本發(fā)明涉及柔性oled發(fā)光器件，更具體地說，涉及一種基于新型疊層薄膜的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的柔性oled發(fā)光器件制備方法。
背景技術(shù)：
柔性有機(jī)電致發(fā)光二極管(foled)由于具有成本低、色純度高、重量輕和發(fā)光效率高等諸多優(yōu)點(diǎn)而受到人們的廣泛關(guān)注。
氧化銦錫(ito)是一種銦(iii族)氧化物(in2o3)and錫(iv族)氧化物(sno2)的混合物，通常質(zhì)量比為90％in2o3，10％sno2。它在薄膜狀時(shí)，透明，略顯茶色。在塊狀態(tài)時(shí)，它呈黃偏灰色。氧化銦錫薄膜最通常是物理氣相沉積、或者一些濺射沉積技術(shù)的方法沉積到表面。
氧化銦錫主要的特性是其電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明的組合，然而，薄膜沉積中需要作出妥協(xié)，因?yàn)楦邼舛入姾奢d流子將會(huì)增加材料的電導(dǎo)率，但會(huì)降低它的透明度。
傳統(tǒng)的oled采用氧化銦錫陽(yáng)極，因?yàn)殂煹膬r(jià)格高昂和供應(yīng)受限、ito層的脆弱和柔韌性的缺乏、以及昂貴的層沉積要求真空，使得ito難以制備柔性器件，其它取代物正被設(shè)法尋找。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供一種基于新型疊層薄膜的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的柔性oled發(fā)光器件制備方法。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種基于新型疊層薄膜的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的柔性oled發(fā)光器件制備方法，所述oled發(fā)光件包括發(fā)光層和位于所述發(fā)光層一側(cè)的陰極，所述制備方法包括以下步驟：
s1、將石墨烯采用化學(xué)氣相沉積的方法生長(zhǎng)于銅箔上；
s2、將石墨烯轉(zhuǎn)移到柔性pet基片上；
s3、將制備好的石墨烯/pet放到hno3溶液中浸泡，然后烘干；
s4、在處理好的石墨烯上噴涂pedot：pss溶液，然后放在加熱板上干燥；
s5、將制備好的石墨烯/pedot：pss復(fù)合薄膜放入真空腔體中，采用真空蒸鍍的工藝將石墨烯/pedot：pss復(fù)合薄膜加熱鍍到所述發(fā)光層與所述陰極相背的一側(cè)上作為陽(yáng)極，制備出oled發(fā)光器件。
優(yōu)選地，所述步驟s1中，所述銅箔的厚度為20-70um。
優(yōu)選地，所述步驟s1中，碳源為ch4，載氣體為還原氣體氬氣。
優(yōu)選地，所述步驟s2中，采用pmma或pdms作為轉(zhuǎn)移石墨烯過程中的支撐層。
優(yōu)選地，所述步驟s2中，采用二次溶解的方法將轉(zhuǎn)移到pet基片后的支撐層用原溶液重溶。
優(yōu)選地，所述步驟s3中，hno3為2-100mol，浸泡時(shí)間為0.5-30分鐘。
優(yōu)選地，所述步驟s3中，放在50-300℃加熱板上干燥1-20分鐘。
優(yōu)選地，所述步驟s4中，所述pedot：pss溶液中，加入了去離子水和二甲基亞砜，pedot：pss、去離子水與二甲基亞砜的體積比例為2-6:2-8:0.5-3。
優(yōu)選地，所述步驟s4中，噴涂的pedot：pss的厚度是10-200nm。
優(yōu)選地，所述步驟s5中，真空壓力為1*10-4至2*10-8pa。
實(shí)施本發(fā)明的基于新型疊層薄膜的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的柔性oled發(fā)光器件制備方法，具有以下有益效果：本發(fā)明中的制備方法生產(chǎn)的發(fā)光器件用石墨烯作為光電器件的陽(yáng)極，使得發(fā)光器件的陽(yáng)極具有載流子遷移率高、機(jī)械柔性好以及透過率高等特性；另外，pedot：pss使得發(fā)光器件的陽(yáng)極具有高導(dǎo)電性、高功函數(shù)和高透過率。
附圖說明
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：
圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的基于新型疊層薄膜的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的柔性oled發(fā)光器件制備方法的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
為了對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。
本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中的oled發(fā)光件包括發(fā)光層和位于發(fā)光層一側(cè)的陰極，如圖1所示，基于新型疊層薄膜的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的柔性oled發(fā)光器件制備方法包括以下步驟：
s1、將石墨烯采用化學(xué)氣相沉積的方法生長(zhǎng)于銅箔上；
s2、將石墨烯轉(zhuǎn)移到柔性pet(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)基片上；
s3、將制備好的石墨烯/pet放到hno3(硝酸)溶液中浸泡，然后烘干；
s4、在處理好的石墨烯上噴涂pedot：pss(聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))溶液，然后放在加熱板上干燥；
s5、將制備好的石墨烯/pedot：pss復(fù)合薄膜放入真空腔體中，采用真空蒸鍍的工藝將石墨烯/pedot：pss復(fù)合薄膜加熱鍍到發(fā)光層與陰極相背的一側(cè)上作為陽(yáng)極，制備出oled發(fā)光器件。
用石墨烯作為光電器件的陽(yáng)極，使得發(fā)光器件的陽(yáng)極具有載流子遷移率高、機(jī)械柔性好以及透過率高等特性。另外，pedot：pss使得發(fā)光器件的陽(yáng)極具有高導(dǎo)電性、高功函數(shù)和高透過率。
在步驟s1中，銅箔的厚度為20-70um，銅箔為高純度銅箔，純度為99.9％。
在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積時(shí)，碳源為ch4，保護(hù)氣體為還原氣體氬氣。先通入保護(hù)氣體氬氣時(shí)間20～30分鐘，停止保護(hù)氣體氬氣的通入，再通入反應(yīng)氣體甲烷ch4，大約30分鐘；再通入保護(hù)氣體排凈反應(yīng)氣體，在保護(hù)氣體環(huán)境下直到反應(yīng)腔體冷卻到室溫。反應(yīng)期間，壓力為400-600pa，溫度為900-1000℃。
在步驟s2中，采用pmma或pdms作為轉(zhuǎn)移石墨烯過程中的支撐層。
進(jìn)一步地，采用二次溶解的方法將轉(zhuǎn)移到pet基片后的支撐層用原溶液重溶，以促進(jìn)石墨烯與柔性pet基片的接觸，從而減少石墨烯的破損。
優(yōu)選地，步驟s3中，hno3為2-100mol，浸泡時(shí)間為0.5-30分鐘。烘干時(shí)放在50-300℃加熱板上干燥1-20分鐘。
進(jìn)一步地，步驟s4中，pedot：pss溶液中，加入了去離子水和二甲基亞砜，pedot：pss、去離子水與二甲基亞砜的體積比例為2-6:2-8:0.5-3。優(yōu)選地，噴涂的pedot：pss的厚度是10-200nm。進(jìn)一步地，在步驟s5中，真空壓力為1*10-4至2*10-8pa。
可以理解地，上述各技術(shù)特征可以任意組合使用而不受限制。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。