本實用新型涉及太陽能電池片的制備，尤其涉及一種PERC電池鍍膜用掩膜結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在所有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽電池中，晶體硅太陽電池是得到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時晶體硅太陽電池相比其他類型的太陽能電池有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機(jī)械性能，因此，晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。

現(xiàn)有常規(guī)技術(shù)中，晶體硅太陽能電池的制備工藝主要包括：清洗、去損傷層、制絨、擴(kuò)散制結(jié)、刻蝕、沉積減反射膜、印刷、燒結(jié)、電池片測試。目前為了提升光伏行業(yè)的競爭力，各種高效的電池片工藝陸續(xù)被開發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)。而高效電池片的技術(shù)中PERC工藝已經(jīng)得到廣泛推廣，PERC工藝技術(shù)需要沉積三次不同的膜層來完成正面和背面的鈍化，即背面氧化鋁、背面氮化硅、正面氮化硅，而由于背面的電極漿料不能直接穿透氧化鋁和氮化硅，因此還需要利用激光開槽。因此PERC工藝較常規(guī)工藝相比，要增加兩道工序，導(dǎo)致成本相對也較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種PERC電池鍍膜用掩膜結(jié)構(gòu)。

為達(dá)到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是：一種PERC電池鍍膜用掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括一石墨框和一掩膜板，其中：

所述石墨框上設(shè)置有多個網(wǎng)格，每個網(wǎng)格對應(yīng)一硅片設(shè)置；

所述掩膜板上設(shè)置有與石墨框上的網(wǎng)格一一對應(yīng)的單元格，每個單元格內(nèi)由鏤空區(qū)域和非鏤空區(qū)域組成，非鏤空區(qū)域?qū)?yīng)于待覆蓋的電極漿料設(shè)置；

在使用狀態(tài)下，硅片置于石墨框和掩膜板之間，石墨框和掩膜板之間通過定位結(jié)構(gòu)相對定位。

上述方案中，所述掩膜板上，所述鏤空區(qū)域面積占掩膜板總面積的1~5%，非鏤空區(qū)域面積占掩膜板總面積的30~50%，其中，鏤空區(qū)域是需要沉積氧化鋁和氮化硅薄膜的區(qū)域，非鏤空區(qū)域是無需沉積氧化鋁和氮化硅薄膜的區(qū)域。

上述方案中，在使用狀態(tài)下，所述石墨框和掩膜板之間通過螺絲或夾具定位。

上述方案中，每個單元格中，單元格的兩條對角線為非鏤空區(qū)域，兩條對角線將單元格內(nèi)區(qū)域分為四個三角形區(qū)域，每個三角形區(qū)域中，所述鏤空區(qū)域及非鏤空區(qū)域間隔且平行于單元格對應(yīng)的側(cè)邊布置。

優(yōu)選地，每個三角形區(qū)域中，沿單元格中心指向?qū)?yīng)單元格側(cè)邊的方向上，各非鏤空區(qū)域的長度依次遞增，各鏤空區(qū)域的長度也依次遞增。

優(yōu)選地，每個三角形區(qū)域中，沿單元格中心指向側(cè)邊沿的方向上，相鄰兩條鏤空區(qū)域中，靠近單元格中心的鏤空區(qū)域的長邊長度為遠(yuǎn)離單元格中心的鏤空區(qū)域的長邊長度的2/3~3/4。

優(yōu)選地，所述單元格中，最靠近單元格側(cè)邊的鏤空區(qū)域的長邊長度為145~150毫米。

上述方案中，所述單元格的四個頂點沿順時針方向依次定義為第一頂點、第二頂點、第三頂點和第四頂點，沿第一頂點和第二頂點的連線方向間隔設(shè)置有彼此平行的鏤空區(qū)域和非鏤空區(qū)域，且鏤空區(qū)域的長度由中心向兩端遞減。

優(yōu)選地，沿鏤空區(qū)域長度的遞減方向，相鄰兩條鏤空區(qū)域中，長鏤空區(qū)域的長度為短鏤空區(qū)域長度的3/2~4/3倍。

優(yōu)選地，最短鏤空區(qū)域的長度為10~15毫米。

優(yōu)選地，所述單元格中，各非鏤空區(qū)域的寬度為5~10毫米。

上述方案中，所述掩膜板上的圖形（即鏤空區(qū)域和非鏤空區(qū)域的布局及結(jié)構(gòu)）可以根據(jù)實際所需進(jìn)行調(diào)整。

上述方案中，所述掩膜板由石墨制成。

上述方案中，非鏤空區(qū)域與硅片相互接觸。

由于上述技術(shù)方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點：

1．本實用新型是利用石墨框掩膜板，將現(xiàn)有技術(shù)中需要通過激光開槽的區(qū)域，利用石墨框掩膜板的非鏤空區(qū)域遮蓋，使需激光開槽的區(qū)域不再沉積氧化鋁和氮化硅薄膜，無需再用激光進(jìn)行開槽，從而減少了PERC電池的工序，降低了成本；

