技術總結
本發(fā)明公開了一種MOS器件的柵氧化層結構，所述MOS器件位于襯底中，由STI或者場氧隔離，襯底中包含有LDD區(qū)，所述源區(qū)及漏區(qū)位于LDD中，LDD區(qū)之間為MOS器件的溝道；溝道上的襯底表面為柵氧化層及多晶硅柵極，多晶硅柵極之上覆蓋氮化硅硬掩膜，多晶硅柵極兩側為柵極側墻；所述源區(qū)及漏區(qū)通過接觸孔引出；所述柵氧化層在溝道方向上是兩端厚、中間薄的形態(tài)，即靠近柵極側墻的柵氧化層厚度大于溝道中間區(qū)域的柵氧化層的厚度。本發(fā)明既可以保持器件的電流驅動能力不變，同時又可以提高源漏間的耐壓。本發(fā)明還公開了所述的MOS器件的柵氧化層結構的工藝方法。

技術研發(fā)人員：袁苑;陳瑜;任玉萍
受保護的技術使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
文檔號碼：201710004112
技術研發(fā)日：2017.01.04
技術公布日：2017.06.20