本發(fā)明屬于集成電路設(shè)備，特別涉及一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置及清洗裝置。

背景技術(shù)：

1、兆聲波清洗技術(shù)作為超精密清洗納米級(jí)清洗技術(shù)的代表，在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。兆聲波清洗技術(shù)不僅可以用于硅晶圓的清洗，gaas(砷化鎵)、液晶玻璃等玻璃面罩的清洗，還可以完成硬盤及其讀寫頭、半導(dǎo)體元器件、光學(xué)掩模、薄膜磁頭等脆性材料的超精密清洗，以及硅通孔技術(shù)(tsv，through－silicon－via)蝕刻清洗、凸點(diǎn)下金屬化(ubm，under－bump?metallization)/重布線層(rdl，redistributionlayer)清洗、粘接清洗等高級(jí)封裝領(lǐng)域的精密清洗。隨著研究的進(jìn)一步發(fā)展，兆聲波清洗技術(shù)在半導(dǎo)體和電子器件的生產(chǎn)過程中獲得越來越多的應(yīng)用。

2、在半導(dǎo)體生產(chǎn)加工過程中，利用清洗設(shè)備清洗晶圓時(shí)，為了便于下一工藝的正常進(jìn)行需要對(duì)清洗后的晶圓進(jìn)行干燥，而現(xiàn)有技術(shù)中的清洗裝置清洗晶圓背面的噴嘴的出水口與干燥晶圓的噴嘴的出氣口通過固定件集成為同一結(jié)構(gòu)件，該結(jié)構(gòu)中清洗裝置清洗晶圓背面的噴嘴的出水口、干燥晶圓的噴嘴的出氣口以及固定件的上端面均處于同一水平高度上，而工藝過程中固定件及噴嘴是不旋轉(zhuǎn)的，就導(dǎo)致清洗晶圓的部分液體容易堆積在該固定件上，當(dāng)堆積的液體足夠多時(shí)，液體會(huì)進(jìn)入干燥晶圓的噴嘴以及與干燥噴嘴相連接的氣體通道內(nèi)，當(dāng)干燥氣體通過干燥晶圓的噴嘴對(duì)晶圓進(jìn)行干燥時(shí)，干燥噴嘴中殘留的前一工藝的液體隨著干燥氣體一同噴出，對(duì)晶圓背面造成刻蝕，進(jìn)而對(duì)晶圓的良率造成影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了避免清洗晶圓的液體通過氣體輸出口進(jìn)入氣體通道，影響晶圓的干燥效果及加工良率，本發(fā)明提出一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置及清洗裝置。

2、第一方面，本發(fā)明提供一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，包括一固定件、至少一個(gè)液體通道和至少一個(gè)氣體通道；每一所述液體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置液體輸入口和液體輸出口，每一所述氣體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置氣體輸入口和氣體輸出口；所述液體通道用于傳輸液體；所述氣體通道用于輸送氣體；所述固定件被配置為固定所述液體通道的液體輸出口和所述氣體輸出口；其中，所述氣體輸出口的水平高度高于所述固定件上端面的水平高度。

3、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，所述氣體輸出口的水平高度高于所述液體輸出口的水平高度。

4、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，所述氣體輸出口設(shè)置于所述氣體通道的頂部端口。

5、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，所述氣體輸出口設(shè)置于所述氣體通道的側(cè)壁上。

6、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，還包括緩沖罐，與所述氣體通道連接，以容納流進(jìn)所述氣體通道的液體。

7、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，還包括第一氣體供應(yīng)通道和第二氣體供應(yīng)通道，分別與所述緩沖罐連接，以使所述氣體經(jīng)由第一氣體供應(yīng)通道進(jìn)入所述緩沖罐的內(nèi)部，并經(jīng)由所述第二氣體供應(yīng)通道傳輸至所述氣體通道內(nèi)。

