高效率串聯(lián)oled器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高效率串聯(lián)OLED器件，包括基底，所述基底的頂部設(shè)有ITO陽(yáng)極，且ITO陽(yáng)極的頂部設(shè)有空穴注入層，所述空穴注入層的頂部設(shè)有第一電致發(fā)光單元，所述第一電致發(fā)光單元包括第一空穴傳輸層、第一有機(jī)發(fā)光層和第一電子傳輸層，所述第一電子傳輸層位于第一有機(jī)發(fā)光層的頂部，且第一有機(jī)發(fā)光層位于第一空穴傳輸層的頂部，所述第一電致發(fā)光單元的頂部設(shè)有中間連接層，所述中間連接層包括電子提取層和電子接受層。本實(shí)用新型利用抗氧化層C60消除Al?MoO3界面的氧化還原反應(yīng)所引起的橫向電流擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)中間連接層金屬材料的厚度優(yōu)化從而提高器件性能，能夠改善器件的效率以及減少效率的滑落和較低的驅(qū)動(dòng)電壓。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
高效率串聯(lián)OLED器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及有機(jī)發(fā)光二極管器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高效率串聯(lián)OLED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管作為一種全新的半導(dǎo)體發(fā)光技術(shù)，其在顯示領(lǐng)域和照明方面的巨大應(yīng)用，近年來(lái)受到了廣泛的關(guān)注;為了使OLED更快的進(jìn)入顯示和照明領(lǐng)域，需要進(jìn)一步提高OLED器件的性能，并且隨著技術(shù)的進(jìn)步，顯示和照明市場(chǎng)將向大尺寸OLED器件方向發(fā)展，而由于OLED是電流驅(qū)動(dòng)器件，大尺寸的OLED需要大電流，其亮度與電流密度成比例，但其壽命與電流密度成反比；為了顯著改善大尺寸OLED的器件性能以及增加其壽命，串聯(lián)OLED被提出。
[0003]串聯(lián)OLED器件通過(guò)連接層堆疊若干個(gè)EL單元并使用單個(gè)電源驅(qū)動(dòng)所組成;與傳統(tǒng)OLED相比較，串聯(lián)OLED器件各EL模塊之間相互獨(dú)立，在材料選擇與搭配上具有更大的靈活性，且可以各自分別進(jìn)行性能優(yōu)化，同時(shí)也易于實(shí)現(xiàn)對(duì)顏色的調(diào)節(jié)；串聯(lián)OLED在相同的驅(qū)動(dòng)電流下，發(fā)光亮度的增加使得發(fā)光效率也隨著增加;對(duì)于串聯(lián)OLED器件而言，中間連接層起著至關(guān)重要的作用；中間連接層不僅具有連接各個(gè)發(fā)光單元的作用，還負(fù)責(zé)電荷的生產(chǎn)、傳輸、以及將載流子注入到各功能層材料的作用；因此，中間連接層的設(shè)計(jì)以及優(yōu)化也成為了串聯(lián)OLED器件研究工作的重要部分。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的尚效率串聯(lián)OLED器件。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案:
[0006]高效率串聯(lián)OLED器件，包括基底，所述基底的頂部設(shè)有ITO陽(yáng)極，且ITO陽(yáng)極的頂部設(shè)有空穴注入層，所述空穴注入層的頂部設(shè)有第一電致發(fā)光單元，所述第一電致發(fā)光單元包括第一空穴傳輸層、第一有機(jī)發(fā)光層和第一電子傳輸層，所述第一電子傳輸層位于第一有機(jī)發(fā)光層的頂部，且第一有機(jī)發(fā)光層位于第一空穴傳輸層的頂部，所述第一電致發(fā)光單元的頂部設(shè)有中間連接層，所述中間連接層包括電子提取層和電子接受層，所述電子接受層位于電子提取層的頂部，且電子提取層包括有機(jī)材料層和金屬材料層，所述有機(jī)材料層位于金屬材料層的底部，所述中間連接層的頂部設(shè)有第二電致發(fā)光單元，所述第二電致發(fā)光單元包括第二空穴傳輸層、第二有機(jī)發(fā)光層和第二電子傳輸層，所述第二電子傳輸層位于第二有機(jī)發(fā)光層的頂部，且第二有機(jī)發(fā)光層位于第二空穴傳輸層的頂部，所述第二電致發(fā)光單元的頂部設(shè)有電子注入層，所述電子注入層的頂部設(shè)有陰極。
