本發(fā)明涉及電力設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種滅弧柵片。

背景技術(shù)：

在電力開關(guān)領(lǐng)域，當(dāng)開關(guān)的動(dòng)靜觸頭彼此分開時(shí)，會(huì)在動(dòng)靜觸頭之間形成電弧，電弧是具有危害性的，因此，開關(guān)中會(huì)配置用于熄滅電弧的滅弧裝置，滅弧裝置是一個(gè)柵片滅弧罩，利用將電弧分為多個(gè)串聯(lián)的短弧的方法來滅弧。電弧會(huì)加熱周圍的氣體，使氣體迅速受熱膨脹，膨脹的氣體進(jìn)入滅弧裝置，最后從滅弧罩的出氣口排出。電弧是一束游離的氣體，質(zhì)量極輕，容易變形，在氣體或者液體的流動(dòng)作用下或者電磁力的作用下，電弧能迅速移動(dòng)，伸長(zhǎng)或者彎曲。由于受到電磁力或者其他外力（氣流、液流）的作用，電弧被引入到金屬柵片內(nèi)，一束長(zhǎng)電弧就被多個(gè)金屬柵片分割成多個(gè)串聯(lián)的短電弧。如果所有串聯(lián)短電弧陰極區(qū)的起始介質(zhì)強(qiáng)度總和永遠(yuǎn)大于觸頭間的外施電壓，電弧就不再重燃而熄滅，也就是說，若單個(gè)弧隙電壓小于介質(zhì)恢復(fù)強(qiáng)度，則單個(gè)弧隙的電弧就不再重燃，若每個(gè)弧隙的電弧都不再重燃，則整個(gè)滅弧裝置內(nèi)的電弧被熄滅。因此，一束長(zhǎng)電弧若能被分割出更多的短電弧，則單個(gè)弧隙的電壓也就越小，越不利電弧重燃。由于受到開關(guān)整體尺寸的限制，滅弧柵片的數(shù)量不會(huì)很多，因此，能分割出來的短電弧數(shù)量也不會(huì)很多，分割出來的短電弧總數(shù)量為滅弧柵片數(shù)量減去1。

如何增加分割出來的短電弧數(shù)量來提高滅弧裝置的滅弧效果，但不增加滅弧柵片數(shù)量，進(jìn)而不增大開關(guān)的整體尺寸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決上述問題，并提供一種滅弧柵片以及包含給滅弧柵片的滅弧裝置以增加分割出來的短電弧數(shù)量，進(jìn)而提高滅弧裝置的滅弧效果。

為此，本發(fā)明提供一種滅弧柵片，其具有用于安裝的安裝部和用于接納電弧的接納部，接納部設(shè)置有用于分割電弧的分流部，分流部包括貫穿接納部的通孔和凸出接納部的斜舌，斜舌設(shè)置在通孔遠(yuǎn)離電弧入口端的一側(cè)且朝電弧入口端延伸，斜舌與接納部表面的夾角為銳角，斜舌的根部與接納部連續(xù)，接納部沿電弧的傳播方向設(shè)置一個(gè)或者多個(gè)分流部。

本發(fā)明還提供一種包含上述滅弧柵片的滅弧裝置，其具有多個(gè)滅弧柵片和用于安裝滅弧柵片的絕緣支撐件，相鄰的滅弧柵片相互隔開形成用于接納電弧的電弧通道，滅弧柵片具有用于安裝的安裝部和用于接納電弧的接納部，接納部設(shè)置有用于分割電弧的分流部，分流部包括貫穿接納部的通孔和凸出接納部的斜舌，斜舌設(shè)置在通孔遠(yuǎn)離電弧入口端的一側(cè)且朝電弧入口端延伸，斜舌與接納部表面的夾角為銳角，斜舌的根部與接納部連續(xù)，接納部沿電弧的傳播方向設(shè)置一個(gè)或者多個(gè)分流部。

