本公開(kāi)涉及一種芯支承構(gòu)造。

背景技術(shù)：

1、在用于電子設(shè)備的芯中，由于芯的角部與承接芯的承接構(gòu)件的角r形狀接觸，從而存在產(chǎn)生破損、或散熱性惡化的問(wèn)題。針對(duì)這樣的問(wèn)題，為了避免該接觸，通過(guò)在芯的角部設(shè)置倒角，在與承接構(gòu)件的角r形狀之間形成空隙，由此避免芯的角部的接觸。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2015-12607號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問(wèn)題

2、然而，在如上所述在芯的角部設(shè)置倒角的情況下，存在需要對(duì)芯的加工/尺寸管理的問(wèn)題。另外，存在以下問(wèn)題：由于加工而芯的體積會(huì)減少，由于磁通的減少、或芯形狀不對(duì)稱而在對(duì)承接構(gòu)件的設(shè)置時(shí)會(huì)出現(xiàn)方向性，在進(jìn)行芯的安裝作業(yè)時(shí)需要注意。

3、本公開(kāi)的目的在于提供不伴隨芯的加工而能夠避免芯的角部與承接構(gòu)件接觸避免的芯支承構(gòu)造。

4、用于解決問(wèn)題的技術(shù)方案

5、本公開(kāi)的一方式提供一種芯支承構(gòu)造，其具備：第一芯；以及承接構(gòu)件，其承接第一芯，承接構(gòu)件具有載置第一芯的底面的底壁部和與第一芯的側(cè)面相對(duì)的側(cè)壁部，在底壁部及側(cè)壁部中的至少一方形成有避免與第一芯的角部的抵接的抵接避免部。

6、在本公開(kāi)的一方式的芯支承構(gòu)造中，承接構(gòu)件具有載置第一芯的底面的底壁部和與第一芯的側(cè)面相對(duì)的側(cè)壁部。因此，第一芯的角部以接近的方式配置于底壁部和側(cè)壁部之間的角部。在此，在底壁部及側(cè)壁部中的至少一方形成避免與第一芯的角部的抵接的抵接避免部。因此，即使未在第一芯的角部設(shè)置倒角，也避免第一芯的角部與承接構(gòu)件的角r形狀抵接而接觸，第一芯以載置于底壁部的狀態(tài)設(shè)置于承接構(gòu)件。

7、也可以是，還具備與第一芯相對(duì)配置的第二芯，承接構(gòu)件是配置于第一芯和第二芯之間的間隔構(gòu)件。在該情況下，因?yàn)槟軌虮苊獾谝恍九c承接構(gòu)件接觸，所以能夠?qū)⒌谝恍竞偷诙局g的間隙的大小保持為一定。

8、也可以是，抵接避免部由形成于承接構(gòu)件的貫通孔構(gòu)成。在該情況下，能夠通過(guò)僅在承接構(gòu)件形成貫通孔的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)置抵接避免部。

9、也可以是，抵接避免部由形成于承接構(gòu)件的槽部構(gòu)成。在該情況下，能夠通過(guò)僅在承接構(gòu)件形成槽部的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)置抵接避免部。

10、也可以是，在承接構(gòu)件形成有配置有與第一芯連接的熱傳導(dǎo)構(gòu)件的貫通孔。在該情況下，能夠經(jīng)由配置于貫通孔的熱傳導(dǎo)構(gòu)件，將在第一芯中產(chǎn)生的熱向其它構(gòu)件傳遞。

11、發(fā)明效果

12、根據(jù)本公開(kāi)，能夠提供不伴隨芯的加工而能夠避免芯的角部與承接構(gòu)件接觸的芯支承構(gòu)造。

技術(shù)特征：

1.一種芯支承構(gòu)造，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種芯支承構(gòu)造，其具備第一芯和承接第一芯的承接構(gòu)件，承接構(gòu)件具有載置第一芯的底面的底壁部和與第一芯的側(cè)面相對(duì)的側(cè)壁部，在底壁部及側(cè)壁部中的至少一方形成避免與第一芯的角部的抵接的抵接避免部。

技術(shù)研發(fā)人員：河村彗史,池澤輝,金子浩二,小林康一,山口賢一,澤山純平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TDK株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19