本發(fā)明涉及引腳框架技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架及其封裝芯片。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體qfn封裝的引線框設(shè)計(jì)時(shí)，內(nèi)引腳設(shè)計(jì)因基島設(shè)計(jì)尺寸盡可能大而變短，當(dāng)芯片封裝在這種大基島框架中時(shí)，則需要從芯片引腳拉出較長(zhǎng)的焊線才能與內(nèi)引腳聯(lián)通。在一些焊線布局復(fù)雜情況下，焊線與焊線之間因?yàn)榫€長(zhǎng)，導(dǎo)致焊線漂移短路，電阻值變高等異常，使得產(chǎn)品良率因此損失，功能達(dá)不到設(shè)計(jì)要求等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)，盡量避免焊線在塑封時(shí)發(fā)生漂移短路現(xiàn)象，本發(fā)明提供一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架。

本發(fā)明的另一目的是提供一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架的封裝芯片。

技術(shù)方案：一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架，包括蝕刻區(qū)和基島固定區(qū)，所述蝕刻區(qū)位于基島固定區(qū)的周圍，蝕刻區(qū)與基島固定區(qū)之間設(shè)有基島支架，基島支架為半蝕刻，基島固定區(qū)包括基島，所述基島固定在基島支架頂部，基島用于固定芯片；蝕刻區(qū)與基島固定區(qū)之間不直接接觸，蝕刻區(qū)包括多個(gè)引腳，引腳包括引腳根部、引腳中部和引腳前部；引腳前部位于靠近基島的蝕刻區(qū)內(nèi)邊上，引腳根部位于遠(yuǎn)離基島的蝕刻區(qū)外邊上，引腳根部和引腳前部之間通過引腳中部連接；引腳根部和引腳前部為未蝕刻或部分半蝕刻，引腳中部為半蝕刻；還包括焊線，焊線的一端連接引腳前部，焊線的另一端連接芯片的焊接點(diǎn)。

進(jìn)一步的，所述引腳根部和引腳前部均為細(xì)長(zhǎng)的矩形。

進(jìn)一步的，所述引腳前部靠近基島的一端部分半蝕刻，引腳前部遠(yuǎn)離基島的一端未蝕刻。

進(jìn)一步的，還包括塑封料，所述塑封料將蝕刻區(qū)和基島固定區(qū)密封起來，所述塑封料為長(zhǎng)方體或圓柱狀，且由塑封料粉狀顆粒料堆砌而成。

進(jìn)一步的，所述蝕刻區(qū)與基島固定區(qū)之間采用全蝕刻的方式使蝕刻區(qū)與基島固定區(qū)之間不直接接觸。

進(jìn)一步的，還包括隔離帶，所述隔離帶貼附在蝕刻區(qū)和基島固定區(qū)的背面，所述隔離帶為耐高溫pet薄膜或peek片材膜，隔離帶可剝離。

進(jìn)一步的，基島固定區(qū)為矩形，蝕刻區(qū)為回字環(huán)狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述引腳根部與引腳前部的長(zhǎng)均與朝向的基島固定區(qū)的邊長(zhǎng)垂直，多個(gè)引腳的引腳前部的間距小于多個(gè)引腳的引腳根部的間距。

進(jìn)一步的，引腳中部的一端連接引腳前部遠(yuǎn)離基島的一端，引腳中部的另一端連接引腳根部靠近基島的一端。

一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架的封裝芯片，包括基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架與芯片，所述芯片固定在基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架的基島上。

有益效果：本發(fā)明提供一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架及其封裝芯片，通過引腳根部和引腳前部設(shè)計(jì)成長(zhǎng)條形矩形，加長(zhǎng)引腳的長(zhǎng)度，替代一部分的焊線，縮短了所需焊線的長(zhǎng)度，能夠極大程度的避免焊線在塑封時(shí)發(fā)生漂移短路現(xiàn)象，能夠增加成品率，提高生產(chǎn)效益。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提出的一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架的背面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1中a-a方向的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