可選地，第一滅弧柵片的斜舌與第二滅弧柵片的斜舌交錯(cuò)且相向設(shè)置。

本發(fā)明還提供一種包含上述滅弧裝置的開關(guān)，其具有動(dòng)觸頭、靜觸頭和用于接納動(dòng)、靜觸頭分開時(shí)產(chǎn)生電弧的滅弧裝置，所述的滅弧裝置具有多個(gè)滅弧柵片和用于安裝滅弧柵片的絕緣支撐件，相鄰的滅弧柵片相互隔開形成用于接納電弧的電弧通道，滅弧柵片具有用于安裝的安裝部和用于接納電弧的接納部，其特征在于，接納部設(shè)置有用于分割電弧的分流部，分流部包括貫穿接納部的通孔和凸出接納部的斜舌，斜舌設(shè)置在通孔遠(yuǎn)離電弧入口端的一側(cè)且朝電弧入口端延伸，斜舌與接納部表面的夾角為銳角，斜舌的根部與接納部連續(xù)，接納部沿電弧的傳播方向設(shè)置一個(gè)或者多個(gè)分流部。

可選地，第一滅弧柵片的斜舌與第二滅弧柵片的斜舌交錯(cuò)且相向設(shè)置。

有益效果

采用本發(fā)明公開的滅弧柵片及滅弧裝置可帶來如下有益效果：

1.相同的空間內(nèi)，一束長(zhǎng)電弧被分割出更多的短電弧，短電弧數(shù)量劇增。

2.電弧的總長(zhǎng)度變長(zhǎng)，增加電弧與周圍介質(zhì)的接觸面積，加強(qiáng)冷卻和擴(kuò)散作用，有利于滅弧。

3.電弧的總長(zhǎng)度變長(zhǎng)，電阻變大，不利于電弧的重燃，有利于滅弧。

4.弧隙電壓銳減，大大地降低了弧隙電弧重燃的機(jī)會(huì)。

5.只需在現(xiàn)有開關(guān)的滅弧柵片上加工分流部而無需增加其他的滅弧零件即可實(shí)現(xiàn)開關(guān)的高效滅弧性能。

6.分流部可以在滅弧柵片沖裁折彎工藝中一起完成，幾乎不增加成本。

7.無需改變現(xiàn)有開關(guān)的整體尺寸即可完成開關(guān)滅弧性能的升級(jí)。

附圖說明

在下面參照附圖對(duì)作為非限制性實(shí)施例給出的實(shí)施方式的說明中，本發(fā)明及其優(yōu)越性將得到更好的理解，附圖如下：

圖1是現(xiàn)有一種滅弧柵片的立體圖；

圖2是本發(fā)明公開的實(shí)施例一至實(shí)施例四中的第一滅弧柵片的立體圖；

圖3是本發(fā)明公開的實(shí)施例二和實(shí)施例四中的第二滅弧柵片的立體圖；

圖4是圖2中沿a-a方向的局部剖視圖；

圖5是圖1的剖切立體圖；

圖6是圖2沿a-a方向的剖切立體圖；

圖7是圖3的剖切立體圖；

圖8是現(xiàn)有一種滅弧裝置的立體圖；

圖9是實(shí)施例二中的第二滅弧裝置的立體圖；

圖10是圖8中沿b-b方向的剖切立體圖；

圖11是圖10的正視圖；

圖12是實(shí)施例一中的第一滅弧裝置的剖切立體圖；

圖13是圖12的正視圖；

圖14是實(shí)施例二中的第二滅弧裝置的剖切立體圖；

圖15是圖14的正視圖；

圖16是實(shí)施例三中的第三滅弧裝置的剖切立體圖；

圖17是圖16的正視圖；

圖18是實(shí)施例四中的第四滅弧裝置的剖切立體圖；

圖19是圖18的正視圖；

圖20是現(xiàn)有一種滅弧裝置的立體圖；

圖21是現(xiàn)有一種滅弧柵片的立體圖；

圖22是本發(fā)明公開的實(shí)施例五和實(shí)施例六中的第三滅弧柵片的立體圖；

圖23是本發(fā)明公開的實(shí)施例六中的第四滅弧柵片的立體圖；

