本發(fā)明涉及一種隔離介質(zhì)板。
背景技術(shù)：
在大功率高頻晶體管封裝時，隔離介質(zhì)用于晶體管底面與接地端的隔離，通常是把與晶體管底面接觸區(qū)域做個孤島,其它頂面區(qū)域和底面需要做可靠的電氣互聯(lián)?，F(xiàn)有方法是把隔離介質(zhì)側(cè)面和頂面與底面一起進(jìn)行電鍍，利用側(cè)面的鍍層完成頂面和底面的電連接，缺點(diǎn)是成本高，側(cè)面鍍層厚度難控制，寄生參數(shù)隨個體側(cè)壁鍍層厚度變化而大幅波動，批量生產(chǎn)時匹配一致性差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有產(chǎn)品中的不足，提供隔離介質(zhì)板及其工藝方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
一種隔離介質(zhì)板，包括隔離介質(zhì)板基板，所述隔離介質(zhì)板上設(shè)有若干個通孔，所述通孔的內(nèi)壁鍍金，所述通孔內(nèi)填充滿銅或者金，所述隔離介質(zhì)板基板的底面鍍金屬，所述隔離介質(zhì)板基板的頂面鍍金屬。
通孔呈圓柱形。
所述隔離介質(zhì)板基板的底面鍍金或鍍銅。
所述隔離介質(zhì)板基板的頂面鍍金或鍍銅。
氧化鈹陶瓷的工藝方法，包括以下步驟：
a、在隔離介質(zhì)板基板的上鉆通孔；
b、通孔的內(nèi)壁鍍金；
c、在通孔內(nèi)填充滿銅或者金；
d、在隔離介質(zhì)板基板的底面鍍金屬；
e：在隔離介質(zhì)板基板的頂面鍍金屬。
在氧化鈹陶瓷基板的底面鍍的金屬為金或銅。
所述在氧化鈹陶瓷基板的頂面鍍的金屬為金或銅。
本發(fā)明的有益效果如下：本發(fā)明通過通孔將頂面和底面電性連接起來，本發(fā)明寄生電感大幅降低并保持一致性，有利于封裝后道程序的匹配處理。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，成本低，提高了大功率高頻晶體管的工作效率。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，成本低，本發(fā)明工藝簡單，成本低，工作效率高。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步說明：
如圖1所示，一種隔離介質(zhì)板，包括隔離介質(zhì)板基板1，所述隔離介質(zhì)板1上設(shè)有若干個通孔2，所述通孔2的內(nèi)壁鍍金3，所述通孔2內(nèi)填充滿銅或者金4，所述隔離介質(zhì)板基板的底面鍍金屬，所述隔離介質(zhì)板基板的頂面鍍金屬。通孔2呈圓柱形。所述隔離介質(zhì)板基板的底面鍍金或鍍銅。所述隔離介質(zhì)板基板的頂面鍍金或鍍銅。氧化鈹陶瓷的工藝方法，包括以下步驟：
a、在隔離介質(zhì)板基板1的上鉆通孔2；
b、通孔2的內(nèi)壁鍍金3；
c、在通孔2內(nèi)填充滿銅或者金4；
d、在隔離介質(zhì)板基板1的底面鍍金屬；
e：在隔離介質(zhì)板基板1的頂面鍍金屬。
所述在氧化鈹陶瓷基板1的底面鍍的金屬為金或銅。
所述在氧化鈹陶瓷基板1的頂面鍍的金屬為金或銅。
本發(fā)明通過通孔將頂面和底面電性連接起來，本發(fā)明寄生電感大幅降低并保持一致性，有利于封裝后道程序的匹配處理。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，成本低，提高了大功率高頻晶體管的工作效率。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，成本低，本發(fā)明工藝簡單，成本低，工作效率高。
需要注意的是，以上列舉的僅是本發(fā)明的一種具體實(shí)施例。顯然，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例，還可以有許多變形?？傊?，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能從本發(fā)明公開的內(nèi)容直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的所有變形，均應(yīng)認(rèn)為是本發(fā)明的保護(hù)范圍。