1.一種防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，將多晶硅氧化的工藝處理從在邏輯柵極刻蝕之后執(zhí)行變化到在閃存單元字線刻蝕之后執(zhí)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于包括：
第一步驟：形成邏輯柵極多晶硅層，并執(zhí)行柵極多晶硅刻蝕處理；
第二步驟：形成閃存單元字線多晶硅層，并執(zhí)行字線多晶硅刻蝕處理；
第三步驟：對(duì)刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執(zhí)行多晶硅氧化處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，所述防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法用于制造閃存存儲(chǔ)器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，所述防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法制造分柵快閃存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，分柵快閃存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元包括：提供襯底，形成在襯底中的邏輯區(qū)和閃存單元區(qū)，閃存單元區(qū)中形成源線和位線，以及位于所述源線和位線之間的字線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，邏輯柵極多晶硅刻蝕處理包括：涂覆第一光刻膠，形成第一光刻膠的圖案，并且利用第一光刻膠的圖案對(duì)邏輯柵極多晶硅層執(zhí)行刻蝕工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，柵極多晶硅刻蝕處理包括：涂覆第二光刻膠，形成第二光刻膠的圖案，并且利用第二光刻膠的圖案對(duì)閃存單元字線多晶硅層執(zhí)行刻蝕工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，多晶硅氧化處理包括：對(duì)刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執(zhí)行快速熱氧化處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，在執(zhí)行快速熱氧化之前對(duì)晶圓執(zhí)行預(yù)清洗。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲(chǔ)器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，在第一步驟、第二步驟和第三步驟之后執(zhí)行輕摻雜注入?yún)^(qū)的離子注入。