[0007]優(yōu)選的，所述基底為透光性好的玻璃基底。
[0008]優(yōu)選的，所述ITO陽(yáng)極為氧化銦錫，且光刻于基底的頂部，所述陰極為金屬鋁陰極。
[0009]優(yōu)選的，所述空穴注入層為Mo03材質(zhì)制成。
[0010]優(yōu)選的，所述第一電致發(fā)光單元由第一空穴傳輸層、第一有機(jī)發(fā)光層和第一電子傳輸層疊層組成，且第一空穴傳輸層為CBP材料制成，第一有機(jī)發(fā)光層為綠光發(fā)光材料制成，所述第二電致發(fā)光單元與第一電致發(fā)光單元結(jié)構(gòu)相同。
[0011]優(yōu)選的，所述中間連接層由電子提取層和電子接受層堆疊組成，且電子提取層為有機(jī)材料層和金屬材料層堆疊而成，電子接受層為MO03材料制成。
[0012]本實(shí)用新型中，所述高效率串聯(lián)OLED器件利用抗氧化層C60消除Al-Mo03界面的氧化還原反應(yīng)所引起的橫向電流擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)中間連接層金屬材料的厚度優(yōu)化從而提高器件性能，能夠改善器件的效率以及減少效率的滑落和較低的驅(qū)動(dòng)電壓。
【附圖說(shuō)明】

[0013]圖1為本實(shí)用新型提出的高效率串聯(lián)OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中:I基底、2ITO陽(yáng)極、3空穴注入層、4第一電致發(fā)光單元、41第一空穴傳輸層、42第一有機(jī)發(fā)光層、43第一電子傳輸層、5中間連接層、511有機(jī)材料層、512金屬材料層、52電子接受層、6第二電致發(fā)光單元、61第二空穴傳輸層、62第二有機(jī)發(fā)光層、63第三電子傳輸層、7電子注入層、8陰極。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0016]參照?qǐng)D1，高效率串聯(lián)OLED器件，包括基底I，基底I的頂部設(shè)有ITO陽(yáng)極2，且ITO陽(yáng)極2的頂部設(shè)有空穴注入層3，空穴注入層3的頂部設(shè)有第一電致發(fā)光單元4，第一電致發(fā)光單元4包括第一空穴傳輸層41、第一有機(jī)發(fā)光層42和第一電子傳輸層43，第一電子傳輸層43位于第一有機(jī)發(fā)光層42的頂部，且第一有機(jī)發(fā)光層42位于第一空穴傳輸層41的頂部，第一電致發(fā)光單元4的頂部設(shè)有中間連接層5，中間連接層5包括電子提取層和電子接受層52，電子接受層52位于電子提取層的頂部，且電子提取層包括有機(jī)材料層511和金屬材料層512，有機(jī)材料層511位于金屬材料層512的底部，中間連接層5的頂部設(shè)有第二電致發(fā)光單元6，第二電致發(fā)光單元6包括第二空穴傳輸層61、第二有機(jī)發(fā)光層62和第二電子傳輸層63，第二電子傳輸層63位于第二有機(jī)發(fā)光層62的頂部，且第二有機(jī)發(fā)光層62位于第二空穴傳輸層61的頂部，第二電致發(fā)光單元6的頂部設(shè)有電子注入層7，電子注入層7的頂部設(shè)有陰極8，高效率串聯(lián)OLED器件利用抗氧化層C60消除Al-Mo03界面的氧化還原反應(yīng)所引起的橫向電流擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)中間連接層金屬材料的厚度優(yōu)化從而提高器件性能，能夠改善器件的效率以及減少效率的滑落和較低的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0017]本實(shí)用新型中，基底I為透光性好的玻璃基底，ITO陽(yáng)極2為氧化銦錫，且光刻于基底I的頂部，陰極8為金屬鋁陰極，空穴注入層3為Mo03材質(zhì)制成，第一電致發(fā)光單元4由第一空穴傳輸層41、第一有機(jī)發(fā)光層42和第一電子傳輸層43疊層組成，且第一空穴傳輸層41為CBP材料制成，第一有機(jī)發(fā)光層42為綠光發(fā)光材料制成，第二電致發(fā)光單元6與第一電致發(fā)光單元4結(jié)構(gòu)相同，中間連接層5由電子提取層和電子接受層52堆疊組成，且電子提取層為有機(jī)材料層511和金屬材料層512堆疊而成，電子接受層52為Mo03材料制成，高效率串聯(lián)OLED器件利用抗氧化層C60消除Al-Mo03界面的氧化還原反應(yīng)所引起的橫向電流擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)中間連接層金屬材料的厚度優(yōu)