圖24是圖21的剖切立體圖；

圖25是圖22的剖切立體圖；

圖26是圖23的剖切立體圖；

圖27是圖20的局部剖切立體圖；

圖28是圖27的正視圖；

圖29是實(shí)施例五中的第五滅弧裝置的剖切立體圖；

圖30是圖29的正視圖；

圖31是實(shí)施例六中的第六滅弧裝置的剖切立體圖；

圖32是圖31的正視圖；

圖33-40是實(shí)施例一中的第一滅弧裝置對(duì)電弧的分段示意圖；

圖41-45是實(shí)施例一中的第一滅弧裝置對(duì)電弧的分段后的數(shù)量統(tǒng)計(jì)示意圖；

圖45-51是實(shí)施例二中的第二滅弧裝置對(duì)電弧的分段示意圖；

圖53-57是實(shí)施例二中的第二滅弧裝置對(duì)電弧的分段后的數(shù)量統(tǒng)計(jì)示意圖；

附圖標(biāo)記說明

1.分流部；2.斜舌；3.通孔；4.第一滅弧柵片；5.第二滅弧柵片；6.第三滅弧柵片；7.第四滅弧柵片。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

圖1所示的是現(xiàn)有一種滅弧柵片的立體圖，其具有用于安裝的安裝部和用于接納電弧的接納部，安裝部為四個(gè)凸出的且用于嵌入絕緣支撐件的凸耳，如圖所示的左側(cè)位置設(shè)置有電弧入口端，電弧從電弧入口端進(jìn)入后在接納部移動(dòng)。

圖2所示的是本發(fā)明公開的第一滅弧柵片4的立體圖，其具有用于安裝的安裝部和用于接納電弧的接納部，安裝部為四個(gè)凸出的且用于嵌入絕緣支撐件的凸耳，如圖所示的左側(cè)位置設(shè)置有電弧入口端，電弧從電弧入口端進(jìn)入后在接納部移動(dòng)，接納部設(shè)置有用于分割電弧的分流部1，接納部沿電弧的傳播方向設(shè)置，分流部1的數(shù)量根據(jù)接納部的長(zhǎng)度選取，本實(shí)施例設(shè)置3個(gè)分流部1。

圖4所示的是分流部1的局部剖視圖，分流部1包括貫穿接納部的通孔3和凸出接納部的斜舌2，斜舌2設(shè)置在通孔3遠(yuǎn)離電弧入口端的一側(cè)且朝電弧入口端延伸，斜舌2與接納部表面的夾角為銳角，本實(shí)施例的夾角采用35度，斜舌2的根部與接納部連續(xù)，采用圓弧過渡連接，設(shè)置在斜舌2上用于分割電弧的端部在接納部的投影到電弧入口端的距離小于通孔3邊緣到電弧入口端的距離，這樣的設(shè)置使得電弧先接觸到斜舌2，進(jìn)而被分割，最后進(jìn)入通孔3。

如圖5-6所示，第一滅弧柵片4與現(xiàn)有滅弧柵片的區(qū)別在于接納部，通過在現(xiàn)有滅弧柵片的接納部加工分流部1即可獲得第一滅弧柵片4，分流部1可通過但不限于沖裁折彎成型工藝形成。

圖8，10，11所示的是一種現(xiàn)有滅弧裝置，其具有8個(gè)滅弧柵片和2個(gè)用于安裝滅弧柵片的絕緣支撐件，2個(gè)絕緣支撐件夾持著8個(gè)滅弧柵片，相鄰的滅弧柵片相互隔開形成用于接納電弧的電弧通道。滅弧柵片的安裝部嵌入絕緣支撐件，并與絕緣支撐件緊固連接，各滅弧柵片之間相互絕緣且平行設(shè)置，相鄰滅弧柵片之間的距離相同。一束長(zhǎng)電弧從滅弧裝置的入口端進(jìn)入后，被8個(gè)滅弧柵片分割成7段小電弧，分割后的小電弧在各自的電弧通道內(nèi)繼續(xù)向前傳播。

