本發(fā)明涉及一種芯片焊接方法，屬于電子元器件焊接技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度越來越高，大功率集成芯片的出現(xiàn)，使得對芯片焊接工藝的要求越來越高，通過設(shè)置合理有效的芯片焊接工藝流程，可以提高芯片焊接工藝的可靠性，提升芯片的電路功能。特別是大功率芯片，需要充分接地，使芯片散熱，這樣才能保證芯片正常工作

本發(fā)明主要闡述了一種芯片焊接方法，該方法通過設(shè)置合理有效的芯片焊接的工藝流程，來提高芯片背面大面積接地，使芯片與殼體充分接觸，保證了芯片充分散熱，并且有效提高生產(chǎn)效率及工藝適用性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

目的：為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明提供一種芯片焊接方法。

技術(shù)方案：為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種芯片焊接方法，包括如下步驟：

步驟a、墊塊正面鍍金形成第一接觸面，背面鍍銀形成第二接觸面；

步驟b、墊塊第一接觸面預(yù)覆錫，形成第一焊料層；

步驟c、將步驟b中的墊塊預(yù)加熱，待第一焊料層熔化后，將芯片放置在第一焊料層上，進行摩擦焊接，通過第一焊料層將芯片與墊塊連接；

步驟d、將步驟c中墊塊第二接觸面預(yù)覆錫，形成第二焊料層；

步驟e、在殼體上待安裝墊塊的焊接區(qū)域上預(yù)覆錫，形成第三焊料層；

步驟f、將步驟e中殼體預(yù)加熱，待第三焊料層熔化后，將步驟d中墊塊放置在第三焊料層上，進行摩擦焊接，使第二焊料層與第三焊料層充分接觸，通過第二焊料層和第三焊料層將墊塊與殼體連接。

作為優(yōu)選方案，所述第一焊料層采用錫合金焊料。

作為優(yōu)選方案，所述第二焊料層所選焊料熔化溫度要比第一焊料層所選焊料熔化溫度低。

作為優(yōu)選方案，所述第三焊料層和第二焊料層所用焊料材料相同。

作為優(yōu)選方案，所述步驟d包括如下步驟：將步驟c中的墊塊放在表面有焊錫的銅塊上，來回摩擦，直至墊塊背面光亮平整即可。

作為優(yōu)選方案，所述步驟e包括如下步驟：在殼體上待安裝墊塊的焊接區(qū)域涂焊膏，將其放在210±5℃加熱臺上，待焊膏熔化后，均勻涂覆，取下殼體冷卻后，用酒精棉擦拭清洗覆錫區(qū)域。

作為優(yōu)選方案，所述焊膏采用183焊膏。

有益效果：本發(fā)明提供的一種芯片焊接方法，尤其適用小批量、多品種研制類產(chǎn)品的應(yīng)用實現(xiàn)，能夠在確保焊接高質(zhì)量的同時有效降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明方法流程圖示意圖；

圖2是本發(fā)明方法實例示意圖；

附圖中主要標記含義為：

1芯片，2第一焊料層，3墊塊，4第二焊料層，5殼體，6第三焊料層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作更進一步的說明。

如圖1、圖2所示，一種芯片焊接方法，首先，對墊塊3表面處理，墊塊3正面鍍金，背面鍍銀。

進一步，用鑷子將墊塊3，正面朝上，背面朝下放置在手動共晶加熱臺上，進行預(yù)加熱，加熱臺溫度設(shè)置為330±5℃，再將金錫焊片平鋪在墊塊上（金錫焊片的面積大小大約是墊塊的1.5倍），觀察焊片，焊片熔化時，用鑷子將焊料均勻平鋪在墊塊3上，至此，墊塊3上第一焊料層2形成。

進一步，將備好的芯片1放到第一焊料層2上，一起放置在溫度為330±5℃的手動共晶加熱平臺上，用鑷子夾著芯片1充分摩擦（鑷子夾在芯片厚度的三分之二處），排除中間多余空氣，使芯片1與墊塊3緊密接觸四周無縫隙，此時，第一焊料層2將芯片1與墊塊3連接，取下冷卻，得到共晶有芯片的墊塊。

進一步，在共晶有芯片的墊塊背面進行預(yù)覆錫。用彎角鑷子小心夾取共晶有芯片的墊塊（小心不要碰到墊塊上的芯片）放在表面有焊錫的銅塊上，來回摩擦，觀察共晶有芯片的墊塊底部是否光亮平整，不能遺留黑色氧化物，若有黑色氧化物產(chǎn)生，繼續(xù)摩擦，此過程控制時間不宜過長，不超過20s，直至共晶有芯片的墊塊背面光亮平整即可，至此，共晶有芯片的墊塊上的第二焊料層4形成，得到覆過錫的墊塊。

進一步，在殼體5上待安裝墊塊的焊接區(qū)域涂適量焊膏（183焊膏），將其放在210±5℃加熱臺上，待焊膏熔化后，用鑷子將熔化后的焊料均勻涂覆，取下殼體5冷卻后，用酒精棉擦拭清洗覆錫區(qū)域，至此，殼體5上的第三焊料層6形成，得到覆過錫的殼體。

進一步，將覆過錫的殼體放置210±5℃加熱臺上，待第三焊料層6熔化后，用鑷子夾取覆過錫的墊塊放入覆過錫的殼體第三焊料層6上，輕微摩擦焊，使第二焊料層與第三焊料層充分接觸，此時，第二焊料層和第三焊料層將覆過錫的墊塊與覆過錫的殼體連接，然后取下冷卻。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出：對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種芯片焊接方法，步驟a、墊塊正面鍍金，背面鍍銀；步驟b、墊塊第一接觸面預(yù)覆錫，形成第一焊料層；步驟c、將步驟b中的墊塊預(yù)加熱，將芯片放置在第一焊料層上，進行摩擦焊接；步驟d、將步驟c中墊塊第二接觸面預(yù)覆錫，形成第二焊料層；步驟e、在殼體上待安裝墊塊的焊接區(qū)域上預(yù)覆錫，形成第三焊料層；步驟f、將步驟e中殼體預(yù)加熱，待第三焊料層熔化后，將步驟d中墊塊放置在第三焊料層上，進行摩擦焊接，使第二焊料層與第三焊料層充分接觸，通過第二焊料層和第三焊料層將墊塊與殼體連接。本發(fā)明尤其適用小批量、多品種研制類產(chǎn)品的應(yīng)用實現(xiàn)，能夠在確保焊接高質(zhì)量的同時有效降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：汪寧;費文軍;陳興盛;李金晶;洪火鋒;方航;張麗
受保護的技術(shù)使用者：安徽華東光電技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.05
技術(shù)公布日：2017.11.14