本發(fā)明涉及集成電路結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是涉及一種硅柵mos集成電路esd保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的硅柵mos集成電路的esd保護(hù)，有很多結(jié)構(gòu)簡單的電路，其中以柵極直接接地或者柵極通過電阻接地的為典型代表，這種電路很難保證端口先經(jīng)過nmos管（其起作用的主要為寄生的npn三極管）釋放靜電，再經(jīng)過電阻釋放靜電，這容易燒毀電阻，或者對電阻要求比較高，到達(dá)芯片內(nèi)部的靜電電壓及能量也比較高，有單級保護(hù)效果不佳，二級保護(hù)面積偏大的缺點(diǎn)。上述缺陷，值得解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有的技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種硅柵mos集成電路esd保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明技術(shù)方案如下所述：

一種硅柵mos集成電路esd保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括nmos管，內(nèi)部電路，端口以及n型有源區(qū)注入電阻，所述nmos管分別與所述內(nèi)部電路以及所述端口連接，所述nmos管上設(shè)置有所述n型有源區(qū)注入電阻，所述n型有源區(qū)注入電阻分別與所述內(nèi)部電路以及所述端口連接，所述內(nèi)部電路與所述端口相連接。

進(jìn)一步的，所述nmos管的柵極通過接地電阻接地。

進(jìn)一步的，所述nmos管的柵極直接接地。

進(jìn)一步的，還包括有源區(qū)電阻，且所述內(nèi)部電路通過所述有源區(qū)電阻分別與所述端口以及所述n型有源區(qū)注入電阻相連接。

進(jìn)一步的，還包括多晶電阻，且所述內(nèi)部電路通過所述多晶電阻分別與所述端口以及所述n型有源區(qū)注入電阻相連接。

根據(jù)上述方案的本發(fā)明，其有益效果在于，本發(fā)明通過在nmos上設(shè)置n型有源區(qū)注入電阻，既減小了集成電路版圖的面積，又保證了大部分的靜電先通過nmos管進(jìn)行了放電，再通過n型有源區(qū)注入電阻連接到內(nèi)部電路，靜電釋放效果好，利于保護(hù)電路，成本低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的具體實(shí)施例圖一；

圖3為本發(fā)明的具體實(shí)施例圖二；

圖4為本發(fā)明的具體實(shí)施例圖三。

寄生n+有源區(qū)電阻為n型有源區(qū)注入電阻。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的描述：

如圖1所示，一種硅柵mos集成電路esd保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，包括nmos管，內(nèi)部電路，端口以及n型有源區(qū)注入電阻，所述nmos管分別與所述內(nèi)部電路以及所述端口連接，所述nmos管上設(shè)置有所述n型有源區(qū)注入電阻，所述n型有源區(qū)注入電阻分別與所述內(nèi)部電路以及所述端口連接，所述內(nèi)部電路與所述端口相連接。

所述nmos管的柵極通過接地電阻接地或者直接接地，所述內(nèi)部電路通過有源區(qū)電阻或者多晶電阻分別與所述端口以及所述n型有源區(qū)注入電阻相連接。

本發(fā)明工作原理：當(dāng)端口遭遇靜電時，先通過一個多叉指狀的nmos管進(jìn)行放電，然后經(jīng)過n型有源區(qū)注入電阻直接或者再經(jīng)過多晶電阻或者有源區(qū)電阻連接到內(nèi)部電路。因為有n型有源區(qū)注入電阻存在，n型有源區(qū)注入電阻有限流和限壓的作用，大部分的靜電先通過多叉指狀的nmos管進(jìn)行了放電，n型有源區(qū)注入電阻后面的連線上的靜電電壓與電流比端口上的靜電電壓與電流小了很多，從而給連接內(nèi)部電路降低了抗本靜電電壓與電流方面的要求。

本發(fā)明具體實(shí)施例：

如圖2、圖3、圖4所示，取多叉指狀的nmos管中共漏極（漏極接端口）二個nmos管，沿著金屬層，在遠(yuǎn)離端口的位置利用寄生在nmos中的n+n型有源區(qū)注入電阻，以保證大部分的靜電先通過多叉指狀的nmos管進(jìn)行了放電再通過nmos中寄生的n型有源區(qū)注入電阻直接或者再經(jīng)過多晶電阻或者有源區(qū)電阻連接到內(nèi)部電路

本發(fā)明通過在nmos管上設(shè)置n型有源區(qū)注入電阻，既減小了集成電路版圖的面積，又保證了大部分的靜電先通過nmos管進(jìn)行了放電，再通過n型有源區(qū)注入電阻連接到內(nèi)部電路，靜電釋放效果好，利于保護(hù)電路，成本低。

應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

上面結(jié)合附圖對本發(fā)明專利進(jìn)行了示例性的描述，顯然本發(fā)明專利的實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明專利的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明專利的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種硅柵MOS集成電路ESD保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，包括NMOS管，內(nèi)部電路，端口以及N型有源區(qū)注入電阻，所述NMOS管分別與所述內(nèi)部電路以及所述端口連接，所述NMOS管上設(shè)置有所述N型有源區(qū)注入電阻，所述N型有源區(qū)注入電阻分別與所述內(nèi)部電路以及所述端口連接，所述內(nèi)部電路與所述端口相連接。本發(fā)明通過在NMOS上設(shè)置N型有源區(qū)注入電阻，既減小了集成電路版圖的面積，又保證了大部分的靜電先通過NMOS管進(jìn)行了放電，再通過N型有源區(qū)注入電阻連接到內(nèi)部電路，靜電釋放效果好，利于保護(hù)電路，成本低。

技術(shù)研發(fā)人員：劉吉平;張懷東;周蘊(yùn)言;馮冰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市航順芯片技術(shù)研發(fā)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.12
技術(shù)公布日：2017.09.15