圖12，13所示的是本發(fā)明公開的第一滅弧裝置，其具有8個(gè)滅弧柵片和2個(gè)用于安裝滅弧柵片的絕緣支撐件，2個(gè)絕緣支撐件夾持著8個(gè)滅弧柵片，其中6個(gè)為第一滅弧柵片4，另外2個(gè)為現(xiàn)有的滅弧柵片，2個(gè)現(xiàn)有的滅弧柵片之間設(shè)置6個(gè)第一滅弧柵片4，相鄰的滅弧柵片相互隔開形成用于接納電弧的電弧通道。滅弧柵片的安裝部嵌入絕緣支撐件，并與絕緣支撐件緊固連接，各滅弧柵片之間相互絕緣且平行設(shè)置。當(dāng)膨脹的氣體進(jìn)入電弧通道后，會(huì)被分流部1分流，一部分氣體繼續(xù)沿著當(dāng)前的電弧通道移動(dòng)，另一部分氣體則在斜舌2的作用下被導(dǎo)入通孔3并進(jìn)入到相鄰的電弧通道。一束長(zhǎng)電弧從滅弧裝置的入口端進(jìn)入后，被8個(gè)滅弧柵片分割成7段小電弧，分割后的小電弧在電弧通道內(nèi)繼續(xù)向前傳播，當(dāng)小電弧遇到分流部1時(shí)，由于電磁力或者氣流的作用，小電弧被分流部1的斜舌2分割成兩段，一段沿著斜舌2的上表面移動(dòng)，繼續(xù)在當(dāng)前的電弧通道向前移動(dòng)。另一段則沿著斜舌2的下表面穿過通孔3進(jìn)入相鄰的電弧通道向前移動(dòng)。被分流后的電弧繼續(xù)在電弧通道內(nèi)移動(dòng)，當(dāng)電弧在移動(dòng)過程中再次遇到分流部1時(shí)，電弧再次按照前述的分割規(guī)則被分割。

圖33-40是第一滅弧裝置對(duì)電弧的分段示意圖，電弧通道從上到下依次命名為a，b，c，d，e，f，g。以黑色的短線表示電弧，其前后順序不代表真實(shí)電弧的真實(shí)順序，僅為方便統(tǒng)計(jì)短電弧的數(shù)量，先以一段電弧通過通道a為例。

圖33所示，電弧位于通道a入口端。

電弧在通道a內(nèi)第一次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道a內(nèi)，另一段在通道b內(nèi)，圖34所示。

電弧在通道a內(nèi)第二次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道a內(nèi)，另一段在通道b內(nèi)，如圖35所示。

電弧在通道a內(nèi)第三次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道a內(nèi)，另一段在通道b內(nèi)，如圖36所示，此時(shí)，通道a內(nèi)有1段電弧，通道b內(nèi)有3段電弧。

圖36中的通道b內(nèi)的第二段電弧被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道c內(nèi)，如圖37所示。

圖37中的通道b內(nèi)的第一段電弧被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道c內(nèi)，如圖38所示。

圖38中的通道b內(nèi)的第一段電弧被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道c內(nèi)，如圖39所示。

圖39中的通道c內(nèi)的第一段電弧被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道c內(nèi)，另一段在通道d內(nèi)，如圖40所示，此時(shí)，起初位于通道a入口端的電弧被分割完畢，分割段數(shù)統(tǒng)計(jì)為，通道a內(nèi)有1段電弧，通道b內(nèi)有3段電弧，通道c內(nèi)有1段電弧，通道d內(nèi)有1段電弧。為了便于分析，用字母與數(shù)字的組合表示分割情況，前面的字母代表滅弧裝置入口端的電弧所在的電弧通道，后面的數(shù)字代表當(dāng)前通道的短電弧數(shù)量。

