本申請大體上涉及半導(dǎo)體技術(shù)，且更具體地說，涉及具有改進的散熱的半導(dǎo)體器件和用于制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體行業(yè)一直面臨復(fù)雜的集成挑戰(zhàn)，因為消費者希望他們的電子設(shè)備體積更小、速度更快且性能更高，并將越來越多的功能封裝到單個裝置中。為了滿足消費者的需求，越來越多的電子元件被緊密地集成。然而，由于緊密的集成，電子元件產(chǎn)生的熱量可能會被其它電子元件阻擋，因此散熱可能并不理想，且可能損害半導(dǎo)體器件的性能。

2、因此，需要具有改進的散熱的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的目標為提供具有改進的散熱的半導(dǎo)體器件。

2、根據(jù)本申請的實施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：主半導(dǎo)體裸片，所述主半導(dǎo)體裸片具有頂面，其中所述頂面包括第一區(qū)域和在所述第一區(qū)域旁的第二區(qū)域；從屬半導(dǎo)體裸片，所述從屬半導(dǎo)體裸片附接到所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第一區(qū)域上；導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)形成于所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片上，其中所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)至少部分地覆蓋所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第二區(qū)域，且至少部分地覆蓋所述從屬半導(dǎo)體裸片的頂面；以及散熱器，所述散熱器至少通過所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)熱耦合到所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片。

3、根據(jù)本申請的實施例的一方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。所述方法包括：提供具有主半導(dǎo)體裸片和從屬半導(dǎo)體裸片的半導(dǎo)體裸片堆疊件，其中所述主半導(dǎo)體裸片包括頂面，所述頂面包括第一區(qū)域和在所述第一區(qū)域旁的第二區(qū)域，其中所述從屬半導(dǎo)體裸片附接到所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第一區(qū)域上；在所述半導(dǎo)體裸片堆疊件上形成導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)至少部分地覆蓋所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第二區(qū)域，且所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)至少部分地覆蓋所述從屬半導(dǎo)體裸片的頂面；以及通過所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)將散熱器附接在所述半導(dǎo)體裸片堆疊件上，使得所述散熱器通過所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)熱耦合到所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片。

4、根據(jù)本申請的實施例的另一方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。所述方法包括：提供具有主半導(dǎo)體裸片和從屬半導(dǎo)體裸片的半導(dǎo)體裸片堆疊件，其中所述主半導(dǎo)體裸片包括頂面，所述頂面包括第一區(qū)域和在所述第一區(qū)域旁的第二區(qū)域，其中所述從屬半導(dǎo)體裸片附接到所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第一區(qū)域上；在所述半導(dǎo)體裸片堆疊件上形成粘合層，其中所述粘合層至少部分地覆蓋所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第二區(qū)域和所述從屬半導(dǎo)體裸片的頂面；在所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第二區(qū)域上形成第一焊接型熱界面層；將導(dǎo)熱塊附接在所述第一焊接型熱界面層上，以在所述半導(dǎo)體裸片堆疊件上方形成平坦頂面；在所述半導(dǎo)體裸片堆疊件上方的平坦頂面上形成第二焊接型熱界面層；以及將蓋體附接到所述半導(dǎo)體裸片堆疊件上方的平坦頂面上以至少使用所述蓋體和所述導(dǎo)熱塊形成散熱器，其中所述蓋體通過所述導(dǎo)熱塊、所述第一焊接型熱界面層和第二焊接型熱界面層和所述粘合層熱耦合到所述主半導(dǎo)體裸片，且所述蓋體通過所述第二焊接型熱界面層和所述粘合層熱耦合到所述從屬半導(dǎo)體裸片。

5、應(yīng)當理解，前面的一般描述和下面的詳細描述都只是示例性和說明性的，而不是對本發(fā)明的限制。此外，并入并構(gòu)成本說明書一部分的附圖展示了本發(fā)明的實施例并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)包括焊接型熱界面層和粘合層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)進一步包括潤濕層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片通過混合鍵合而鍵合在一起。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述散熱器包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件進一步包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二多個側(cè)部與所述第一多個側(cè)部間隔開以在其間形成空腔，所述半導(dǎo)體器件進一步包括至少一個電子元件，所述至少一個電子元件收納于所述空腔內(nèi)且附接在所述基底上，其中所述至少一個電子元件熱耦合到所述散熱器的蓋體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述散熱器包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件進一步包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二多個側(cè)部與所述第一多個側(cè)部間隔開以在其間形成空腔，所述半導(dǎo)體器件進一步包括至少一個電子元件，所述至少一個電子元件收納于所述空腔內(nèi)且附接在所述基底上，且其中所述至少一個電子元件熱耦合到所述散熱器的蓋體。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)熱層為焊接型熱界面層。

12.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，形成導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)包括形成粘合層和形成焊接型熱界面層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，形成導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)進一步包括形成潤濕層。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片通過混合鍵合而鍵合。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述散熱器包括蓋體和從所述蓋體延伸的第一多個側(cè)部，其中所述蓋體和所述第一多個側(cè)部一體成型為單件；以及

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

18.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體裸片堆疊件上形成粘合層之后，所述方法進一步包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片通過混合鍵合而鍵合。

21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：主半導(dǎo)體裸片，所述主半導(dǎo)體裸片具有頂面，其中所述頂面包括第一區(qū)域和在所述第一區(qū)域旁的第二區(qū)域；從屬半導(dǎo)體裸片，所述從屬半導(dǎo)體裸片附接到所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第一區(qū)域上；導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)形成于所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片上，其中所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)至少部分地覆蓋所述主半導(dǎo)體裸片的頂面的第二區(qū)域，且至少部分地覆蓋所述從屬半導(dǎo)體裸片的頂面；以及散熱器，所述散熱器至少通過所述導(dǎo)熱層壓結(jié)構(gòu)熱耦合到所述主半導(dǎo)體裸片和所述從屬半導(dǎo)體裸片。

技術(shù)研發(fā)人員：李承炫,李喜秀,申容武
受保護的技術(shù)使用者：JCET星科金朋韓國有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10