本申請說明書所公開的技術(shù)涉及電力用的半導(dǎo)體技術(shù)。

背景技術(shù)：

1、以往的功率器件模塊具有p電極、n電極和ac電極。各個電極設(shè)置于功率器件模塊的框體的外側(cè)的第1側(cè)面或與第1側(cè)面相反側(cè)的側(cè)面即第2側(cè)面。

2、在并聯(lián)連接地使用多個功率器件模塊時，通過將并聯(lián)連接的功率器件模塊之間的ac電極彼此間以及n電極彼此間接線，從而能夠抑制振蕩現(xiàn)象。

3、通常，在并聯(lián)連接地使用多個功率器件模塊的情況下，與第3側(cè)面以及第4側(cè)面相對地排列其它功率器件模塊，該第3側(cè)面是與上述的第1側(cè)面、第2側(cè)面分別垂直的側(cè)面，該第4側(cè)面是與第3側(cè)面相反側(cè)的側(cè)面。

4、因此，通過在相對的第3側(cè)面以及第4側(cè)面設(shè)置ac電極或n電極，從而并聯(lián)連接的功率器件模塊之間的ac電極彼此間或n電極彼此間的接線變得容易。

5、例如，如專利文獻1所例示的那樣，將在與設(shè)置有p電極、n電極的側(cè)面垂直的側(cè)面設(shè)置有ac電極、n電極的功率器件模塊以使設(shè)置有ac電極、n電極的側(cè)面相對的方式排列。于是，能夠使相鄰的功率器件模塊的ac電極之間、n電極之間容易接線，能夠抑制振蕩現(xiàn)象。

6、專利文獻1：日本特開2019-169609號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在專利文獻1所示的構(gòu)造中，在功率器件模塊的密封樹脂內(nèi)，電極彼此在俯視觀察時重疊地進行配線。在俯視觀察時重疊地進行了配線的電極彼此為了確保絕緣性而需要彼此遠離。于是，存在裝置的尺寸增大的問題。

2、本申請說明書所公開的技術(shù)就是鑒于以上記載的問題而提出的，是用于使并聯(lián)連接地使用時的接線變得容易、并且抑制裝置的尺寸增大的技術(shù)。

3、作為本申請說明書所公開的技術(shù)的第1方式的半導(dǎo)體裝置具有：基板；至少1個半導(dǎo)體元件，其設(shè)置于所述基板的上表面；p電極，其與所述半導(dǎo)體元件電連接，并且設(shè)置為在俯視觀察時從所述基板的第1側(cè)面延伸至外側(cè)；ac電極，其與所述半導(dǎo)體元件電連接，并且設(shè)置為在俯視觀察時從與所述第1側(cè)面相反側(cè)的第2側(cè)面延伸至外側(cè)；第1連接電極，其與所述半導(dǎo)體元件以及所述ac電極電連接，并且設(shè)置為在俯視觀察時從與所述第1側(cè)面交叉的第3側(cè)面以及與所述第3側(cè)面相反側(cè)的第4側(cè)面之中的至少一者延伸至外側(cè)；以及第2連接電極，其與所述半導(dǎo)體元件電連接，并且設(shè)置為在俯視觀察時從所述第3側(cè)面以及所述第4側(cè)面之中的至少一者延伸至外側(cè)，在所述基板的上方，所述第1連接電極在俯視觀察時與所述p電極以及所述ac電極均不重疊，在所述基板的上方，所述第2連接電極在俯視觀察時與所述p電極以及所述ac電極均不重疊。

4、發(fā)明的效果

5、根據(jù)本申請說明書所公開的技術(shù)的至少第1方式，通過在與設(shè)置p電極以及ac電極的側(cè)面交叉的側(cè)面設(shè)置連接電極，從而能夠在并聯(lián)連接地使用該結(jié)構(gòu)時抑制振蕩，并且使所要進行的接線變得容易。另外，設(shè)置為在基板的上方連接電極在俯視觀察時與p電極以及ac電極均不重疊，因此能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的小型化。

6、另外，與本申請說明書所公開的技術(shù)相關(guān)的目的、特征、方案以及優(yōu)點將通過以下所示的詳細說明和附圖而變得更加清楚。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任1項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任1項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任1項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任1項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任1項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
抑制裝置的尺寸的增大。半導(dǎo)體裝置具有：P電極，其設(shè)置為從基板的第1側(cè)面延伸至外側(cè)；AC電極，其設(shè)置為從與第1側(cè)面相反側(cè)的第2側(cè)面延伸至外側(cè)；以及第1、第2連接電極，它們設(shè)置為從與第1側(cè)面交叉的第3側(cè)面以及與第3側(cè)面相反側(cè)的第4側(cè)面之中的至少一者延伸至外側(cè)，在基板的上方，第1連接電極與P電極以及AC電極均不重疊，在基板的上方，第2連接電極與P電極以及AC電極均不重疊。

技術(shù)研發(fā)人員：村井亮司,河面英夫,吉松直樹
受保護的技術(shù)使用者：三菱電機株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5