因此，一段電弧通過通道a后的分段情況為：a1，a3，a3，a1。如圖41所示，為了便于觀察分析，用虛線框?qū)⑦@組數(shù)組圍住，如圖42所示。

同樣地，一段電弧通過通道b后的分段情況為：b1，b3，b3，b1，如圖42所示。

同樣地，一段電弧通過通道c后的分段情況為：c1，c3，c3，c1，如圖43所示。

同樣地，一段電弧通過通道d后的分段情況為：d1，d3，d3，d1，如圖43所示。

同樣地，一段電弧通過通道e后的分段情況為：e1，e3，e3，e1，如圖43所示。

同樣地，一段電弧通過通道f后的分段情況為：f1，f3，f3，f1，如圖43所示。

同樣地，一段電弧通過通道g后的分段情況為：g1，g3，g3，g1，如圖43所示。

由于，通道g下面沒有其他通道，所以將位于通道外的字母數(shù)字組合去除，保留位于通道內(nèi)的字母數(shù)字組合，如圖44所示。

最后，將每個(gè)通道內(nèi)的數(shù)字相加，即可得到每個(gè)通道內(nèi)的短電弧總數(shù)量，如圖45所示，再將每個(gè)通道的短電弧總數(shù)量匯總，即可得到整個(gè)滅弧裝置最終的短電弧數(shù)量。

通過上述分析統(tǒng)計(jì)可知，一束長(zhǎng)電弧通過第一滅弧裝置后將被分割成44段短電弧。而現(xiàn)有的滅弧裝置，只能將一束長(zhǎng)電弧分割成7段短電弧，第一滅弧裝置分割出的短電弧數(shù)量是現(xiàn)有滅弧裝置分割出的短電弧數(shù)量的6倍多，分割出的短電弧的數(shù)量劇增可帶來如下有益效果。1.短電弧的數(shù)量越多，電弧的總長(zhǎng)度越長(zhǎng)，電阻越大，越不利于電弧的重燃，越有利于滅弧。2.短電弧數(shù)量越多，電弧的總長(zhǎng)度越長(zhǎng)，增加電弧與周圍介質(zhì)的接觸面積，加強(qiáng)冷卻和擴(kuò)散作用，有利于滅弧。3.短電弧數(shù)量越多，弧隙電壓越小，大大地降低了弧隙電弧重燃的機(jī)會(huì)。第一滅弧裝置的滅弧性能是現(xiàn)有滅弧裝置的滅弧性能的6倍多。

如果所有串聯(lián)短電弧陰極區(qū)的起始介質(zhì)強(qiáng)度總和永遠(yuǎn)大于觸頭間的外施電壓，電弧就不再重燃而熄滅，也就是說，若單個(gè)弧隙電壓小于介質(zhì)恢復(fù)強(qiáng)度，則單個(gè)弧隙的電弧就不再重燃，若每個(gè)弧隙的電弧都不再重燃，則整個(gè)滅弧裝置內(nèi)的電弧被熄滅。因此，一束長(zhǎng)電弧若能被分割出更多的短電弧，則單個(gè)弧隙的電壓也就越小，越不利電弧重燃。

第一滅弧裝置是將現(xiàn)有滅弧裝置中位于首尾兩片滅弧柵片之間的滅弧柵片替換成第一滅弧柵片4，總的滅弧柵片和電弧通道數(shù)量保持不變，滅弧柵片數(shù)量是8個(gè)，電弧通道數(shù)量是7個(gè)，整個(gè)滅弧裝置的外形尺寸保持不變。一束長(zhǎng)電弧通過第一滅弧裝置后被分割成44段短電弧，而現(xiàn)有的滅弧裝置只能分割成7段短電弧。

由于磁場(chǎng)分布不均勻或者說電弧受到非勻強(qiáng)磁場(chǎng)的作用，因此，滅弧裝置的入口端的各段短電弧所受到的電磁力不同，各段短電弧的移動(dòng)速度也不同，有利于避免電弧通道內(nèi)的電弧被分流部1分割后的短電弧與相鄰電弧通道內(nèi)被分流部1分割后的短電弧融合。

實(shí)施例二

圖3和圖7所示的是本發(fā)明公開的第二滅弧柵片5的立體圖和局部剖切立體圖，第二滅弧柵片5是將實(shí)施例一中的第一滅弧柵片4上的3個(gè)分流部1往電弧傳播方向移動(dòng)一定距離得到的，移動(dòng)的距離約為半個(gè)相鄰分流部1之間的距離，目的是為了使第一滅弧柵片4與第二滅弧柵片5相對(duì)設(shè)置時(shí)，第一滅弧柵片4上的分流部1與第二滅弧柵片5上的分流部1相互交錯(cuò)。