化從而提高器件性能，能夠改善器件的效率以及減少效率的滑落和較低的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0018]本實(shí)用新型中，由于中間連接層5中的金屬材料層512對(duì)于器件的工作電壓以及電子提取注入具有重要的作用，本實(shí)用新型的中間連接層5利用抗氧化層C60消除Al-Mo03界面的氧化還原反應(yīng)所引起的橫向電流擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)中間連接層5中金屬材料層512的厚度優(yōu)化從而提高器件性能，實(shí)現(xiàn)串聯(lián)OLED器件電流效率超過(guò)單個(gè)OLED器件電流效率的兩倍。
[0019]以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.高效率串聯(lián)OLED器件，包括基底(I)，其特征在于，所述基底(I)的頂部設(shè)有ITO陽(yáng)極(2)，且ITO陽(yáng)極(2)的頂部設(shè)有空穴注入層(3)，所述空穴注入層(3)的頂部設(shè)有第一電致發(fā)光單元(4)，所述第一電致發(fā)光單元(4)包括第一空穴傳輸層(41)、第一有機(jī)發(fā)光層(42)和第一電子傳輸層(43)，所述第一電子傳輸層(43)位于第一有機(jī)發(fā)光層(42)的頂部，且第一有機(jī)發(fā)光層(42)位于第一空穴傳輸層(41)的頂部，所述第一電致發(fā)光單元(4)的頂部設(shè)有中間連接層(5)，所述中間連接層(5)包括電子提取層和電子接受層(52)，所述電子接受層(52)位于電子提取層的頂部，且電子提取層包括有機(jī)材料層(511)和金屬材料層(512)，所述有機(jī)材料層(511)位于金屬材料層(512)的底部，所述中間連接層(5)的頂部設(shè)有第二電致發(fā)光單元(6)，所述第二電致發(fā)光單元(6)包括第二空穴傳輸層(61)、第二有機(jī)發(fā)光層(62)和第二電子傳輸層(63)，所述第二電子傳輸層(63)位于第二有機(jī)發(fā)光層(62)的頂部，且第二有機(jī)發(fā)光層(62)位于第二空穴傳輸層(61)的頂部，所述第二電致發(fā)光單元(6)的頂部設(shè)有電子注入層(7)，所述電子注入層(7)的頂部設(shè)有陰極(8)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高效率串聯(lián)OLED器件，其特征在于，所述基底(I)為透光性好的玻璃基底。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述高效率串聯(lián)OLED器件，其特征在于，所述ITO陽(yáng)極(2)為氧化銦錫，且光刻于基底(I)的頂部，所述陰極(8)為金屬鋁陰極。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述高效率串聯(lián)OLED器件，其特征在于，所述空穴注入層(3)為Mo03材質(zhì)制成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述高效率串聯(lián)OLED器件，其特征在于，所述第一電致發(fā)光單元(4)由第一空穴傳輸層(41)、第一有機(jī)發(fā)光層(42)和第一電子傳輸層(43)疊層組成，且第一空穴傳輸層(41)為CBP材料制成，第一有機(jī)發(fā)光層(42)為綠光發(fā)光材料制成，所述第二電致發(fā)光單元(6)與第一電致發(fā)光單元(4)結(jié)構(gòu)相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述高效率串聯(lián)OLED器件，其特征在于，所述中間連接層(5)由電子提取層和電子接受層(52)堆疊組成，且電子提取層為有機(jī)材料層(511)和金屬材料層(512)堆疊而成，電子接受層(52)為Mo03材料制成。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK205692867SQ201620569091
【公開(kāi)日】2016年11月16日
【申請(qǐng)日】2016年6月13日 公開(kāi)號(hào)201620569091.5, CN 201620569091, CN 205692867 U, CN 205692867U, CN-U-205692867, CN201620569091, CN201620569091.5, CN205692867 U, CN205692867U
【發(fā)明人】張濤, 呂正紅, 何守杰, 王登科, 江楠
【申請(qǐng)人】云南大學(xué)