技術(shù)特征：

1.一種MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)，所述MOS器件位于襯底中，由STI或者場(chǎng)氧隔離，襯底中包含有LDD區(qū)，所述源區(qū)及漏區(qū)位于LDD中，LDD區(qū)之間為MOS器件的溝道；溝道上的襯底表面為柵氧化層及多晶硅柵極，多晶硅柵極之上覆蓋氮化硅硬掩膜，多晶硅柵極兩側(cè)為柵極側(cè)墻；所述源區(qū)及漏區(qū)通過(guò)接觸孔引出；其特征在于：所述柵氧化層在溝道方向上是兩端厚、中間薄的形態(tài)，即靠近柵極側(cè)墻的柵氧化層厚度大于溝道中間區(qū)域的柵氧化層的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵氧化層兩端的厚度增加，以提高M(jìn)OS器件的耐壓能力。

3.如權(quán)利要求1所述的MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)，其特征在于：溝道中間區(qū)域的柵氧化層的厚度低于兩端的厚度，以維持MOS器件的閾值電壓保持不變。

4.制造如權(quán)利要求1所述的MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：包含：

第1步，在單晶硅襯底上形成場(chǎng)氧，或者STI，然后進(jìn)行阱注入；在單晶硅襯底上形成一層氧化層作為柵氧化層，再在氧化層上淀積多晶硅層及氮化硅層；

第2步，光刻及刻蝕形成多晶硅柵極，多晶硅柵極以外的氮化硅層、多晶硅層以及氧化層被去除；

第3步，采用濕法刻蝕對(duì)多晶硅柵極下的柵氧化層進(jìn)行刻蝕；

第4步，在多晶硅柵極的側(cè)壁上形成氧化硅膜；

第5步，進(jìn)行LDD注入；

第6步，形成氮化硅薄膜，刻蝕形成多晶硅柵極的側(cè)墻。

第7步，離子注入形成源區(qū)及漏區(qū)；

第8步，襯底表面淀積絕緣介質(zhì)層，刻蝕形成接觸孔。

5.如權(quán)利要求4所述的MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述第1步中，柵氧化層采用爐管工藝形成，采用化學(xué)氣相淀積工藝形成多晶硅層，采用低壓化學(xué)氣相沉積法形成氮化硅層。

6.如權(quán)利要求4所述的MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述第3步中，采用稀釋后的低濃度氫氟酸溶液對(duì)多晶硅柵極之下的柵氧化層進(jìn)行橫向腐蝕，形成的侵蝕空間。

7.如權(quán)利要求4或6所述的MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述第4步中，采用熱氧化法使多晶硅柵極的側(cè)壁上氧化形成氧化硅薄膜，同時(shí)，所述的侵蝕空間氧化后形成氧化硅填充滿(mǎn)侵蝕空間，并且與溝道中間區(qū)域的柵氧化層連成一體。

8.如權(quán)利要求4所述的MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述第6步中，采用化學(xué)氣相淀積工藝形成氮化硅薄膜，采用各向同性干法刻蝕形成多晶硅柵極的側(cè)墻。