圖9所示的是本發(fā)明公開的第二滅弧裝置的立體圖，第二滅弧裝置是將實(shí)施例一中的第一滅弧裝置中的3個(gè)第一滅弧柵片4替換成第二滅弧柵片5，使第一滅弧柵片4和第二滅弧柵片5交替設(shè)置。

圖14，15所示的第二滅弧裝置，第一滅弧柵片4的斜舌2與第二滅弧柵片5的斜舌2交錯(cuò)且相向設(shè)置。

圖46-57是第二滅弧裝置對(duì)電弧的分段示意圖，電弧通道從上到下依次命名為a，b，c，d，e，f，g。以黑色的短線表示電弧，其前后順序不代表真實(shí)電弧的真實(shí)順序，僅為方便統(tǒng)計(jì)短電弧的數(shù)量，先以一段電弧通過通道a及一段電弧通過通道b為例。

圖46所示，電弧位于通道a入口端，電弧位于通道b入口端。

通道a內(nèi)的電弧沒有被分割直接通過，通道b內(nèi)電弧第一次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道c內(nèi)，圖47所示。

通道c內(nèi)的電弧沒有被分割直接通過，通道b內(nèi)的電弧被地二次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道a內(nèi)，如圖48所示。

通道a內(nèi)的電弧沒有被分割直接通過，通道b內(nèi)的電弧被地三次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道c內(nèi)，如圖49所示。

通道c內(nèi)的電弧沒有被分割直接通過，通道b內(nèi)的電弧被地四次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道a內(nèi)，如圖50所示。

通道a內(nèi)的電弧沒有被分割直接通過，通道b內(nèi)的電弧被地五次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道c內(nèi)，如圖51所示。

通道c內(nèi)的電弧沒有被分割直接通過，通道b內(nèi)的電弧被地六次被分割成兩段，一段繼續(xù)在通道b內(nèi)，另一段在通道a內(nèi)，如圖52所示，此時(shí)，起初位于通道b入口端的電弧被分割完畢，分割段數(shù)統(tǒng)計(jì)為，通道a內(nèi)有3段電弧，通道b內(nèi)有1段電弧，通道c內(nèi)有3段電弧。而起初位于通道a入口端的電弧由于沒有被分割而直接通過通道a，所以最后通道a內(nèi)有1段通道a未經(jīng)分割的電弧和3段由通道b分割后的電弧。為了便于分析，用字母與數(shù)字的組合表示分割情況，前面的字母代表滅弧裝置入口端的電弧所在的電弧通道，后面的數(shù)字代表當(dāng)前通道的短電弧數(shù)量。

因此，一段電弧通過通道a及一段電弧通過通道b后的分段情況為：a1，b3，b1，b3，如圖53所示。為了便于觀察分析，用虛線框?qū)⑦@組數(shù)組圍住，如圖54所示。

同樣地，一段電弧通過通道c及一段電弧通過通道d后的分段情況為：c1，d3，d1，d3，如圖54所示。

同樣地，一段電弧通過通道e及一段電弧通過通道f后的分段情況為：e1，f3，f1，f3，如圖55所示。

同樣地，一段電弧通過通道g及一段電弧通過通道h后的分段情況為：g1，h3，h1，h3，如圖55所示。

由于，通道g下面沒有其他通道，所以將位于通道外的字母數(shù)字組合去除，保留位于通道內(nèi)的字母數(shù)字組合，如圖56所示。

最后，將每個(gè)通道內(nèi)的數(shù)字相加，即可得到每個(gè)通道內(nèi)的短電弧總數(shù)量，如圖57所示，再將每個(gè)通道的短電弧總數(shù)量匯總，即可得到整個(gè)滅弧裝置最終的短電弧數(shù)量。