8、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，還包括排液通道，與所述緩沖罐連接，且所述排液通道上設(shè)置有排液閥門。

9、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，還包括液位控制器，設(shè)置在所述緩沖罐內(nèi)，用以檢測(cè)并控制所述緩沖罐內(nèi)的液位。

10、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，還包括控制單元，所述控制單元在晶圓背面清洗過程中，控制所述氣體持續(xù)通入所述氣體通道。

11、第二方面，本發(fā)明提供一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，包括一固定件、至少一個(gè)液體通道和至少一個(gè)氣體通道，每一所述液體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置液體輸入口和液體輸出口，每一所述氣體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置氣體輸入口和氣體輸出口；所述液體通道用于傳輸液體；所述氣體通道用于輸送氣體；所述固定件被配置為固定所述液體通道的液體輸出口和所述氣體輸出口；所述氣體通道的氣體輸入口連接有一緩沖罐，以容納流進(jìn)氣體通道的液體。

12、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式，還包括控制單元，所述控制單元在晶圓背面清洗過程中，控制所述氣體持續(xù)通入所述氣體通道。

13、第三方面，本發(fā)明提供一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，包括一固定件、至少一個(gè)液體通道和至少一個(gè)氣體通道，每一所述液體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置液體輸入口和液體輸出口，每一所述氣體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置氣體輸入口和氣體輸出口；所述液體通道用于傳輸液體；所述氣體通道用于輸送氣體；所述固定件被配置為固定所述液體通道的液體輸出口和所述氣體輸出口；還包括控制單元，所述控制單元在晶圓背面清洗過程中，控制所述氣體持續(xù)通入所述氣體通道。

14、第四方面，本發(fā)明提供一種清洗裝置，包含上述任一項(xiàng)所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置。

15、本發(fā)明的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置及清洗裝置，通過對(duì)噴嘴裝置的設(shè)計(jì)，解決了晶圓清洗時(shí)液體容易進(jìn)入氣體輸出口以及用于提供干燥氣體的氣體通道中的問題，有效防止晶圓背面清洗后利用干燥氣體干燥時(shí)液體對(duì)晶圓背面產(chǎn)生刻蝕的現(xiàn)象的發(fā)生，提高了晶圓的加工良率；同時(shí)解決液體進(jìn)入用于提供干燥氣體的氣體通道中產(chǎn)生污染的問題。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

技術(shù)特征：

1.一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：所述氣體輸出口設(shè)置于所述氣體通道的側(cè)壁上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：還包括控制單元，所述控制單元在晶圓背面清洗過程中，控制所述氣體持續(xù)通入所述氣體通道。

10.一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

12.一種用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置，其特征在于：

13.一種清洗裝置，其特征在于：包含如權(quán)利要求1－12中任一項(xiàng)所述的用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出用于晶圓背面清洗的噴嘴裝置及清洗裝置。該噴嘴裝置包括固定件、至少一個(gè)液體通道和至少一個(gè)氣體通道；每一液體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置液體輸入口和液體輸出口，每一氣體通道分別對(duì)應(yīng)設(shè)置氣體輸入口和氣體輸出口；液體通道用于傳輸液體；氣體通道用于輸送氣體；固定件被配置為固定液體通道的液體輸出口和氣體輸出口；其中，氣體輸出口的水平高度高于固定件上端面的水平高度。通過本發(fā)明解決了晶圓清洗時(shí)液體容易進(jìn)入氣體輸出口以及用于提供干燥氣體的氣體通道中的問題，有效防止晶圓背面清洗后利用干燥氣體干燥時(shí)液體對(duì)晶圓背面產(chǎn)生刻蝕的現(xiàn)象的發(fā)生，提高了晶圓的加工良率；同時(shí)解決液體進(jìn)入用于提供干燥氣體的氣體通道中產(chǎn)生污染的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：劉成柱,王暉,徐園園,胡海波,張曉燕,王堅(jiān)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/28