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      一種低輻射鍵盤的制作方法

      文檔序號:11252535閱讀:424來源:國知局
      一種低輻射鍵盤的制造方法與工藝

      本發(fā)明涉及計算機領域,具體是一種鍵盤。



      背景技術:

      近年來,隨著科技的不斷發(fā)展,計算機已經融入當今社會的各個方面和領域,計算機技術的應用和發(fā)展正在沖擊和改變著人們的思維方式的工作方式。隨著科學技術生產力的發(fā)展,各個領域對于計算機技術和產品的要求在不斷提高,尤其是在國防軍隊,石油石化以及勘探電力等特殊環(huán)境下應用的專業(yè)化產品必然會成為計算機技術及產品發(fā)展的一種趨勢。

      鍵盤作為計算機的一個獨立輸入設備,改為主要結構多為abc塑料或pc材料,未進行電磁屏蔽處理,且鍵盤的按鍵序列矩陣排置,導致電磁輻射的方向相對集中,輻射強度約為1000v/m。目前,鍵盤所產生的電磁輻射和電磁泄漏已造成自然界人為電磁環(huán)境污染,威脅使用者身體健康和信息系統(tǒng)安全,隨著人類對信息安全和生存環(huán)境保護意識的增強,研制一種低輻射鍵盤組件勢在必行。



      技術實現要素:

      本發(fā)明所要解決的技術問題是:如何解決鍵盤輻射的問題。

      本發(fā)明所采用的技術方案是:一種低輻射鍵盤,包括用于實現鍵帽敲擊回彈復位的機械部分和電路板,機械部分包括硅膠粒、第一剪刀腳、鍵帽、第二剪刀腳和中板,在電路板和機械部分之間安裝厚度為0.2mm的銅板,在電路板下方安裝厚度為0.4mm的鐵板,在銅板對應按鍵的位置開直徑為5.5mm~6.5mm圓形開孔。

      作為一種優(yōu)選方式:中板上對應任意兩鍵位之間有直徑為1mm的熱熔柱,銅板、電路板、鐵板對應中板的熱熔柱位置有直徑為1mm的熱熔柱孔,熱熔柱插入熱熔柱孔中。

      作為一種優(yōu)選方式:電路板上的所有開孔周圍涂抹有防水膠。

      作為一種優(yōu)選方式:在鍵盤外殼、銅板、鐵板的四周有固定孔,固定孔上安裝有螺釘。

      本發(fā)明的有益效果是:具有低輻射、防水和輕便等特點,可以在在國防軍隊,石油石化以及勘測勘探等特殊環(huán)境下使用在不同的設備上。選用銅板、電路板和鐵板層疊安裝,具有良好的電磁屏蔽性能??梢酝ㄟ^螺釘固定或膠粘的方式固定在垂直,水平以及傾斜的平面上,該連接結構簡單合理且連接牢固。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明的按鍵結構示意圖;

      圖2是本發(fā)明的外觀示意圖;

      圖3是本發(fā)明的銅板結構示意圖;

      圖4是本發(fā)明的鐵板結構示意圖;

      其中,1、熱熔柱孔,2、銅板,3、電路板,4、鐵板,5、硅膠粒,6、第一剪刀腳,7、鍵帽,8、第二剪刀腳,9、中板,10、固定孔,11、圓形開孔。

      具體實施方式

      如圖1-圖4所示,本發(fā)明是對現有的鍵盤的一種改進,主要目的是提高鍵盤的防輻射功能,本發(fā)明的改進主要有以下幾點。

      在電路板的上方安裝厚度為0.2mm的銅板,在電路板的下方安裝厚度為0.4mm的鐵板,銅板具有良好的導電性。高頻時,銅箔良好的磁導率使得設備具有良好的電磁屏蔽性能,鐵板具有磁阻低的特性,低頻時,鐵板磁導率不被降低、自身磁阻低的特性使得設備具有良好的電磁屏蔽性能。

      中板上對應任意兩鍵位之間有直徑為1mm的熱熔柱,銅板厚度為0.2mm,在鍵位中心處設計直徑5.5mm~6.5mm圓形開孔,硅膠粒通過圓形開孔與鍵帽直接接觸,在兩鍵位之間設計直徑約1mm的熱熔柱孔供中板熱熔柱貫穿限位。電路板為0.3mm厚的軟膜pcb板,對應中板的熱熔柱位置設計直徑約1mm的熱熔柱孔,并在孔周圍涂抹防水膠用于防水,防水等級滿足ip55,鐵板4厚度為0.4mm,對應位置設計直徑約1mm的熱熔柱孔對應中板的熱熔柱嵌入限位。硅膠粒穿過銅板的圓形開孔一端與鍵帽直接接觸,另一端與電路板直接接觸,鍵帽被第一剪刀腳和第二剪刀腳被緊緊卡在銅板上。

      數據傳輸采用軟排線傳輸數據,使得線纜上的電磁輻射基本為0,可以使用在電磁輻射要求較為嚴格的場合。在鍵盤軟排線接插端子附著碳膜,碳膜長度小于8mm。



      技術特征:

      技術總結
      本發(fā)明設計計算機領域,具體是一種鍵盤。一種低輻射鍵盤,包括用于實現鍵帽敲擊回彈復位的機械部分和電路板,機械部分包括硅膠粒、第一剪刀腳、鍵帽、第二剪刀腳和中板,在電路板和機械部分之間安裝厚度為0.2mm的銅板,在電路板下方安裝厚度為0.4mm的鐵板,在銅板對應按鍵的位置開直徑為5.5mm~6.5mm圓形開孔。本發(fā)明的有益效果是:具有低輻射、防水和輕便等特點,可以在國防軍隊,石油石化以及勘測勘探等特殊環(huán)境下使用在不同的設備上。

      技術研發(fā)人員:郭子民;張馬莉;蔚繼平
      受保護的技術使用者:太原斯利德電子技術有限公司
      技術研發(fā)日:2017.06.22
      技術公布日:2017.09.15
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