通過上述分析統(tǒng)計(jì)可知，一束長(zhǎng)電弧通過第二滅弧裝置后將被分割成25段短電弧。而現(xiàn)有的滅弧裝置，只能將一束長(zhǎng)電弧分割成7段短電弧，第二滅弧裝置分割出的短電弧數(shù)量是現(xiàn)有滅弧裝置分割出的短電弧數(shù)量的3倍多，分割出的短電弧的數(shù)量劇增可帶來如下有益效果。1.短電弧的數(shù)量越多，電弧的總長(zhǎng)度越長(zhǎng)，電阻越大，越不利于電弧的重燃，越有利于滅弧。2.短電弧數(shù)量越多，電弧的總長(zhǎng)度越長(zhǎng)，增加電弧與周圍介質(zhì)的接觸面積，加強(qiáng)冷卻和擴(kuò)散作用，有利于滅弧。3.短電弧數(shù)量越多，弧隙電壓越小，大大地降低了弧隙電弧重燃的機(jī)會(huì)。第二滅弧裝置的滅弧性能是現(xiàn)有滅弧裝置的滅弧性能的3倍多。

實(shí)施例三

圖16，17所示的是本發(fā)明公開的第三滅弧裝置，第三滅弧裝置是將實(shí)施例一中的第一滅弧裝置中的第一滅弧柵片4的數(shù)量由6個(gè)減少為4個(gè)，同時(shí)使相鄰滅弧柵片之間的距離不同。由于相鄰滅弧柵片之間的距離不同，所以電弧進(jìn)入第三滅弧裝置的電弧入口端后就會(huì)被分割成5段不同長(zhǎng)度的短電弧。由于各段短電弧的長(zhǎng)度不同，所以每段電弧受到的電磁力也不同，造成每段短電弧的移動(dòng)速度也不同，有利于避免電弧通道內(nèi)的電弧被分流部1分割后的短電弧與相鄰電弧通道內(nèi)被分流部1分割后的短電弧融合。

實(shí)施例四

圖18，19所示的是本發(fā)明公開的第四滅弧裝置，第四滅弧裝置是將實(shí)施例三中的第三滅弧裝置中的2個(gè)第一滅弧柵片4替換成第二滅弧柵片5，使第一滅弧柵片4和第二滅弧柵片5交替設(shè)置，第一滅弧柵片4的斜舌2與第二滅弧柵片5的斜舌2交錯(cuò)且相向設(shè)置。

實(shí)施例五

圖20所示的是另一種現(xiàn)有的滅弧裝置，其用于大電流開關(guān)，多片動(dòng)觸頭共同完成一相電流的開斷或者閉合。其滅弧柵片如圖21所示，其具有用于安裝的安裝部和用于接納電弧的接納部，兩端的安裝部各自嵌入對(duì)應(yīng)的絕緣支撐件上設(shè)置的凹槽內(nèi)，如圖21所示的左側(cè)位置設(shè)置有電弧入口端，電弧從電弧入口端進(jìn)入后在接納部移動(dòng)。

圖22所示的是本發(fā)明公開的第一滅弧柵片4的立體圖，其具有用于安裝的安裝部和用于接納電弧的接納部，兩端的安裝部各自嵌入對(duì)應(yīng)的絕緣支撐件上設(shè)置的凹槽內(nèi)，如圖22所示的左側(cè)位置設(shè)置有電弧入口端，電弧從電弧入口端進(jìn)入后在接納部移動(dòng)，接納部設(shè)置有用于分割電弧的分流部1，接納部沿電弧的傳播方向設(shè)置，分流部1的數(shù)量根據(jù)接納部的長(zhǎng)度選取，本實(shí)施例設(shè)置3個(gè)分流部1。

如圖24-25所示，第一滅弧柵片4與現(xiàn)有滅弧柵片的區(qū)別在于接納部，通過在現(xiàn)有滅弧柵片的接納部加工分流部1即可獲得第一滅弧柵片4，分流部1可通過但不限于沖裁折彎成型工藝形成。