如圖1和2所示，一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳qfn框架，包括蝕刻區(qū)1和基島固定區(qū)，基島固定區(qū)包括基島2，基島用于固定芯片7；所述蝕刻區(qū)1位于基島固定區(qū)的周圍，蝕刻區(qū)1與基島固定區(qū)之間設(shè)有基島支架3，所述基島支架3為半蝕刻；所述基島2固定在基島支架3頂部；蝕刻區(qū)與基島固定區(qū)之間不直接接觸，通過全蝕刻將蝕刻區(qū)與基島固定區(qū)之間的部分挖空，使其不直接接觸；蝕刻區(qū)1包括多個(gè)引腳，引腳包括引腳根部4、引腳中部6和引腳前部5；引腳前部5位于靠近基島2的蝕刻區(qū)內(nèi)邊上，引腳根部4位于遠(yuǎn)離基島2的蝕刻區(qū)外邊上，引腳根部4和引腳前部5之間通過引腳中部6連接；引腳根部4未蝕刻，引腳前部5靠近基島2的一端半蝕刻，引腳前部5遠(yuǎn)離基島2的一端未蝕刻，當(dāng)然，引腳前部5也可以未蝕刻，但效果不如本實(shí)施例更好；引腳中部6為半蝕刻；還包括焊線8，焊線8的一端連接引腳前部5，焊線8的另一端連接芯片7的焊接點(diǎn)。

基島固定區(qū)為矩形，本實(shí)施例為正方形結(jié)構(gòu)，蝕刻區(qū)1為回字環(huán)狀結(jié)構(gòu)。所述引腳根部4和引腳前部5均為細(xì)長(zhǎng)的矩形。引腳根部4與引腳前部5的長(zhǎng)均與朝向的基島固定區(qū)的邊長(zhǎng)垂直，多個(gè)引腳的引腳前部5的間距小于多個(gè)引腳的引腳根部4的間距。引腳中部6的一端連接引腳前部5遠(yuǎn)離基島2的一端，引腳中部6的另一端連接引腳根部4靠近基島2的一端。在蝕刻區(qū)1與基島固定區(qū)的尺寸一定的情況下，可以使每個(gè)引腳之間的間隙盡可能大，以避免短路，也方便工藝制造。因?yàn)檫@樣設(shè)計(jì)可以加長(zhǎng)引腳，從而縮短焊線8的長(zhǎng)度，以此避免在塑封過程中焊線發(fā)生漂移短路的現(xiàn)象。

芯片7通過粘片膠或銀漿與基島2連接，以此固定在基島2上。

如圖3所示，還包括隔離帶9，所述隔離帶9貼附在蝕刻區(qū)1和基島固定區(qū)的背面，所述隔離帶9為耐高溫pet薄膜或peek片材膜。隔離帶9可剝離，在塑封之前隔離帶9貼附在框架背面，塑封之后將隔離帶去除。

如圖3所示，還包括塑封料10，所述塑封料10通過塑封固化的方式將蝕刻區(qū)1、基島2、芯片7、焊線8均塑封于塑封料10內(nèi)。塑封料10為長(zhǎng)方體(通常為小圓柱成型，塑封時(shí)變成液體包裹芯片和框架，最終再固化成型)，且由塑封料粉狀顆粒料堆砌而成。

本實(shí)施例的qfn框架的原材料是一塊銅板，半蝕刻是指將原材料的底面挖去一半，全蝕刻是指將原材料從上到下全部挖通。本實(shí)施例中，引腳根部4未蝕刻才可以實(shí)現(xiàn)stm(surfacemounttechnology，表面貼裝)與電路主板焊接后使用；引腳中部6為半蝕刻，使得stm時(shí)不會(huì)與引腳前部5焊接在一起；引腳前部5靠近基島2的一端半蝕刻，而引腳前部5遠(yuǎn)離基島2的一端未蝕刻，既可以連接焊線8，也可以因?yàn)椴糠职胛g刻使得塑封時(shí)塑封料10與銅板咬合更加緊密，不容易掉落。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于加長(zhǎng)半蝕刻拱形內(nèi)引腳QFN框架及其封裝芯片，包括蝕刻區(qū)和基島固定區(qū)，所述蝕刻區(qū)位于基島固定區(qū)的周圍；蝕刻區(qū)與基島固定區(qū)之間不直接接觸，蝕刻區(qū)包括多個(gè)引腳，引腳包括引腳根部、引腳中部和引腳前部；引腳前部位于靠近基島的蝕刻區(qū)內(nèi)邊上，引腳根部位于遠(yuǎn)離基島的蝕刻區(qū)外邊上，引腳根部和引腳前部之間通過引腳中部連接；引腳根部和引腳前部未蝕刻或部分半蝕刻，引腳中部為半蝕刻；還包括焊線，焊線的一端連接引腳前部，另一端連接芯片的焊接點(diǎn)。本發(fā)明通過引腳中部半蝕刻部分加長(zhǎng)引腳替代一部分的焊線，縮短了所需焊線的長(zhǎng)度，能夠極大程度的避免焊線在塑封時(shí)發(fā)生漂移短路現(xiàn)象，能夠增加成品率，提高生產(chǎn)效益。

技術(shù)研發(fā)人員：彭林源;王玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京矽邦半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.20
技術(shù)公布日：2017.09.22