本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、常見的半導(dǎo)體封裝技術(shù)中，比如芯片封裝技術(shù)，通常包含下述工藝過程：首先形成包封芯片的塑封層，之后在芯片的正面設(shè)置與芯片的焊墊電連接的再布線層。

2、現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品存在散熱效果較差的問題，影響產(chǎn)品的性能。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

2、本申請實施例的第一方面提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

3、提供散熱基板；

4、在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片；所述芯片包括芯片正面、與所述芯片正面相對的芯片背面、及連接所述芯片正面與所述芯片背面的多個芯片側(cè)面，所述芯片正面設(shè)有多個焊墊，所述芯片背面朝向所述散熱基板；

5、形成塑封層，所述塑封層至少包封所述芯片側(cè)面；

6、在所述芯片正面設(shè)置再布線層，所述再布線層與所述焊墊電連接。

7、在一個實施例中，所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片，包括：在所述散熱基板的一側(cè)貼裝多個芯片，所述多個芯片間隔排布；

8、所述散熱基板包括金屬層，所述金屬層設(shè)有鏤空部；所述散熱基板包括多個子散熱部，所述鏤空部位于相鄰子散熱部之間；所述散熱基板包括位于相鄰子散熱部之間的切割道，所述切割道至少部分位于所述鏤空部；所述形成塑封層之后得到半導(dǎo)體中間結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法還包括：

9、對所述半導(dǎo)體中間結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，所述散熱基板沿所述切割道分割為多個所述子散熱部，得到多個子半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；每一所述子半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一個所述子散熱部及至少一個所述芯片。

10、在一個實施例中，所述散熱基板包括絕緣散熱層和位于所述絕緣散熱層至少一側(cè)的金屬層。

11、在一個實施例中，所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片，包括：

12、在所述散熱基板的一側(cè)設(shè)置固晶材料；所述固晶材料為導(dǎo)熱材料；

13、在所述固晶材料背離所述散熱基板的一側(cè)設(shè)置芯片。

14、在一個實施例中，所述散熱基板包括圖形化的散熱層，所述散熱層朝向所述芯片背面；所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片，包括：

15、將所述散熱層的至少部分區(qū)域作為定位標(biāo)識，根據(jù)所述定位標(biāo)識確定所述芯片在所述散熱基板的貼裝位置；

16、在所述貼裝位置貼裝所述芯片。

17、在一個實施例中，所述再布線層包括多個跡線，每一所述焊墊與一個所述跡線相連，相鄰兩個焊墊之間的距離為第一距離，與所述相鄰兩個焊墊相連的兩個跡線遠(yuǎn)離對應(yīng)焊墊的端部之間的距離為第二距離，所述第一距離小于所述第二距離。

18、在一個實施例中，所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片之前，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法還包括：在所述散熱基板的一側(cè)貼裝電氣元件；

19、所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片，包括：在在所述電氣元件背離所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片；

20、所述塑封層包封所述電氣元件的側(cè)面，且所述塑封層形成有貫穿所述塑封層的通孔，所述通孔內(nèi)形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述再布線層與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接；所述散熱基板包括圖形化的金屬層，所述圖形化的金屬層朝向所述電氣元件；所述圖形化的金屬層包括連接走線，所述連接走線將所述電氣元件與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。

21、本申請實施例的第二方面提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

22、至少一個芯片，所述芯片包括芯片正面、與所述芯片正面相對的芯片背面、及連接所述芯片正面與所述芯片背面的多個芯片側(cè)面，所述芯片正面設(shè)有多個焊墊；

23、至少包封各所述芯片側(cè)面的塑封層；

24、位于所述芯片正面的再布線層，所述再布線層與所述焊墊電連接；

25、位于所述芯片背面的散熱基板。

26、在一個實施例中，所述散熱基板包括圖形化的散熱層，所述圖形化的散熱層朝向所述芯片背面。

27、在一個實施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括位于所述芯片與所述散熱基板之間的電氣元件；所述塑封層包封所述電氣元件的側(cè)面，且所述塑封層形成有貫穿所述塑封層的通孔，所述通孔內(nèi)形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述再布線層與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接；

28、所述散熱基板包括圖形化的金屬層，所述圖形化的金屬層朝向所述電氣元件；所述圖形化的金屬層包括連接走線，所述連接走線將所述電氣元件與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。

29、本申請實施例所達(dá)到的主要技術(shù)效果是：

30、本申請實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，芯片的芯片背面設(shè)有散熱基板，芯片的芯片正面設(shè)有再布線層，散熱基板及再布線層均可實現(xiàn)散熱，也即是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可雙面散熱，可有效提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的散熱效果；在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備過程中，芯片貼裝在散熱基板的一側(cè)，也即是散熱基板同時起到支撐芯片的作用，相對于先將芯片貼裝在載板上，形成塑封層和再布線層之后再轉(zhuǎn)移到散熱基板上的方案來說，可簡化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備過程。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片，包括：在所述散熱基板的一側(cè)貼裝多個芯片，所述多個芯片間隔排布；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述散熱基板包括絕緣散熱層和位于所述絕緣散熱層至少一側(cè)的金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述散熱基板包括圖形化的散熱層，所述散熱層朝向所述芯片背面；所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述再布線層包括多個跡線，每一所述焊墊與一個所述跡線相連，相鄰兩個焊墊之間的距離為第一距離，與所述相鄰兩個焊墊相連的兩個跡線遠(yuǎn)離對應(yīng)焊墊的端部之間的距離為第二距離，所述第一距離小于所述第二距離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片之前，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法還包括：在所述散熱基板的一側(cè)貼裝電氣元件；

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱基板包括圖形化的散熱層，所述圖形化的散熱層朝向所述芯片背面。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括位于所述芯片與所述散熱基板之間的電氣元件；所述塑封層包封所述電氣元件的側(cè)面，且所述塑封層形成有貫穿所述塑封層的通孔，所述通孔內(nèi)形成有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述再布線層與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接；

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供散熱基板；在所述散熱基板的一側(cè)貼裝芯片；所述芯片包括芯片正面、與所述芯片正面相對的芯片背面、及連接所述芯片正面與芯片背面的多個芯片側(cè)面，芯片正面設(shè)有多個焊墊，芯片背面朝向散熱基板；形成塑封層，塑封層至少包封芯片側(cè)面；在芯片正面設(shè)置再布線層，再布線層與焊墊電連接。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括至少一個芯片、塑封層、再布線層及散熱基板。芯片包括芯片正面、與芯片正面相對的芯片背面、及連接芯片正面與芯片背面的多個芯片側(cè)面，芯片正面設(shè)有多個焊墊。塑封層至少包封各芯片側(cè)面；再布線層位于芯片正面，與焊墊電連接。散熱基板位于芯片背面。

技術(shù)研發(fā)人員：陳莉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫華潤安盛科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10