本申請涉及集成電路，特別是涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(lateral?double-diffuse?mos，ldmos)器件的應(yīng)用也日益廣泛，同時對橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的性能提出了更高的要求。對于常規(guī)的soi(silicon?on?insulator，絕緣體上硅)ldmos器件，如何在頂硅層厚度較薄的情況下提高器件耐壓是業(yè)內(nèi)亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述至少一個問題，提供一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。

2、為了實現(xiàn)上述至少一個目的，第一方面，本申請?zhí)峁┮环N橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，該橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括層疊設(shè)置的襯底、介質(zhì)埋層和頂硅層：所述襯底上設(shè)置有背電極；所述頂硅層內(nèi)設(shè)置有漂移區(qū)、源引出區(qū)和漏引出區(qū)，所述源引出區(qū)和所述漏引出區(qū)分別位于所述漂移區(qū)沿第一方向的兩側(cè)；所述第一方向垂直于所述襯底的厚度方向；

3、其中，所述漏引出區(qū)在所述襯底上的正投影，位于所述介質(zhì)埋層在所述襯底上的正投影范圍內(nèi)；所述襯底在所述頂硅層上的正投影覆蓋所述漏引出區(qū)，且所述源引出區(qū)位于所述襯底在所述頂硅層上的正投影范圍外。

4、本申請實施例提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，通過在襯底上設(shè)置背電極，以及使襯底在頂硅層上的正投影覆蓋漏引出區(qū)，且源引出區(qū)位于襯底在頂硅層上的正投影范圍外。相當于在漏端(漏引出區(qū))正下方的襯底上加電壓，可以使得耗盡區(qū)延伸至漏端下方，當和漏端加同級別電壓時，縱向方向相對電壓為0，從而不僅改善了超薄頂硅器件漏端無法利用的弊端，而且能夠在頂硅層厚度較薄的情況下提高漏端的縱向電壓，進而提高了器件耐壓。

5、在其中一個實施例中，所述源引出區(qū)和所述漏引出區(qū)之間的所述漂移區(qū)的至少部分位于所述襯底在所述頂硅層上的正投影范圍外。

6、在其中一個實施例中，所述襯底包括多個子襯底，所述多個子襯底沿所述第一方向間隔排布；

7、每一所述子襯底上均設(shè)置一子背電極。

8、在其中一個實施例中，在所有的所述子背電極中，任意兩個所述子背電極的電壓不相等。

9、在其中一個實施例中，任意相鄰的兩個所述子背電極中，更靠近所述漏引出區(qū)的所述子背電極的電壓更大。

10、在其中一個實施例中，任意相鄰的兩個所述子背電極的電壓差等于預(yù)設(shè)電壓差。

11、在其中一個實施例中，所有所述子襯底的對應(yīng)尺寸均相等；

12、和/或，任意相鄰的兩個所述子襯底之間的間距等于第一預(yù)設(shè)間距。

13、在其中一個實施例中，所述漂移區(qū)內(nèi)還設(shè)置有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于所述源引出區(qū)和所述漏引出區(qū)之間，且所述介質(zhì)層與所述介質(zhì)埋層之間具有第二預(yù)設(shè)間距。

14、在其中一個實施例中，至少部分所述介質(zhì)層沿所述襯底厚度方向的尺寸由靠近所述源引出區(qū)的一端至靠近所述漏引出區(qū)的一端逐漸增大。

15、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

16、提供層疊設(shè)置的襯底、介質(zhì)埋層和頂硅層；所述襯底上設(shè)置有背電極；

17、于所述頂硅層內(nèi)形成漂移區(qū)、源引出區(qū)和漏引出區(qū)，所述源引出區(qū)和所述漏引出區(qū)分別位于所述漂移區(qū)沿第一方向的兩側(cè)；所述第一方向垂直于所述襯底的厚度方向；所述漏引出區(qū)在所述襯底上的正投影，位于所述介質(zhì)埋層在所述襯底上的正投影范圍內(nèi)；所述襯底在所述頂硅層上的正投影覆蓋所述漏引出區(qū)，且所述源引出區(qū)位于所述襯底在所述頂硅層上的正投影范圍外。

18、本申請實施例提供的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制備方法，通過在襯底上設(shè)置背電極，以及使襯底在頂硅層上的正投影覆蓋漏引出區(qū)，且源引出區(qū)位于襯底在頂硅層上的正投影范圍外。相當于在漏端(漏引出區(qū))正下方的襯底上加電壓，可以使得耗盡區(qū)延伸至漏端下方，當和漏端加同級別電壓時，縱向方向相對電壓為0，從而不僅改善了超薄頂硅器件漏端無法利用的弊端，而且能夠在頂硅層厚度較薄的情況下提高漏端的縱向電壓，進而提高了器件耐壓。

技術(shù)特征：

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括層疊設(shè)置的襯底、介質(zhì)埋層和頂硅層：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源引出區(qū)和所述漏引出區(qū)之間的所述漂移區(qū)的至少部分位于所述襯底在所述頂硅層上的正投影范圍外。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底包括多個子襯底，所述多個子襯底沿所述第一方向間隔排布；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所有的所述子背電極中，任意兩個所述子背電極的電壓不相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，任意相鄰的兩個所述子背電極中，更靠近所述漏引出區(qū)的所述子背電極的電壓更大。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，任意相鄰的兩個所述子背電極的電壓差等于預(yù)設(shè)電壓差。

7.根據(jù)權(quán)利要求3-6中任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所有所述子襯底的對應(yīng)尺寸均相等；

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述漂移區(qū)內(nèi)還設(shè)置有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于所述源引出區(qū)和所述漏引出區(qū)之間，且所述介質(zhì)層與所述介質(zhì)埋層之間具有第二預(yù)設(shè)間距。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，至少部分所述介質(zhì)層沿所述襯底厚度方向的尺寸由靠近所述源引出區(qū)的一端至靠近所述漏引出區(qū)的一端逐漸增大。

10.一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法，該橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括：襯底，襯底上設(shè)置有背電極；介質(zhì)埋層，設(shè)于襯底上；以及頂硅層，設(shè)于介質(zhì)埋層上；頂硅層內(nèi)設(shè)置有漂移區(qū)、源引出區(qū)和漏引出區(qū)，源引出區(qū)和漏引出區(qū)分別位于漂移區(qū)沿第一方向的兩側(cè)；第一方向垂直于襯底的厚度方向；其中，漏引出區(qū)在襯底上的正投影，位于介質(zhì)埋層在襯底上的正投影范圍內(nèi)；襯底在頂硅層上的正投影覆蓋漏引出區(qū)，且源引出區(qū)位于襯底在頂硅層上的正投影范圍外。本申請不僅改善了超薄頂硅器件漏端無法利用的弊端，而且能夠在頂硅層厚度較薄的情況下提高漏端的縱向電壓，進而提高了器件耐壓。

技術(shù)研發(fā)人員：劉騰,何乃龍,張森,種世雄,宋華
受保護的技術(shù)使用者：無錫華潤上華科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/28