2. 本實用新型使用了掩膜板，由于無需激光開槽，也就避免了激光開槽過程中對硅片帶來的損傷，提升了效率；

3. 本實用新型所使用的石墨框掩膜板，可根據(jù)不同圖形的需要制定石墨框掩膜板，使用靈活廣泛；

4. 本實用新型的掩膜板使用石墨材質(zhì)，不易發(fā)生形變，無污染，耐酸洗；

5. 本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，適于推廣。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例石墨框結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實用新型實施例一掩膜板結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實用新型實施例一掩膜板一個單元格的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實用新型實施例二掩膜板一個單元格的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1、石墨框；11、網(wǎng)格；2、掩膜板；21、單元格；211、非鏤空區(qū)域；212、鏤空區(qū)域。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進(jìn)一步描述：

實施例一：

參見圖1、圖2及圖3所示，一種PERC電池鍍膜用掩膜結(jié)構(gòu)，包括一石墨框1和一掩膜板2，其中：

所述石墨框1上設(shè)置有多個網(wǎng)格11，每個網(wǎng)格11對應(yīng)一硅片設(shè)置；

所述掩膜板2上設(shè)置有與石墨框1上的網(wǎng)格11一一對應(yīng)的單元格21，每個單元格21內(nèi)為鏤空結(jié)構(gòu)，由鏤空區(qū)域212和非鏤空區(qū)域211組成，非鏤空區(qū)域211對應(yīng)于待覆蓋的電極漿料設(shè)置；

在使用狀態(tài)下，硅片置于石墨框1和掩膜板2之間，石墨框1和掩膜板2之間通過定位結(jié)構(gòu)相對定位。

所述掩膜板2上，所述鏤空區(qū)域212面積占掩膜板2總面積的1~5%，非鏤空區(qū)域211面積占掩膜板2總面積的30~50%。

在使用狀態(tài)下，所述石墨框1和掩膜板2之間通過螺絲或夾具定位。

每個單元格21中，單元格21的兩條對角線為非鏤空區(qū)域211，兩條對角線將單元格21內(nèi)區(qū)域分為四個三角形區(qū)域，每個三角形區(qū)域中，所述鏤空區(qū)域212及非鏤空區(qū)域211間隔且平行于單元格21對應(yīng)的側(cè)邊布置。

每個三角形區(qū)域中，沿單元格21中心指向?qū)?yīng)單元格21側(cè)邊的方向上，各非鏤空區(qū)域211的長度依次遞增，各鏤空區(qū)域212的長度也依次遞增。

每個三角形區(qū)域中，沿單元格21中心指向側(cè)邊沿的方向上，相鄰兩條鏤空區(qū)域211中，靠近單元格21中心的鏤空區(qū)域211的長邊長度為遠(yuǎn)離單元格21中心的鏤空區(qū)域211的長邊長度的2/3~3/4，即圖3中，c=（2/3~3/4）b，b=（2/3~3/4）a，以此類推。

所述單元格21中，最靠近單元格21側(cè)邊的非鏤空區(qū)域211的長邊長度a為145~150毫米。

所述單元格21中，各非鏤空區(qū)域211的寬度d為5~10毫米。

實施例二：

參見圖4所示，本實施例與實施例一的區(qū)別在于單元格21內(nèi)鏤空區(qū)域212與非鏤空區(qū)域211的布局結(jié)構(gòu)不同，參見圖4所示，所述單元格21的四個頂點沿順時針方向依次定義為第一頂點、第二頂點、第三頂點和第四頂點，沿第一頂點和第二頂點的連線方向間隔設(shè)置有彼此平行的鏤空區(qū)域212和非鏤空區(qū)域211，且鏤空區(qū)域212的長度由中心向兩端遞減。

沿鏤空區(qū)域212長度的遞減方向，相鄰兩條鏤空區(qū)域212中，長鏤空區(qū)域的長度為短鏤空區(qū)域長度的3/2~4/3倍，即圖4中f=（3/2~4/3）e，g=（3/2~4/3）f，以此類推。

所述單元格21中，各非鏤空區(qū)域211的寬度h為5~10毫米。

所述網(wǎng)格2的尺寸大于硅片尺寸。