圖27，28所示的是圖20所示另一種現(xiàn)有的滅弧裝置，其具有8個(gè)滅弧柵片和2個(gè)用于安裝滅弧柵片的絕緣支撐件，其中一個(gè)絕緣支撐件已撤去，2個(gè)絕緣支撐件夾持著8個(gè)滅弧柵片，相鄰的滅弧柵片相互隔開形成用于接納電弧的電弧通道。兩端的安裝部各自嵌入對(duì)應(yīng)的絕緣支撐件上設(shè)置的凹槽內(nèi)，通過螺釘緊固2個(gè)絕緣支撐件使滅弧柵片固定在對(duì)應(yīng)的凹槽內(nèi)。各滅弧柵片之間相互絕緣，相鄰滅弧柵片之間的夾角相同。一束長(zhǎng)電弧從滅弧裝置的入口端進(jìn)入后，被8個(gè)滅弧柵片分割成7段小電弧，分割后的小電弧在各自的電弧通道內(nèi)繼續(xù)向前傳播。

圖29，30所示的是本發(fā)明公開的第五滅弧裝置，其具有8個(gè)滅弧柵片和2個(gè)用于安裝滅弧柵片的絕緣支撐件，其中一個(gè)絕緣支撐件已撤去，2個(gè)絕緣支撐件夾持著8個(gè)滅弧柵片，其中6個(gè)為第三滅弧柵片6，另外2個(gè)為現(xiàn)有的滅弧柵片，2個(gè)現(xiàn)有的滅弧柵片之間設(shè)置6個(gè)第三滅弧柵片6，相鄰的滅弧柵片相互隔開形成用于接納電弧的電弧通道。兩端的安裝部各自嵌入對(duì)應(yīng)的絕緣支撐件上設(shè)置的凹槽內(nèi)，通過螺釘緊固2個(gè)絕緣支撐件使滅弧柵片固定在對(duì)應(yīng)的凹槽內(nèi)。當(dāng)膨脹的氣體進(jìn)入電弧通道后，會(huì)被分流部1分流，一部分氣體繼續(xù)沿著當(dāng)前的電弧通道移動(dòng)，另一部分氣體則在斜舌2的作用下被導(dǎo)入通孔3并進(jìn)入到相鄰的電弧通道。一束長(zhǎng)電弧從滅弧裝置的入口端進(jìn)入后，被8個(gè)滅弧柵片分割成7段小電弧，分割后的小電弧在電弧通道內(nèi)繼續(xù)向前傳播，當(dāng)小電弧遇到分流部1時(shí)，由于電磁力或者氣流的作用，小電弧被分流部1的斜舌2分割成兩段，一段沿著斜舌2的上表面移動(dòng)，繼續(xù)在當(dāng)前的電弧通道向前移動(dòng)。另一段則沿著斜舌2的下表面穿過通孔3進(jìn)入相鄰的電弧通道向前移動(dòng)。被分流后的電弧繼續(xù)在電弧通道內(nèi)移動(dòng)，當(dāng)電弧在移動(dòng)過程中再次遇到分流部1時(shí)，電弧再次按照前述的分割規(guī)則被分割。

實(shí)施例六

圖23和圖26所示的是本發(fā)明公開的第四滅弧柵片7的立體圖和局部剖切立體圖，第四滅弧柵片7是將實(shí)施例五中的第三滅弧柵片6上的6個(gè)分流部1往電弧傳播方向移動(dòng)一定距離得到的，移動(dòng)的距離為半個(gè)相鄰分流部1之間的距離，目的是為了使第三滅弧柵片6與第四滅弧柵片7相對(duì)設(shè)置時(shí)，第三滅弧柵片6上的分流部1與第四滅弧柵片7上的分流部1相互交錯(cuò)。

圖31，32所示的是本發(fā)明公開的第六滅弧裝置，第六滅弧裝置是將實(shí)施例五中的第五滅弧裝置中的3個(gè)第三滅弧柵片6替換成第四滅弧柵片7，使第三滅弧柵片6和第四滅弧柵片7交替設(shè)置，第三滅弧柵片6的斜舌2與第四滅弧柵片7的斜舌2交錯(cuò)且相向設(shè)置。

本發(fā)明公開的滅弧柵片、滅弧裝置也可用于處在液體中的動(dòng)靜觸頭分開時(shí)產(chǎn)生的電弧。