域(I)和邊緣的所述環(huán)形區(qū)域(3) —體成型制成。
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于晶元生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤，所述噴氣盤的工作面板包括中部圓形區(qū)域和邊緣的環(huán)形區(qū)域，所述圓形區(qū)域上均勻密布有若干大噴氣孔，所述環(huán)形區(qū)域上均勻密布有若干小噴氣孔，所述環(huán)形區(qū)域的面積為圓形區(qū)域面積的45％?60％，所述小噴氣孔的孔徑為所述大噴氣孔孔徑的20％?40％。本實(shí)用新型的有益效果為，通過縮小噴氣盤邊緣一定區(qū)域上的噴氣孔的孔徑得到改進(jìn)的噴氣盤，使用該改進(jìn)的噴氣盤制得的晶元掩膜層的邊緣區(qū)域比未改進(jìn)之前噴氣盤制得的更薄，然后按照現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行刻蝕制程，晶元邊緣刻蝕之后的關(guān)鍵尺寸接近晶元中心的關(guān)鍵尺寸，改善了均勻度，最終產(chǎn)品的良率和可靠性得到提高。
【IPC分類】H01L21/67
【公開號(hào)】CN205385013
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620143930
【發(fā)明人】李艷鋒
【申請(qǐng)人】武漢新芯集成電路制造有限公司
【公開日】2016年7月13日
【申請(qǐng)日】2016年2月25日