技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是涉及一種橫向絕緣柵雙極型晶體管。本發(fā)明通過在傳統(tǒng)橫向絕緣柵雙極型晶體管的基礎(chǔ)上，在器件表面沿溝道長度方向刻蝕溝槽形成三維結(jié)構(gòu)，形成具有三維結(jié)構(gòu)的橫向絕緣柵雙極型晶體管；同時在器件三維漂移區(qū)表面形成多晶二極管并在集電極附近集成三維PMOS和齊納二極管。本發(fā)明結(jié)構(gòu)具有比傳統(tǒng)LIGBT更低的正向?qū)▔航挡⒃趯ㄟ^程中不存在負阻現(xiàn)象，同時具有更高的器件擊穿電壓，更快的關(guān)斷速度和更低的關(guān)斷損耗。

技術(shù)研發(fā)人員：張金平;陳錢;劉競秀;李澤宏;任敏;張波
受保護的技術(shù)使用者：電子科技大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.11
技術(shù)公布日：2017.09.15